品質(zhì)管理部檢驗(yàn)教程1、硅的化學(xué)符號(hào)為Si,元素周期表中，第三周期，第ⅣA族元素，原子序數(shù)14，原子量28，化合價(jià)為﹢4價(jià)和﹢2價(jià)。2、晶體結(jié)構(gòu)：金剛石結(jié)構(gòu)（正四面體），原子間以共價(jià)鍵結(jié)合。3、按晶體結(jié)構(gòu)分：單晶硅、多晶硅單晶硅：在晶體中，組成的原子按一定規(guī)則呈周期性排列。多晶硅：由許多不同方位的單晶組成。4、按導(dǎo)電類型劃分：N型、P型5、按硅的形狀劃分：粉狀、粒狀、塊狀、棒狀、片狀等。6、按應(yīng)用領(lǐng)域劃分：太陽能級(jí)、電子級(jí)、航天級(jí)

硅的基礎(chǔ)知識(shí)7、在自然界中沒有游離態(tài)的單質(zhì)硅，硅以化合物的形態(tài)存在。在地殼中硅含量很大，氧約占地殼的二分之一，硅約占四分之一（25.8%）。硅中主要非金屬雜質(zhì)有O、C、P、B等，主要金屬雜質(zhì)有Fe、Cu等，含量一般為百萬分之一、十億分之一、千億分之一。硅中沒有雜質(zhì)，一般是沒有用途的，但對(duì)雜質(zhì)含量有一定的要求。例如：①重金屬使反向電流增加，壽命下降。②氧的存在，好像引入了一定量的施主，叫熱施主。嚴(yán)重影響少子壽命，會(huì)經(jīng)常造成假壽命，因?yàn)檠跖c重金屬結(jié)合，在熱處理時(shí)，降低壽命。另外，也影響微晶、電阻率等重要指標(biāo)。③P、B決定材料的導(dǎo)電類型。一個(gè)企業(yè)的生產(chǎn)技術(shù)是企業(yè)的生命，而質(zhì)量同樣也是企業(yè)的生命。一個(gè)企業(yè)的好壞不單是企業(yè)利潤的多少，嚴(yán)格的質(zhì)量把關(guān)才是最關(guān)鍵的！試想，我們的產(chǎn)品投放市場后由于質(zhì)量問題無人問津，產(chǎn)品銷量上不去，你想這樣的企業(yè)還能生存下去多長時(shí)間呢？質(zhì)量管理不嚴(yán)，生產(chǎn)過程中有多少半成品由于質(zhì)量問題而報(bào)廢或者返修？質(zhì)量的把關(guān)是靠所有參與產(chǎn)品生產(chǎn)的員工及其管理生產(chǎn)和管理質(zhì)量的企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)共同做到。很多企業(yè)由于對(duì)質(zhì)量管理的理解不深，將質(zhì)量管理等同于質(zhì)量檢驗(yàn)，認(rèn)為質(zhì)量管理就是對(duì)已經(jīng)生產(chǎn)出來的產(chǎn)品進(jìn)行簡單的“質(zhì)量把關(guān)”及“不良品處理”。而忽視了質(zhì)量的事前控制與事中的過程控制，進(jìn)而使質(zhì)量管理人員疲于奔命，東邊“著火”就趕到東邊“救火”、“西邊洪水泛濫”就趕到西邊“抗洪”，哪里出現(xiàn)問題就哪里“搶險(xiǎn)”，最終偏離了質(zhì)量“管理”的方向。質(zhì)量管理的重要性一、硅錠檢驗(yàn)規(guī)格：840×840×（255-304）mm測量方法：1、核對(duì)硅錠的編號(hào)與記錄表單是否一致2、看硅錠的外觀是否光滑3、是否有粘鍋4、是否有缺陷5、用皮尺測量它的長、寬（不常測），用直尺測量它的高。單位為毫米，讀取數(shù)據(jù)為小數(shù)點(diǎn)后保留一位小數(shù)。6、用地秤測量它的重量。