REVIEWforSept.布里等能原子能級與2012元素固體的能帶結(jié)構(gòu)與導(dǎo)電性(續(xù)4低溫下是絕緣體，而室溫下是半導(dǎo)5不同晶體具5不同晶體具有不同帶結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致導(dǎo)體、體、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性的禁帶寬度NaCl晶體中Na+3s電子Cl3p軌道中1.4.2金屬一些

堿金屬的壓縮系數(shù)比過渡族金屬的結(jié)合能2012堿金 堿金屬代表：K、Na 貴金屬代表：Cu、Ag、Au堿金屬與貴金屬的共同點：最外層電子結(jié)構(gòu)為ns1堿金屬與貴金屬的不同堿金屬沒有充滿電d帶，d帶是空的；貴金屬有充滿電d帶，不容許外來電子再填充進(jìn)去。對于貴金屬原子兩個充滿的3d殼層相互靠近時，要產(chǎn)生很大的排斥力。因此，K、Na等金屬的壓縮系2012

金屬Cu、Ag、Au的結(jié)2012過渡族與貴金屬的d殼層s殼層ds價電子所處殼層半徑小 較少，而s價電子的較多。2012過渡族與貴金屬的能帶結(jié)構(gòu)(續(xù)s帶特點：很寬，能量上 3d4s帶有交疊，電子在填充能3d4s電。

2012Ni3d4s電子數(shù)共10個，3d帶沒填滿，4s帶和3d帶的交疊部分填Cu3d4s電4s帶到半滿，能量高3d帶很多。20121.4.3理解正霍爾系數(shù)的意

自由電子有確定的質(zhì)量。把電子視為準(zhǔn)經(jīng)典粒子，當(dāng)它被電場加速時，服從力學(xué)那么，電子在晶體中被電場加速時將會怎2012正霍爾系數(shù)的的速度為群速度，即所謂合成波的速度，以

1 h

將vg對時間微分，得加a

1d2E

hdk

2012正霍爾系數(shù)的設(shè)電子受到電場強(qiáng)度ε的作用，作用力為

。根 第二定

em*m*e

h(d2E)1e(dt 1d2E dk hdk2在dt時間內(nèi)，電子運動的距離為υgdt，電場dEevdte1dE

he h h2ddk2)1

有效 2012有效正霍爾系數(shù)的

把方

dmh2 d

推廣到三維時，則在x、yz方向上電子有效質(zhì)量的表達(dá)式分別為2E

22E

2Em*h2

myh 2

m*h2 k

ky

k x

z有效質(zhì)量在不同方向上可以完全不2012有效質(zhì)量的物k的關(guān)系。設(shè)電子處于k＝0的狀態(tài)。較高的k值，并變得愈來

在k在

時達(dá)到無限高的k值，有效質(zhì)量成2012有效質(zhì)量的物2當(dāng)電子接近一能帶頂部時dEdk的，故m*為負(fù)|m*|，相當(dāng)于滿帶的頂部電子而形成的空穴空穴概念解釋了為什么有的金體的霍爾系數(shù)是正值

2012晶體能帶理論的其它

使設(shè)計具有新型功能的材料成為可能

2012

費米—索末菲自由電子理論、費米—狄拉克分布能隙)能帶與原子能級能帶理論的初步2012的電

本章半導(dǎo)體、超導(dǎo)體的導(dǎo)2012引利用遷移數(shù)tx或輸運數(shù)：表征材料導(dǎo)2012 xT xT遷移σT：各種載流子輸運電荷形成的總σx：各種載流子輸運電荷的tx：表示某種載流子輸運電荷占全部電導(dǎo)率的分。其中，tx

ti,ti,th,ti0.99時，離子ti<0.99時，混合導(dǎo) 2012

E，其比σ即為電導(dǎo)率JJ工程中，也用相對電導(dǎo)率表征材料的導(dǎo)℃00722/mRl 電阻率表征材料導(dǎo)電性能的重電阻率與電導(dǎo)率的關(guān)系

201201z8109-材料的導(dǎo)電率

性能以及受的不同程度可分為三類012z8109-電子類載

金屬導(dǎo)電電阻率與溫度的冷加工和缺陷對電阻率的2.2.7固溶體的電2012金屬導(dǎo)電

經(jīng)典自由電子理論:假設(shè)所有自由電子均對電導(dǎo)率做出貢m：電子質(zhì)量；v：電子平均運動F子密度。e：電子電F量子自由電子理只有在費米面附近能級的電子才對導(dǎo)電做nne2Fm2012產(chǎn)生電阻的

