【W(wǎng)ord版本下載可任意編輯】電動工具中七種高邊驅(qū)動方案分析在無繩電開工具應(yīng)用中，電池包的電壓通常為16V、20V、24V、40V、60V和80V，會使用機械開關(guān)控制驅(qū)動板供電，但是由于機械開關(guān)的特性，會存在開關(guān)火花、壽命、體積等缺點。

圖1：電開工具中機械開關(guān)應(yīng)用

在電開工具中，引入高邊驅(qū)動方案，除了防止傳統(tǒng)機械開關(guān)的固有缺點，同時具有可控強、導(dǎo)通時間可調(diào)整、支持多包并聯(lián)、短路保護、體積小等優(yōu)點。如圖2所示，高邊驅(qū)動IC會產(chǎn)生高出電池包12V的電壓，通過控制MOS的Gate電壓，可以控制主回路通斷。

圖2：電開工具中高邊驅(qū)動芯片方案

1.支持多包并聯(lián)的LM5050

LM5050是HighSideOringFETController，工作電壓支持1V–75V，ZD承受電壓支持100V。LM5050通過檢測VDS上電壓，控制VGS上電壓，實現(xiàn)理想二極管的功能。同時因為LM5050內(nèi)部已經(jīng)集成了電荷泵，供電電壓無需高于電池包電壓。在無繩電開工具中，可以通過多包并聯(lián)方式，提升整體的電池容量，也可以實現(xiàn)不同電壓等級電池包并聯(lián)。如圖3所示，通過電池包輸出串聯(lián)MOS的源級，經(jīng)由LM5050的控制，可以實現(xiàn)多個電池包并聯(lián)。

圖3：LM5050應(yīng)用多包并聯(lián)方案

2.支持高邊驅(qū)動的LM5060

LM5060是HighSideProtecTIonController，工作電壓支持5.5V-65V，支持過壓保護、欠壓保護和過流保護，可調(diào)整的開通時間，通過控制EN引腳電壓，可以開斷輸出。LM5060內(nèi)部集成了電荷泵，不需要額外供電，可以實現(xiàn)24uA門極充電電流和80mA的門極放電電流。LM5060的功耗較大，工作電流1.4mA，失能電流為9uA。

圖4：LM5060高邊驅(qū)動方案

3.支持HighSideBack-to-backMOS驅(qū)動的BQ76200

BQ76200是HighSideNFET驅(qū)動芯片，工作電壓8V–75V，ZG承受100V電壓，可以分別控制兩個Back-to-BackMOS。相比LM5060，BQ76200的工作電流為40uA，失能狀態(tài)下，內(nèi)部電荷泵模塊也會失能，靜態(tài)電流不超過10uA，更適合電池供電系統(tǒng)。同時，充電MOS和放電MOS可以分別獨立控制，靈活性更高。

圖5：支持充電/放電獨立控制的BQ76200

4.支持IdealDiode模式和輸出開斷模式的LM7480x

LM7480x是Back-to-BackNFET的驅(qū)動器，同時支持IdealDiode模式和輸出開斷控制，輸入電壓支持3V–65V，有-65V反向電壓承受能力，驅(qū)動開通電流20mA，驅(qū)動關(guān)斷電流2.6A，工作電流413uA，失能下靜態(tài)電流2.87uA。LM7480x即有LM5050的IdealDiode模式，也具備LM5060輸出開斷控制。

5.使用半橋驅(qū)動芯片實現(xiàn)高邊Back-to-BackNFET驅(qū)動

對于之前的驅(qū)動IC，電池電壓不超過80V，驅(qū)動電流也相對小，開關(guān)速度較慢。對于80V以上的Back-to-BackNFET驅(qū)動，可以考慮圖6的方案（ApplicaTIonReportSLUAA58）。如圖6所示，通過半橋驅(qū)動芯片，例如UCC27284，構(gòu)建電荷泵，把電荷泵電容電壓提升12V。通過上橋臂的邏輯電平，可以控制功率回路的通斷。同時，一般的半橋驅(qū)動IC的工作電流較大，工作電流達mA級別；失能條件下，靜態(tài)電流為7uA。從驅(qū)動能力上看，整體上取決于電荷泵電容和驅(qū)動電阻，在供電電壓12V，驅(qū)動電阻8.25?，電荷泵電容470nF等條件下，驅(qū)動電流為1.68A，開通關(guān)斷時間小于0.5us。

從母線電壓、功能、驅(qū)動能力、靜態(tài)電流等角度，給出以上5種方式的比照表格。

表1：5種高邊驅(qū)動方式的比照表格

LM5050

LM5060

BQ76200

LM7480x

CircuitinSLUAA58

FuncTIon

IdealDiodeController

HighSideProtecTIonController

HighSideBack-to-BackMOSDriver

IdealDiodeController,HighSideMOSdriver

HighSideBack-to-BackMOSDriver

BusVoltage

75V

65V

75V

65V

>100V

NormalModeCurrent

420uA

1.4mA

40uA

413uA

1.1mA

ShutDownModeCurrent

-

9uA

10uA

2.8uA

7uA

GateChargecurrent

30uA

24uA

10.9mA/3.4mA

20mA

Dependsoncharge-pumpc