單位為千克，讀取數(shù)據(jù)小數(shù)點(diǎn)后保留一位小數(shù)。。測量工具：皮尺、地秤、直尺1、記錄：把測量好的數(shù)據(jù)填寫在相應(yīng)的檢驗(yàn)記錄表單上，記錄數(shù)據(jù)一定要書寫清楚。相應(yīng)的記錄表單為《硅錠檢驗(yàn)記錄表》。2、硅錠的檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)：外觀標(biāo)準(zhǔn)：硅錠光滑無粘鍋、無崩邊、無裂紋等。硅錠的外觀標(biāo)準(zhǔn)尺寸是840×840×（255-304）mm.1、目的是檢驗(yàn)鑄錠和切方過程中存在的工藝問題和操作的不規(guī)范對(duì)硅塊造成的內(nèi)部缺陷，滿足后序工藝的要求。2、測量工具：游標(biāo)卡尺、萬能角度尺、電子稱、紅外晶錠探傷儀、硅棒載流子壽命測試系統(tǒng)、金屬四探頭電阻率方阻測試儀、P/N導(dǎo)電類型鑒別儀(硅料綜合測試儀)。3、測量方法：①取料后先進(jìn)行編號(hào)的核對(duì)，要保證物、單一致。②外觀檢驗(yàn)：與送檢人員一起看硅塊的外觀是否有裂痕、缺角、崩邊等缺陷。如有使用游標(biāo)卡尺測量缺陷長度。二、硅塊檢驗(yàn)缺陷測量缺陷記錄：例如：實(shí)際長度為257mm,崩邊長度為5mm,則合格長度應(yīng)為252mm。（或記為257-5mm）③硅塊邊長長的測量量用游標(biāo)卡卡尺測量量硅塊的的長度、、四個(gè)邊邊的尺寸寸和對(duì)角角線的尺尺寸，用用萬能角角度尺測測量四個(gè)個(gè)側(cè)面的的直角度度，用電電子秤稱稱硅塊的的重量。。數(shù)據(jù)記錄錄：游標(biāo)標(biāo)卡尺（（精度0.02mm））測量硅硅棒的長長度，四四個(gè)個(gè)切面均均測得一一組數(shù)據(jù)據(jù)，取最最小值，，單位為為mm，，所得數(shù)數(shù)據(jù)小數(shù)數(shù)點(diǎn)后保保留一位位。對(duì)角角線長及及邊長尺尺寸，頭頭尾四處處均測得得一組數(shù)數(shù)據(jù)，取取與標(biāo)準(zhǔn)準(zhǔn)值誤差差最大的的數(shù)據(jù)，，單位為為mm，，所得數(shù)數(shù)據(jù)小數(shù)數(shù)點(diǎn)后保保留一位位。萬能能角度尺尺測量四四個(gè)側(cè)面面的直角角度，頭頭尾都需需測量，，共8處處，取與與標(biāo)準(zhǔn)值值誤差最最大的數(shù)數(shù)據(jù)，單單位為度度所得數(shù)數(shù)據(jù)小數(shù)數(shù)點(diǎn)后保保留一位位。用電電子臺(tái)秤秤稱取硅硅棒凈重重，單位位為kg,所所得數(shù)據(jù)據(jù)小數(shù)點(diǎn)點(diǎn)后保留留兩位。。④紅外晶晶錠探傷傷儀檢測測用紅外晶晶錠探傷傷儀檢測測硅塊內(nèi)內(nèi)部是否否有雜質(zhì)質(zhì)、陰影影、微晶晶、隱裂裂等缺陷陷，且硅硅塊的四四個(gè)側(cè)面面都需要要檢測。。用無水水乙醇將將硅塊的的一個(gè)側(cè)側(cè)面擦拭拭干凈，，再放入入測試儀儀器平臺(tái)臺(tái)上。較較黑的中中部陰影影大于5mm判判定切除除，切除除后有效效長度不不足80mm，，判定回回爐。確確認(rèn)硅塊塊內(nèi)部存存在缺陷陷后，觀觀察內(nèi)部部缺陷在在圖像監(jiān)監(jiān)控器上上的位置置，使用用記號(hào)筆筆在硅塊塊的表面面做好標(biāo)標(biāo)識(shí)，用用記號(hào)筆筆在黑影影陰影部部分的上上下邊緣緣畫標(biāo)識(shí)識(shí)線，上上下畫線線處要求求離陰影影部分2-3mm（注注：內(nèi)部部缺陷在在距硅塊塊頭部5mm內(nèi)內(nèi)，不需需要畫線線）。