華北電力大學(xué)2023年博士生入學(xué)考試初試科目考試大綱考試命名名稱(chēng)：半導(dǎo)體物理一、考試總體要求本門(mén)課程主要考察學(xué)生對(duì)半導(dǎo)體物理的基本概念、基本理論和基本方法的全面認(rèn)識(shí)，正確理解和運(yùn)用能力。要求考生對(duì)其基本概念有較深入的了解，能夠系統(tǒng)地掌握書(shū)中基本定律的推導(dǎo)、證明和應(yīng)用，并具有綜合運(yùn)用所學(xué)知識(shí)分析問(wèn)題和解決問(wèn)題的能力。掌握《半導(dǎo)體物理學(xué)》中半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和電子狀態(tài);雜質(zhì)和缺陷能級(jí);載流子的統(tǒng)計(jì)分布;載流子的散射及電導(dǎo)問(wèn)題;非平衡載流子的產(chǎn)生、復(fù)合及其運(yùn)動(dòng)規(guī)律;半導(dǎo)體的表面和界面:包括p-n結(jié)、金屬半導(dǎo)體接觸、半導(dǎo)體表面及MIS結(jié)構(gòu)、異質(zhì)結(jié);半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)、光電與發(fā)光等物理現(xiàn)象和非晶半導(dǎo)體部分。

二、考試內(nèi)容1．半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)：（1）半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)；（2）半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶；（3）半導(dǎo)體的電子、空穴及有效質(zhì)量；（4）硅、鍺等常見(jiàn)半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)2.半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷能級(jí)：（1）硅、鍺中的雜質(zhì)能級(jí)、淺能級(jí)雜質(zhì)電離能；（2）常見(jiàn)的雜質(zhì)種類(lèi)；（3）施主雜質(zhì)、受主雜質(zhì)及對(duì)應(yīng)的能級(jí)；3.半導(dǎo)體中的載流子統(tǒng)計(jì)分布：（1）狀態(tài)密度；（2）費(fèi)米能級(jí)和載流子的統(tǒng)計(jì)分布；（3）本征半導(dǎo)體的載流子濃度、雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度；（4）一般情況下的載流子統(tǒng)計(jì)分布、簡(jiǎn)并半導(dǎo)體4.半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性（1）漂移、擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)；（2）電導(dǎo)率、遷移率；（3）載流子的散射、平均壽命、平均擴(kuò)散長(zhǎng)度、擴(kuò)散/漂移電流5.非平衡載流子：（1）非平衡載流子的注入與復(fù)合；（2）非平衡載流子的壽命、復(fù)合理論、陷阱效應(yīng)；（3）連續(xù)性方程、愛(ài)因斯坦關(guān)系、載流子的漂移擴(kuò)散6.pn結(jié)：（1）pn結(jié)及能帶圖、雜質(zhì)分布、空間電荷區(qū)、接觸電勢(shì)差、載流子分布等；（2）pn結(jié)電流電壓特性、影響該特性偏離理想方程的各種因素；（3）pn結(jié)電容；（4）pn結(jié)的擊穿；（5）pn結(jié)隧道效應(yīng)7.金屬和半導(dǎo)體接觸：（1）金屬半導(dǎo)體接觸及其能帶圖；（2）金屬半導(dǎo)體接觸的整流理論；（3）少數(shù)載流子的注入與歐姆接觸8.半導(dǎo)體表面與MIS結(jié)構(gòu)：（1）表面態(tài)、表面電場(chǎng)效應(yīng)；（2）MIS結(jié)構(gòu)的CV特性；（3）表面電導(dǎo)及遷移率；9．半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)、光學(xué)性質(zhì)、光電、發(fā)光、熱電、磁和壓阻效應(yīng)、非晶態(tài)半導(dǎo)體：對(duì)這些概念的一般性了解。三、考試的題型名詞解釋、簡(jiǎn)答題、作圖題、計(jì)算題四、參考書(shū)目《半導(dǎo)體物理學(xué)》，劉恩科著，

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