CMOS

模擬集成電路設(shè)計(jì)1CMOS有源器件課程目的：了解MOS器件的SPICELEVEL1的推導(dǎo)掌握大信號(hào)模型的手工計(jì)算方法掌握小信號(hào)模型及相關(guān)參數(shù)計(jì)算方法了解SPICE中各參數(shù)的名稱掌握MOS器件的噪聲模型2MOS器件的結(jié)構(gòu)和原理增強(qiáng)型NMOS3MOS器件的結(jié)構(gòu)和原理截止區(qū)可變電阻區(qū)飽和區(qū)增強(qiáng)型NMOS中溝道的形成4MOS器件的結(jié)構(gòu)和原理增強(qiáng)型NMOS在VDS＝0.1V時(shí)的轉(zhuǎn)移特性5MOS器件的結(jié)構(gòu)和原理增強(qiáng)型NMOS在VGS＝2VT時(shí)的輸出特性6MOS器件的結(jié)構(gòu)和原理增強(qiáng)型NMOS在VDS＝2VT時(shí)的輸出特性7增強(qiáng)型NMOS的輸出特性MOS器件的結(jié)構(gòu)和原理8SPICE輸入文檔OutputCharacteristicsforNMOSM16100MOS1w=5ul=1.0uVGS1101.0M26200MOS1w=5ul=1.0uVGS2201.5M36300MOS1w=5ul=1.0uVGS3302.0M46400MOS1w=5ul=1.0uVGS4402.5M56500MOS1w=5ul=1.0uVGS5503.0VDS605.modelmos1nmos(vto=0.7kp=110u+gamma=0.4+lambda=.04phi=.7).dcvds05.2.printdcID(M1),ID(M2),ID(M3),ID(M4),ID(M5).end9MOS器件的結(jié)構(gòu)和原理增強(qiáng)型NMOS的轉(zhuǎn)移特性10SPICE輸入文檔TransconductanceCharacteristicsforNMOSM11600MOS1w=5ul=1.0uVDS1101.0M22600MOS1w=5ul=1.0uVDS2202.0M33600MOS1w=5ul=1.0uVDS3303.0M44600MOS1w=5ul=1.0uVDS4404.0M55600MOS1w=5ul=1.0uVDS5505.0VGS605.modelmos1nmos(vto=0.7kp=110u+gamma=0.4lambda=.04phi=.7).dcvgs05.2.printdcID(M1),ID(M2),ID(M3),ID(M4),ID(M5).probe.end11MOSFET器件的大信號(hào)模型簡(jiǎn)單薩模型（SimpleSahModel）SPICELEVEL1121）反型層內(nèi)單位面積的電荷2）單位面積電導(dǎo)率的定義3）薄層內(nèi)的歐姆定律4）沿溝道方向積分模型的推導(dǎo)13模型的推導(dǎo)飽和電壓VDS（sat.）由曲線的最高值決定定義14考慮次級(jí)效應(yīng)后的修正VDS對(duì)VT的影響SPICELEVEL215考慮次級(jí)效應(yīng)后的修正VDS對(duì)Leff的影響（短溝道效應(yīng)）SPICELEVEL216體（襯底）電壓VBS的影響17Si的常數(shù)180.8umMOSFET的典型參數(shù)（n阱）19完整的MOS管大信號(hào)模型寄生電容：CGD,CBD,CGS,CBS，CGB歐姆和接觸電阻：rG，rD，rB，rS泄漏電流：20MOS器件中寄生電容的產(chǎn)生耗盡電容：CBS,CBD平行板電容：C1，C2，C3，C4，C521與大信號(hào)模型中寄生電容的對(duì)應(yīng)22MOS器件中的噪聲如何將輸出噪聲折算到輸入端？23影響模型準(zhǔn)確度的其他因素載流子速度飽和弱反型層條件基底電流的影