標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 11094-1989 水平法砷化鎵單晶及切割片》是一項(xiàng)中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，發(fā)布于1989年，旨在規(guī)定水平生長(zhǎng)法制備的砷化鎵（GaAs）單晶及其切割片的質(zhì)量要求、測(cè)試方法和檢驗(yàn)規(guī)則。以下是該標(biāo)準(zhǔn)的主要內(nèi)容概述：

1. 范圍：本標(biāo)準(zhǔn)適用于采用水平法生長(zhǎng)技術(shù)制備的砷化鎵單晶及其切割片，明確了這些材料的適用范圍和基本要求。

2. 術(shù)語(yǔ)和定義：標(biāo)準(zhǔn)首先界定了相關(guān)專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)，確保讀者對(duì)砷化鎵單晶及切割片的基本概念有清晰理解。

3. 分類(lèi)和標(biāo)記：規(guī)定了砷化鎵單晶及切割片的分類(lèi)方法，包括按純度、尺寸、用途等進(jìn)行區(qū)分，并要求產(chǎn)品應(yīng)有明確的標(biāo)識(shí)信息，以便于追溯和使用。

4. 技術(shù)要求：

   • 化學(xué)成分：詳細(xì)說(shuō)明了砷化鎵單晶中主元素及雜質(zhì)元素的最大允許含量，確保材料的電學(xué)和光學(xué)性能。
   • 物理性質(zhì)：包括晶體結(jié)構(gòu)、電阻率、載流子濃度、晶向、直徑、厚度等參數(shù)的規(guī)范要求。
   • 表面質(zhì)量與缺陷：規(guī)定了單晶表面應(yīng)達(dá)到的光潔度標(biāo)準(zhǔn)，以及內(nèi)部缺陷如位錯(cuò)、夾雜物的允許程度。

5. 試驗(yàn)方法：詳細(xì)描述了如何通過(guò)各種檢測(cè)手段（如X射線衍射、掃描電子顯微鏡、霍爾效應(yīng)測(cè)量等）來(lái)測(cè)定砷化鎵單晶及切割片的上述各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)，確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。

6. 檢驗(yàn)規(guī)則：制定了產(chǎn)品出廠前的檢驗(yàn)流程、抽樣方案及合格判定準(zhǔn)則，確保每批產(chǎn)品的質(zhì)量符合標(biāo)準(zhǔn)要求。

7. 標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存：規(guī)定了砷化鎵單晶及切割片的包裝方式、標(biāo)志內(nèi)容、運(yùn)輸注意事項(xiàng)及適宜的儲(chǔ)存條件，以防止在流轉(zhuǎn)過(guò)程中受到損害。

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