記錄數(shù)據(jù)據(jù)：對(duì)硅硅塊內(nèi)部部缺陷的的硅塊做做數(shù)據(jù)記記錄，填填寫在《硅塊檢驗(yàn)驗(yàn)記錄表表》上⑤少子壽壽命測試試硅棒載流流子壽命命測試系系統(tǒng)用硅棒載載流子壽壽命測試試系統(tǒng)測測試每個(gè)個(gè)硅塊的的少子壽壽命，用用無水乙乙醇將硅硅塊的一一個(gè)側(cè)面面擦拭干干凈，再再放入測測試儀器器平臺(tái)上上；放入入時(shí)，測測試的側(cè)側(cè)面朝上上，硅塊塊的頭部部放在測測試員的的左側(cè)，，使測試試儀從硅硅塊的頭頭部開始始測試。。要求頭頭部5㎜㎜以外的的硅塊中中部區(qū)域域的少子子壽命在在規(guī)定值值范圍內(nèi)內(nèi)，不符符合要求求的區(qū)域域要求標(biāo)標(biāo)識(shí)去除除。數(shù)據(jù)記錄錄：少子子壽命的的單位為為μm，所得數(shù)數(shù)據(jù)小數(shù)數(shù)點(diǎn)后保保留一位位。⑥電阻率率檢測金屬四探探頭電阻阻率方阻阻測試儀儀用金屬四四探頭電電阻率方方阻測試試儀檢測測每個(gè)硅硅塊的電電阻率，，測試方方法為從從硅塊的的側(cè)壁取取3個(gè)點(diǎn)點(diǎn)，由頭頭部向底底部測量量，選取取測試點(diǎn)點(diǎn)的方式式根據(jù)硅硅塊的長長度的百百分比進(jìn)進(jìn)行選定定，測試試點(diǎn)須在在硅塊側(cè)側(cè)面的中中部，即即邊寬中中心線20㎜內(nèi)內(nèi)。如果果出現(xiàn)超超出電阻阻率范圍圍的情況況，檢測測需要檢檢測四個(gè)個(gè)面，對(duì)對(duì)超出范范圍部分分畫線切切除，并并在隨工工單上注注明，跟跟蹤切片片后的電電阻率檢檢驗(yàn)情況況。數(shù)據(jù)記錄錄：單位位為Ω·cm，所得數(shù)數(shù)據(jù)小數(shù)數(shù)點(diǎn)后保保留一一位位。⑦導(dǎo)電類類型測試試硅料綜合合測試儀儀□用P/N導(dǎo)電電類型鑒鑒別儀或或P/N測試筆筆測試硅硅塊的導(dǎo)導(dǎo)電類型型（硅料料綜合測測試儀）），在每每個(gè)硅錠錠開方后后的25塊硅塊塊中抽取取5塊進(jìn)進(jìn)行檢測測。如果果出現(xiàn)不不合格，，則對(duì)該該硅錠開開方出的的所有硅硅塊進(jìn)行行全檢。?！鹾细竦牡膶?dǎo)電類類型是P型，如如出現(xiàn)N型硅塊塊，必須須做出標(biāo)標(biāo)識(shí)并另另行放置置。1、外觀觀標(biāo)準(zhǔn)：：崩邊、、裂痕、、缺角、、鋸縫、、線痕等等缺陷在在距硅塊塊頭部5㎜內(nèi)的的屬于合合格品。。2對(duì)角線線長的標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)值為為219.2××219.2mm,允允許誤差差為±0.5mm；四四邊邊長長尺寸的的標(biāo)準(zhǔn)值值為156.5×156.5mm,允許誤誤差為﹢﹢0.5mm，，切方方硅塊進(jìn)進(jìn)行全檢檢。3、直角角度為90°°，允許許誤差為為±0.5°°.4、導(dǎo)電電類型為為P型。。