犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標(biāo)準

犌犅／犜１３３８７—２００９

代替ＧＢ／Ｔ１３３８７—１９９２

硅及其他電子材料晶片

參考面長度測量方法

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２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標(biāo)準化管理委員會

書

犌犅／犜１３３８７—２００９

前言

本標(biāo)準修改采用ＳＥＭＩＭＦ６７１０７０５《硅及其他電子材料晶片參考面長度測試方法》。

本標(biāo)準與ＳＥＭＩＭＦ６７１０７０５相比主要有如下變化：

———標(biāo)準編寫格式按ＧＢ／Ｔ１．１要求進行編寫；

———增加了前言內(nèi)容。

本標(biāo)準代替ＧＢ／Ｔ１３３８７—１９９２《電子材料晶片參考面長度測試方法》。

本標(biāo)準與ＧＢ／Ｔ１３３８７—１９９２相比主要有如下變化：

———細化了測量范圍的內(nèi)容，如該方法中涉及的公英制單位等；

———增加了該方法的局限性內(nèi)容；

———增加了部分術(shù)語，定義了測量中用到的偏移；

———增加了引用標(biāo)準；

———將原標(biāo)準中的試樣改為抽樣章節(jié)；

———將校準和測量分為兩章分別敘述；

———精密度采用了ＳＥＭＩＭＦ６７１０７０５中多個實驗室間的評價，并附有較詳細的說明。

本標(biāo)準由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準化技術(shù)委員會提出。

本標(biāo)準由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。

本標(biāo)準起草單位：有研半導(dǎo)體材料股份有限公司。

本標(biāo)準主要起草人：杜娟、孫燕、盧立延。

本標(biāo)準所代替標(biāo)準的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１３３８７—１９９２。

Ⅰ

書

犌犅／犜１３３８７—２００９

硅及其他電子材料晶片

參考面長度測量方法

１目的

１．１基準面長度對于半導(dǎo)體加工過程中使用材料的適應(yīng)性是一項重要的參數(shù)。

１．２晶片自動操作設(shè)備被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造業(yè)中，它們是通過晶片主參考面識別和定位獲得正確

的對準。

２范圍

２．１本標(biāo)準涵蓋了對晶片邊緣平直部分長度的確認方法。

２．２本標(biāo)準用于標(biāo)稱圓形晶片邊緣平直部分長度小于等于６５ｍｍ的電學(xué)材料。本標(biāo)準僅對硅片精度

進行確認，預(yù)期精度不因材料而改變。

２．３本標(biāo)準適用于仲裁測量，當(dāng)規(guī)定的限度要求高于用尺子和肉眼檢測能夠獲得的精度時，本標(biāo)準也

可用于常規(guī)驗收測量。

２．４本標(biāo)準與表面光潔度無關(guān)。

２．５任何直徑的晶片，包括７６．２ｍｍ和更小直徑的晶片，參考面長度單位應(yīng)該使用公制為計量單位，

而英制單位的數(shù)值僅供參考。

２．６本標(biāo)準不涉及安全問題，即使有也與標(biāo)準的使用相聯(lián)系。標(biāo)準使用前，建立合適的安全和保障措

施以及確定規(guī)章制度的應(yīng)用范圍是標(biāo)準使用者的責(zé)任。

３局限性

３．１切片后的一些工序如倒角和化學(xué)腐蝕都有可能降低參考面區(qū)域邊緣部分的清晰度。

３．２測微計測量時旋轉(zhuǎn)螺桿的倒退可能導(dǎo)致錯誤的讀數(shù)。

３．３測量期間樣品在投影儀顯示屏上圖像聚焦不清晰可能引入誤差。

３．４投影儀的光學(xué)系統(tǒng)有時可能存在圖像反轉(zhuǎn)功能，導(dǎo)致呈現(xiàn)的圖像與本標(biāo)準所述狀態(tài)相反。

４規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準的引用而成為本標(biāo)準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準，然而，鼓勵根據(jù)本標(biāo)準達成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準。

ＧＢ／Ｔ２８２８．１計數(shù)抽樣檢驗程序第１部分：按接收質(zhì)量限（ＡＱＬ）檢索的逐批檢驗抽樣計劃