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第三節(jié)自持放電條件－流注放電流注的形成過程流注的條件自持放電條件流注放電共10頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第1頁!前面湯遜放電理論所討論的是低氣壓、短氣隙的情況，但在高氣壓（101.3kPa或更高）、長氣隙的情況[pd>>26.66kPa(200mmHgcm]，湯遜理論將不適用。以自然界的雷電為例，它發(fā)生在兩塊雷云之間或雷云與大地之間，這時不存在金屬陰極，因而與陰極上的過程和二次電子發(fā)射根本無關。自持放電條件流注放電共10頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第2頁!氣體放電流注理論以實驗為基礎，它考慮了高氣壓、長氣隙情況下不容忽視的若干因素對氣體放電的影響，主要有以下兩方面：空間電荷對原有電場的影響空間光電離的作用自持放電條件流注放電共10頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第3頁!（二）空間光電離的作用湯遜理論沒有考慮放電本身所引發(fā)的空間光電離現(xiàn)象，而這一因素在高氣壓、長氣隙的擊穿過程中起著重要的作用?？紤]初始電子崩頭部成為輻射源，會向氣隙空間各處發(fā)射光子而引起光電離。自持放電條件流注放電共10頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第4頁!

這些電離強度和發(fā)展速度遠大于初始電子崩的二次電子崩不斷匯入初崩通道的過程稱為流注。自持放電條件流注放電共10頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第5頁!實驗研究所得出的常數(shù)值為：可見初崩頭部的電子數(shù)要達到108時，放電才能轉為自持，出現(xiàn)流注。自持放電條件流注放電共10頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第6頁!(一)空間電荷對原有電場的影響如圖所示：電子崩頭部聚集大部分正離子和全部電子，產生了電場畸變；在電場很小的區(qū)域，電子和離子濃度最大，有利于完成復合；強烈的復合輻射出許多光子，成為引發(fā)新的空間光電離輻射源。自持放電條件流注放電共10頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第7頁!如圖所示：如果這時產生的光子位于崩頭前方和崩尾附近的強場強區(qū)，則造成的二次電子崩將以更大的電離強度向陽極發(fā)展或匯入崩尾的正離子群中。自持放電條件流注放電共10頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第8頁!流注條件流注的特點是電離強度很大和傳播速度很快，出現(xiàn)流注后，放電便獲得獨立繼續(xù)發(fā)展的能力，而不再依賴外界電離因子的作用，可見這時出現(xiàn)流注的條件也就是自持放電的條件。流注時初崩頭部的空間電荷必須達到某一個臨界值。對均勻電場來說，自持放電條件為：自持放電條件流注放電共10頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第9頁!小結流注理論考慮了以下因素空間電荷對原有電場的影響空間光

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