5、電阻阻率的合合格范圍圍為0.5~3Ω·cm（平平均1.5Ω··cm））硅塊塊的的檢檢驗(yàn)驗(yàn)標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)準(zhǔn)6、、少少子子壽壽命命的的合合格格范范圍圍為為≥≥2μμs7、、氧氧含含量量＜＜8××1017cm-38、、碳碳含含量量＜＜5××1017cm-39、、紅紅外外探探傷傷：：硅硅塊塊頭頭部部裂裂紋紋、、雜雜質(zhì)質(zhì)、、陰陰影影、、黑黑點(diǎn)點(diǎn)≤≤5㎜㎜，，中中部部無無裂裂紋紋、、雜雜質(zhì)質(zhì)、、黑黑點(diǎn)點(diǎn)、、陰陰影影、、微微晶晶。。如如果果中中部部陰陰影影＞＞5mm判判定定切切除除。。成品品硅硅塊塊是是指指磨磨面面、、倒倒角角后后的的硅硅塊塊，，各項(xiàng)項(xiàng)質(zhì)質(zhì)量量指指標(biāo)標(biāo)，，包包括括長長度度、、邊邊長長尺尺寸寸、、倒倒角角尺尺寸寸、、重重量量等等、、。。1、、取取料料后后先先進(jìn)進(jìn)行行編編號(hào)號(hào)的的核核對(duì)對(duì)，，要要保保證證物物、、單單一一致致。。2、、看看硅硅塊塊的的外外觀觀是是否否有有裂裂痕痕、、缺缺角角、、崩崩邊邊等等缺缺陷陷。。3、、用用游游標(biāo)標(biāo)卡卡尺尺測測量量硅硅塊塊四四個(gè)個(gè)邊邊的的尺尺寸寸，，用用電電子子秤秤稱稱成成品品硅硅塊塊的的重重量量。。4、、部部分分成成品品硅硅塊塊還還需需要要進(jìn)進(jìn)行行二二次次紅紅外外探探傷傷、、少少子子壽壽命命測測試試、、電電阻阻率率測測試試。。三、、成成品品硅硅塊塊檢檢測測把測測量量好好的的數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)填填寫寫在在相相應(yīng)應(yīng)的的檢檢驗(yàn)驗(yàn)記記錄錄表表單單上上，，記記錄錄數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)一一定定要要書書寫寫清清楚楚。。相相應(yīng)應(yīng)的的記記錄錄表表單單為為《《成成品品硅硅塊塊檢檢驗(yàn)驗(yàn)記記錄錄表表》》。。數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)取取值值方方法法與與硅硅塊塊檢檢驗(yàn)驗(yàn)數(shù)數(shù)據(jù)據(jù)取取值值方方法法相相同同。。記錄錄1、、表表面面質(zhì)質(zhì)量量：：硅硅塊塊表表面面應(yīng)應(yīng)無無裂裂痕痕、、無無崩崩邊邊，，無無其其它它缺缺陷陷。。2、、電電阻阻率率：：0.5ΩΩ.cm≤≤ρρ≤≤3ΩΩ.cm3、、少少子子壽壽命命：：≥≥2μμs3、、長長度度：：L≥≥80mm4、、尺尺寸寸要要求求：：邊邊長長156±±0.5mm5、、倒倒角角度度：：45°°±±5°°6、、倒倒角角尺尺寸寸：：1.2~1.5mm成品品硅硅塊塊的的檢檢驗(yàn)驗(yàn)標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)準(zhǔn)①用用量量具具檢檢測測硅硅棒棒時(shí)時(shí)必必須須小小心心謹(jǐn)謹(jǐn)慎慎，，用用力力要要輕輕，，避避免免量量具具磕磕碰碰硅硅棒棒，，而而使使硅硅棒棒損損耗耗。。②搬搬運(yùn)運(yùn)硅硅棒棒時(shí)時(shí)也也必必須須輕輕拿拿輕輕放放，，避避免免和和其其它它硬硬物物磕磕碰碰。。