二極管的基礎(chǔ)知識(shí)部門：OEM/ODM制作人：谷春壘日期：2016-02-22摘要（Summary）：

※半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)知識(shí)

※二極體原理與應(yīng)用

※二極體分類與主要參數(shù)

※常見二極體芯片結(jié)構(gòu)與工藝流程

※半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)知識(shí)物質(zhì)按導(dǎo)電性能可劃分為：導(dǎo)體—一般為低價(jià)元素，如銅、鐵、鋁等金屬元素。導(dǎo)電率為105量綱級(jí)。導(dǎo)電能力強(qiáng)。

絕緣體

—一般為高價(jià)元素，如：橡膠、云母、塑料等。導(dǎo)電率為10-22~10-14

量綱級(jí)。導(dǎo)電能力弱。半導(dǎo)體—一般為四價(jià)元素，如：硅（Si）鍺（Ge）等。導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間。且導(dǎo)電能力隨條件變化。1.1半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體物質(zhì)特性：摻入雜質(zhì)則導(dǎo)電率顯著增加摻雜特性半導(dǎo)體器件溫度增加使導(dǎo)電率大為增加溫度特性熱敏器件光照不僅大為增加導(dǎo)電率還可產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)光照特性光敏器件、光電器件完全純凈、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體被稱為本征半導(dǎo)體。本征半導(dǎo)體在物理結(jié)構(gòu)上呈單晶體形態(tài)。（見左下圖）本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體：常用的本征半導(dǎo)體：硅（Si），鍺（Ge）本征半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)Si+14284Ge+3228184+4常見本征半導(dǎo)體的原子結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化模型+4+4+4+4+4+4+4+4+41.在T=0K，且無外部激發(fā)能量時(shí)：本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性:常見本征半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)平面示意圖本征半導(dǎo)體內(nèi)部沒有能夠自由移動(dòng)的帶電粒子，即載流子，此時(shí)本征半導(dǎo)體呈絕緣特性。+4+4+4+4+4+4+4+4+42.在有外部激發(fā)能量（如溫度升高，光照）時(shí)：掙脫原子核束縛的電子稱為自由電子，在本征激發(fā)下形成帶負(fù)電荷的載流子。留下的空位稱為空穴，成為帶正電荷的載流子。本征半導(dǎo)體的載流子在外加電場(chǎng)的作用下可定向移動(dòng)形成漂移電流。共價(jià)鍵內(nèi)的電子稱為束縛電子雜質(zhì)半導(dǎo)體N（電子）型半導(dǎo)體(摻入的五價(jià)元素如P、Se等)雜質(zhì)半導(dǎo)體P（空穴）型半導(dǎo)體(摻入的三價(jià)元素如B、Al、In等)摻入雜質(zhì)越多，導(dǎo)電性能越強(qiáng)(1)在PN結(jié)外加上正向電壓時(shí)：PN結(jié)正偏（P(+),N(-)）時(shí)，具有較大的正向擴(kuò)散電流，呈現(xiàn)低電阻，PN結(jié)導(dǎo)通。2.PN結(jié)的單向?qū)щ娦砸陨纤懻摰腜N結(jié)處于平衡狀態(tài)，稱為平衡PN結(jié)。如在PN結(jié)兩端外加不同方向電壓，就會(huì)破壞原平衡，呈現(xiàn)出單向?qū)щ娦浴?2)在PN結(jié)外加上反向電壓時(shí)：PN結(jié)反偏（P(-),N(+)）時(shí)，僅有很小的反向漂移電流，呈現(xiàn)高電阻，PN結(jié)截止。結(jié)論：

PN結(jié)加正向電壓，即正偏時(shí)，有較大的正向擴(kuò)散電流，此時(shí)PN結(jié)電阻小，處于導(dǎo)通狀態(tài)，此時(shí)的正向電流隨著PN結(jié)兩端的電壓增大而增大；PN結(jié)加反向電壓，即反偏時(shí)，只有很小的，不隨PN結(jié)兩端電壓變化的反向飽和電流，此時(shí)PN結(jié)電阻大，處于截止?fàn)顟B(tài)。即PN結(jié)具有單向?qū)щ娦阅堋?/p>

二極管：一個(gè)PN結(jié)就是一個(gè)二極管。單向?qū)щ姡憾O管正極接電源正極，負(fù)極接電源負(fù)極時(shí)電流可以通過。反之電流不能通過。符號(hào)：※二極體原理與應(yīng)用15二極體的實(shí)際特性116二極體的實(shí)際特性217二極體在切換式電源上的應(yīng)用※二極體分類與主要參數(shù)

在PN結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個(gè)二極管。二極管按結(jié)構(gòu)分有點(diǎn)接觸型、面接觸型和平面型三大類。GPP芯片基本結(jié)構(gòu)鎳、金Glass鎳、金SIPOS※常見二極體芯片結(jié)構(gòu)與工藝流程Schottky芯片基本結(jié)構(gòu)Mo、Pt、TiNi、AgNi、AgTVS芯片結(jié)構(gòu)(Mesa)PNi、Au氧化物GlassN+NP+Ni、AuP氧化物Ni、AuGlassN+NNN+氧化物Ni、AuGlass單向雙向ZENER\TVS芯片結(jié)構(gòu)(Planar)PTi、Ni、Ag（Au）氧化物Ti、Ni、