2012影響電阻或散

2012影響電阻或散射的因素(續(xù)

令1l為散射系數(shù)，并以表示。則

mF F

根據(jù)上述分析，散射系數(shù)由兩部分組成TT與溫度成□與雜質(zhì)濃度成正比，但與溫度無

2012

L(T高溫時，L(T)項起主導(dǎo)作用低溫時，

(2.92012金屬剩余電

金屬剩余電阻率定剩余電阻率就0K時，金屬仍保留的某一極金屬剩余電阻率應(yīng)做為衡量金屬純度與缺陷的重要指2012t0(1 (2.9 at0(1 2012 TT不同溫TT極低溫度時

T電子-電子散 D

T電子-聲子(離子)散T3

201201z8109-鐵磁金屬的電阻與一般純金屬的電阻溫度系數(shù)～4×10-3渡族金屬，特別是鐵磁性金屬具有較高的 Fe:6×10-3，Co:6.6×10-3，Ni:6.2×10-，鐵磁材料的電阻率反常降低量與其自發(fā)磁Ms平方成鐵磁性金屬內(nèi)ds殼層電子云的相互作2012 金屬熔化時電熔化時電阻反屬鍵結(jié)合使電阻率下降(Sb)。2012電阻率與在流體靜壓下，金屬的電阻率可表p 0(1

(2.130：真空條件下的電阻p：壓：壓力系數(shù)(-10-5～10-1d 2012壓力對電阻率根據(jù)壓力對金屬導(dǎo)電性的影響特性正常金屬：隨壓力增大，金屬電阻率下反常金屬：隨壓力增大，金屬電阻率增堿金屬、稀土金 2012冷加工對電阻率的影

冷加工一般引起金屬電阻率增加，這是因低溫時常用電阻法研究金屬的冷加2012剩余電阻率與冷加工程度根據(jù)馬西森定律，冷加工金屬的電阻mm：與溫度有關(guān)的退火金屬電：剩余電與溫度無關(guān)，所以T與冷加工程度無關(guān)m 比值隨溫度降低冷加工的金屬在任何溫度下都保留有高率；(VanBeuren表達(dá)電阻率增加值隨ε的變化

(2.16有關(guān)適于許多面心立方金屬和體心立方的過

2012退火后電阻的

v

2012空位、間隙原子以及它們的組晶體缺陷使金屬電阻率增加，根據(jù)馬西森2012AeE/E：空位形成能；T：淬火溫度；A：常2012缺陷對電阻率的影響-空位的影

實驗表明，點缺陷引起的剩余電阻率遠(yuǎn)比線缺陷的影響大?？瘴缓烷g隙原子對剩余電阻率的影響和金屬雜質(zhì)原子的影似，其影響大小為同一數(shù)量級2012缺陷對電阻率的影響-位錯的影大多數(shù)金屬，當(dāng)形變量不大時，位錯引起的電阻率變化d與位錯密度Nd之間呈線性關(guān)系。當(dāng)退火溫度接近再結(jié)晶溫度時，位錯對電阻率的影響可忽

20122.2.7固溶體的

(K狀態(tài)電阻2012形成固溶體時，合金導(dǎo)電性發(fā)生畸變，破壞了晶格勢場的周期性，2012組元成份對固溶體電阻率的

在連續(xù)固溶體中合金成份距組鐵磁性金屬組成的固溶體不同，其最大在50%原子2012低濃度固溶

0

0：固溶體溶劑組元的電：剩余電阻C：雜質(zhì)原子含：1%原子雜質(zhì)引起的附加電阻溶質(zhì)金屬所引起的電阻率增加，由溶劑數(shù)決定，價數(shù)差越大電阻率增加越大 2012諾伯里-林德(Norbury-lide)

ab(Z ΔZ：低濃度合金溶質(zhì)和溶劑間的價2012馬西森定律目前已有不少低濃度固溶體偏差馬西森定0Δ：偏離馬西森定律相互作2012有序合金合金有序化對其電阻率的影響有兩種競2012合金有序化