③物物、、單單不不一一致致時(shí)時(shí)及及時(shí)時(shí)跟跟生生產(chǎn)產(chǎn)部部門門人人員員進(jìn)進(jìn)行行溝溝通通。。④硅硅錠錠檢檢測測車車間間嚴(yán)嚴(yán)禁禁本本車車間間以以外外的的人人隨隨便便出出入入。。四、、注注意意事事項(xiàng)項(xiàng)□檢檢驗(yàn)驗(yàn)條條件件：：光光照照度度800lx日日光光燈燈下下；；潔潔凈凈水水平平的的判判檢檢操操作作臺(tái)臺(tái)面面上上；；□準(zhǔn)準(zhǔn)備備工工作作：：上上班班時(shí)時(shí)必必須須穿穿著著工工作作服服，，必必須須佩佩戴戴手手套套（（手手套套帶帶2層層，，第第一一層層為為棉棉布布手手套套，，第第二二層層為為PVC手手套套））、、口口罩罩、、凈凈化化帽帽。?！鯔z驗(yàn)工具：：電阻率測試試儀，少子壽壽命測試儀，，無接觸硅片片測試儀，線線痕深度測試試儀。□外觀檢驗(yàn)、、外形尺寸檢檢驗(yàn)、性能測測試、硅片包包裝五、硅片檢驗(yàn)驗(yàn)?zāi)康模涸谟跈z檢驗(yàn)硅片在切切片和清洗過過程中造成的的外觀缺陷。。檢驗(yàn)項(xiàng)目：破破片、孔洞、、裂紋、暗裂裂、缺口、缺缺角、崩邊、、臟片、線痕痕、臺(tái)階、翹翹曲度、彎曲曲度，微晶，，TTV、厚厚片、薄片①外觀及外形形尺寸檢驗(yàn)檢測四邊，挑挑選缺口、缺缺角、碎片、、崩邊、裂紋紋。將硅片展開：：整體檢查硅硅片邊緣線痕痕、崩邊、污污片情況況。破片：無法使使用孔洞裂紋、暗裂裂紋、裂痕：：延伸到晶片片表面，可能能貫穿，也可可能不貫穿整整個(gè)晶片厚度度的解理或裂裂痕。缺口缺口與缺角：：晶片邊緣呈呈現(xiàn)貫穿兩面面的局部破損損，稱為缺口口。缺角崩邊：晶片邊邊緣或表面未未貫穿晶片的的局部缺損區(qū)區(qū)域，當(dāng)崩邊邊在晶片邊緣緣產(chǎn)生時(shí)，其其尺寸由徑向向深度和周邊邊弦長給出。。油污多發(fā)生在在季節(jié)變換的的時(shí)期，溫度度變化較大的的環(huán)境中，所所以油污的產(chǎn)產(chǎn)生除了有些些公司使用的的切割液本身身存在的問題題外，大部分分都是生產(chǎn)過過程當(dāng)中的控控制問題了，，而這些問題題當(dāng)中最主要要的原因就是是硅片在去膠膠過程中沖洗洗不到位線痕分雜質(zhì)線線痕、劃傷型型線痕、密布布線痕、錯(cuò)位位線痕、邊緣緣線痕線痕□雜質(zhì)線痕：：由多晶硅錠錠內(nèi)雜質(zhì)引起起，在切片過過程中無法完完全去除，導(dǎo)導(dǎo)致硅片上產(chǎn)產(chǎn)生相關(guān)線痕痕。□表現(xiàn)形式：：（1）線痕痕上有可見黑黑點(diǎn)，即雜質(zhì)質(zhì)點(diǎn)。（2）無可見見雜質(zhì)黑點(diǎn)，，但相鄰兩硅硅片線痕成對(duì)對(duì)，即一片中中凹入，一片片凸起，并處處同一位置。。（3）以上兩兩種特征都有有。（4）一般情情況下，雜質(zhì)質(zhì)線痕比其它它線痕有較高高的線弓?！醺纳品椒ǎ海海?）改善善原材料或鑄鑄錠工藝，改改善IPQC檢測手段。。（2）改善切切片工藝，采采用粗砂、粗粗線、降低臺(tái)臺(tái)速、提高線線速等。□其它相關(guān)：：硅錠雜質(zhì)除除會(huì)產(chǎn)生雜質(zhì)質(zhì)線痕外，還還會(huì)導(dǎo)致切片片過程中出現(xiàn)現(xiàn)“切不動(dòng)””現(xiàn)象。如未未及時(shí)發(fā)現(xiàn)處處理，可導(dǎo)致致斷線而產(chǎn)生生更大的損失失。□劃傷線痕：：由砂漿中的的SIC大顆顆?