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晶體管輸入輸出特性曲線1、共射輸入特性曲線

2.1.3晶體管的特性曲線某硅NPN管的共射輸入特性曲線：1）曲線是非線性的，也存在一段死區(qū)，當(dāng)外加uBE小于死區(qū)電壓時，截止。2）隨著uCE的增大，曲線逐漸右移，而當(dāng)uCE≥1V以后，各條輸入特性曲線密集在一起，幾乎重合。因此只要畫出uCE=1V的輸入特性曲線就可代表uCE≥1V后的各條輸入特性。3）三極管導(dǎo)通時，小功率管iB一般為幾十到幾百微安，相應(yīng)的uBE變化不大，一般硅管的，鍺管的2、共射輸出特性曲線

當(dāng)iB取值不同時，就有一條不同的輸出特性曲線，如右圖所示。輸出特性四個區(qū)域的特點:1）截止區(qū)通常把iB=0的輸出特性曲線以下的區(qū)域稱為截止區(qū)。e、b、c之間近似看成開路。2）放大區(qū)

輸出特性曲線中的平坦部分（近似水平的直線）稱為放大區(qū)。此時iC≈βiB。輸出特性四個區(qū)域的特點:3）飽和區(qū)輸出特性曲線中，uCE≤uBE的區(qū)域，即曲線的上升段組成的區(qū)域稱為飽和區(qū)。三極管各極之間近似看成短路。飽和時的uCE稱為飽和壓降，用UCE(sat)表示。4）擊穿區(qū)擊穿區(qū)位于圖右上方，其中iB=0時的擊穿電壓U(BR)CEO稱為基極開路時集-射極間擊穿電壓。

2.1.4晶體管的主要參數(shù)2.極間反向電流（1）集電極-基極反向飽和電流ICBO發(fā)射極開路時集電結(jié)的反向飽和電流。其值很小，ICBO越小越好。（2）穿透電流ICEO基極開路時集電極和發(fā)射極間加上規(guī)定電壓時的電流。由于ICEO=（1

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