；蛏皾{結(jié)結(jié)塊引起。切切割過程中，，SIC顆粒?！翱ā痹阡撲摼€與硅片之之間，無法溢溢出，造成線線痕?！醣憩F(xiàn)形式：：包括整條線線痕和半截線線痕，內(nèi)凹，，線痕發(fā)亮，，較其它線痕痕更加窄細(xì)。?！醺纳品椒ǎ海海?）針對(duì)對(duì)大顆粒SIC，加強(qiáng)IQC檢測；；使用部門對(duì)對(duì)同一批次SIC先進(jìn)行行試用，然后后再進(jìn)行正常常使用。（2）導(dǎo)致砂砂漿結(jié)塊的原原因有：砂漿漿攪拌時(shí)間不不夠；SIC水分含量超超標(biāo)，砂漿配配制前沒有進(jìn)進(jìn)行烘烤；PEG水分含含量超標(biāo)（重重量百分比<0.5%））；SIC成成分中游離C（<0.03%）以及及<2μm微微粉超標(biāo)?！跗渌嚓P(guān)：：SIC的特特性包括SIC含量、粒粒度、粒形、、硬度、韌性性等，各項(xiàng)性性能對(duì)于切片片都有很大的的影響?！趺懿季€痕（（密集型線痕痕）：由于砂砂漿的磨削能能力不夠或者者切片機(jī)砂漿漿回路系統(tǒng)問問題，造成硅硅片上出現(xiàn)密密集線痕區(qū)域域。□表現(xiàn)形式：：（1）硅片片整面密集線線痕。（2）硅片出出線口端半片片面積密集線線痕。（3）硅片部部分區(qū)域貫穿穿硅片密集線線痕。（4）部分不不規(guī)則區(qū)域密密集線痕。（5）硅塊頭頭部區(qū)域密布布線痕。□改善方法法：（1）硅硅片整面密集集線痕，原因因?yàn)樯皾{本身身切割能力嚴(yán)嚴(yán)重不足引起起，包括SIC顆粒度太太小、砂漿攪攪拌時(shí)間不夠夠、砂漿更換換量不夠等，，可針對(duì)性解解決。（2）硅片出出線口端半片片面積密集線線痕。原因?yàn)闉樯皾{切割能能力不夠，回回收砂漿易出出現(xiàn)此類情況況，通過改善善回收工藝解解決。（3）硅片部部分區(qū)域貫穿穿硅片密集線線痕。原因?yàn)闉榍衅瑱C(jī)臺(tái)臺(tái)內(nèi)砂漿循環(huán)環(huán)系統(tǒng)問題，，如砂漿噴嘴嘴堵塞。在清清洗時(shí)用美美工刀將噴嘴嘴內(nèi)贓物劃向向兩邊。（4））部分分不規(guī)規(guī)則區(qū)區(qū)域密密集線線痕。。原因因?yàn)槎喽嗑Ч韫桢V硬硬度不不均勻勻，部部分區(qū)區(qū)域硬硬度過過高。。改善善鑄錠錠工藝藝解決決此問問題。。（5））硅塊塊頭部部區(qū)域域密布布線痕痕。切切片機(jī)機(jī)內(nèi)引引流桿桿問題題?！蹂e(cuò)位位線痕痕：由由于切切片機(jī)機(jī)液壓壓夾緊緊裝置置表面面有砂砂漿等等異物物或者者托板板上有有殘余余膠水水，造造成液液壓裝裝置與與托板板不能能完全全夾緊緊，以以及托托板螺螺絲松松動(dòng)，，而產(chǎn)產(chǎn)生的的線痕痕。□改改善善方法法：規(guī)規(guī)范粘粘膠操操作，，加強(qiáng)強(qiáng)切片片前檢檢查工工作，，定期期清洗洗機(jī)床床。□邊緣緣線痕痕：由由于硅硅塊倒倒角處處余膠膠未清清理干干凈而而導(dǎo)致致的線線痕。?！醣肀憩F(xiàn)形形式：：一般般出現(xiàn)現(xiàn)在靠靠近粘粘膠面面一側(cè)側(cè)的倒倒角處處，貫貫穿整整片硅硅片。?！醺母纳品椒椒ǎ海阂?guī)范范粘膠膠操作作，加加強(qiáng)檢檢查和和監(jiān)督督。□線痕痕深度度測試試儀可可以對(duì)對(duì)硅片片進(jìn)行行線痕痕深度度的測測試。。臺(tái)階，，一般般頭尾尾片會(huì)會(huì)出現(xiàn)現(xiàn)臺(tái)階階片亮線，，粗糙糙度≤≤10μμm合格□臺(tái)階階的出出現(xiàn)，，是由由切片片過程程中的的鋼線線跳線線引起起，而而導(dǎo)致致鋼線線跳線線的原原因，，包括括設(shè)備備、工工藝、、物料料等各各方面面的問問題，，部分分如下下：□1、砂砂漿問問題：：砂漿內(nèi)內(nèi)含雜雜質(zhì)過過多，，沒有有經(jīng)過過充分分過濾濾，造造成鋼鋼線跳跳線。。□改善善方法法：規(guī)規(guī)范砂砂漿配配制、、更換換，延延長切切片的的熱機(jī)機(jī)時(shí)間間和次次數(shù)。?！?、硅硅塊雜雜質(zhì)問問題：：硅塊的的大顆顆粒雜雜質(zhì)會(huì)會(huì)引起起跳線線而產(chǎn)產(chǎn)生臺(tái)臺(tái)階。?！醺纳粕品椒ǚǎ焊母纳圃牧狭匣蜩T鑄錠工工藝，，改善善IPQC檢測測手段段?！?、線線、砂砂工藝藝匹配配問題題：鋼線、、砂漿漿型號(hào)號(hào)不匹匹配造造成切切片跳跳線，，此種種情況況很少少出現(xiàn)現(xiàn)翹曲度度：硅硅片中中心面面與基基準(zhǔn)面面最大大最小小距離離的差差距的的差值值彎曲度度：硅硅片中中心面面明顯顯凹凸凸變形形的一一種變變量。。微晶：：晶粒粒小于于2㎜2具有一一定分分布面面積分散型型微晶晶：大大晶粒粒上分分布的的具有有特定定“圈圈點(diǎn)””特征征的小小晶粒粒，亦亦稱分分布晶晶。微晶分布晶晶□硅片片厚度度和TTV用硅硅片厚厚度測測量儀儀檢測測，本本公司司硅片片的厚厚度定定為190±10μμm，，TTV≤≤20μm□TTV就是是指總總厚度度誤差差，是是指一一片硅硅片的的最厚厚和最最薄的的誤差差（標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)測測量是是取硅硅片5點(diǎn)厚厚度：：邊緣緣上下下左右右4點(diǎn)點(diǎn)和中中心點(diǎn)點(diǎn)）；；□電阻阻率的的測試試：電電阻率率是根根據(jù)情情況按按比例例用電電阻率率測試試儀進(jìn)進(jìn)行抽抽測。?！跎僮幼訅勖臏y測試：：少子子壽命命是根根據(jù)情情況按按比例例用少少子壽壽命測測試儀儀進(jìn)行行抽測測。少子壽壽命：：非平平衡載載流子子達(dá)到到平衡衡時(shí)所所需要要的平平均時(shí)時(shí)間。。電阻率率：用用來表表示各各種物物質(zhì)電電阻特特性的的物理理量。。②電性性能檢檢測非接觸觸式厚厚度測測量系系統(tǒng)硅片載載流子子壽命命測試試系統(tǒng)統(tǒng)硅片表表面線線痕深深度測測試儀儀□分類類后將將各種種不合合格硅硅片放放在相相應(yīng)的的硅片片盒內(nèi)內(nèi)，記記錄其其數(shù)據(jù)據(jù)，并并放在在指定定的位位置。?！跆顚憣懜鞣N種檢驗(yàn)驗(yàn)記錄錄表。。硅片屬屬于易易碎品品，為為防止止硅片片在運(yùn)運(yùn)輸過過程中中造成成破損損，所所以在在包裝裝過程程中先先加一一到兩兩層珍珍珠棉棉墊，，在用用硬紙紙板進(jìn)進(jìn)行加加固，，如有有必要要，對(duì)對(duì)包裝裝袋進(jìn)進(jìn)行收收縮，，這樣樣就能能更好好的保保護(hù)硅硅片。。③硅片片包裝裝100片放一一打一、外外觀：：合格品品：1、合合格A類，，外觀觀無明明顯缺缺陷；；①線痕痕深度度≤10μμm，，條數(shù)數(shù)不限限；線線痕深深度≤≤15μm，條條數(shù)≤≤5②崩邊邊：長長度≤≤1mm，，深度度≤0.3mm,崩崩邊數(shù)數(shù)≤2③微晶晶：微微晶面面積≤≤2cm22、合合格B類，，目視視無微微裂、、污跡跡、針針孔等等缺陷陷。①輕輕線：：有明明顯視視覺線線痕，，無明明顯手手感，，線痕痕小于于30??；②硅硅落：：邊緣緣材料料缺損損小于于0.5××0.5mm無無穿透透；③輕輕花花：：單單面面臟臟污污或或氧氧化化面面積積小小于于硅硅片片表表面面積積的的1/5，，無無明明顯顯色色差差；；④不不得得有有裂裂痕痕、、裂裂紋紋、、孔孔洞洞、、缺缺角角、、V形形（（銳銳形形））缺缺口口。。⑤TTV≤≤20μμm⑥線線痕痕深深度度≤≤30μμm，，條條數(shù)數(shù)不不限限⑦崩崩邊邊：：長長度度≤≤2mm，，深深度度≤≤0.3mm,3≤≤崩崩邊邊數(shù)數(shù)≤≤5長長度度≤≤1mm；；深深度度≤≤0.3mm,崩崩邊邊數(shù)數(shù)≤≤2⑧微微晶晶：：微微晶晶面面積積≤≤4cm23、、等等外外品品：：①、、花花片片：：單單面面臟臟污污或或氧氧化化面面積積小小于于硅硅片片表表面面積積的的1/5，，有有明明顯顯色色差差；；②、、崩崩邊邊：：單單面面邊邊緣緣材材料料缺缺損損直直徑徑大大于于10mm，，未未穿穿透透（（沒沒有有形形成成缺缺角角））；；③、、線線痕痕片片：：硅硅片片有有明明顯顯視視覺覺線線痕痕，，有有明明顯顯手手感感。。④、、彎彎曲曲度度＜＜75??（（檢檢測測方方法法：：晃晃動(dòng)動(dòng)有有明明顯顯震震動(dòng)動(dòng)聲聲音音））；；硅片片的的檢檢驗(yàn)驗(yàn)標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)準(zhǔn)4、、不不合合格格品品：：①嚴(yán)嚴(yán)花花：：單單面面臟臟污污或或氧氧化化面面積積大大于于硅硅片片表表面面積積的的1/2，，色色差差嚴(yán)嚴(yán)重重；；②嚴(yán)嚴(yán)重重線線痕痕片片：：硅硅片片單單面面有有超超過過2條條有有明明顯顯觸觸摸摸感感線線痕痕；；③缺缺角角：：四四角角缺缺一一角角，，其其余余三三角角完完好好，，分分類類：：1-5mm，，5-10mm，，﹥﹥10mm;④TTV：：中中心心、、周周邊邊4點(diǎn)點(diǎn)厚厚度度最最大大差差大大于于20??;⑤超超厚厚：：單單點(diǎn)點(diǎn)測測試試厚厚度度超超過過200??；；⑥超超溥溥：：單單點(diǎn)點(diǎn)測測試試厚厚度度低低于于180??；；⑦厚厚溥溥不不均均：：5點(diǎn)點(diǎn)測測試試厚厚度度max-min﹥﹥20??;⑧隱隱裂裂：：片片子子上上有有隱隱性性裂裂紋紋；；碎碎片片：：四四角角缺缺兩兩角角及及以以上上；；⑨翹曲片片：彎曲曲度＞0.1mm；⑩穿孔：：硅片表表面有穿穿透性孔孔洞。二、尺寸寸1、對(duì)角角線尺寸寸：219.2×219.2±0.5mm;2、邊長長：156×156±±0.5mm;3、厚度度：190±10?;4、總厚厚度變化化TTV：≤20?;5、角度度45±±5°三、性能能參數(shù)1、導(dǎo)電電型號(hào)：：P型2、電阻阻率范圍圍：0.5-3Ω.cm,3、少子子壽命：：＞2μμs4、氧含含量：＜＜8×1017cm-35、碳含含量：＜＜5×1017cm-3□檢驗(yàn)條條件：光光照度800lx日日光燈下下；潔凈凈水平的的判檢操操作臺(tái)面面上；□準(zhǔn)備工工作：上上班時(shí)必必須穿著著工作服服，必須須佩戴手手套（手手套帶2層，第第一層為為棉布手手套，第第二層為為PVC手套））、口罩罩、凈化化帽?！鯔z驗(yàn)方方法：距距離電池池20-30cm的距距離，目目視方