ICS29045

H80.

中華人民共和國國家標準

GB/T13389—2014

代替

GB/T13389—1992

摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與

摻雜劑濃度換算規(guī)程

Practiceforconversionbetweenresistivitanddoantdensitforboron-doed

ypyp,

hoshorus-doedandarsenic-doedsilicon

ppp,p

2014-12-31發(fā)布2015-09-01實施

中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T13389—2014

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程參照

GB/T13389—1992《》,SEMI

摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程對進行修訂

MF723-0307《》GB/T13389—1992。

本標準與相比主要有以下變化

GB/T13389—1992,:

增加了公式即砷的摻雜劑濃度換算電阻率摻硼硅單晶電阻率換算空穴濃度和

———(5)、(6)、(7),、

摻磷硅單晶電阻率換算電子濃度的公式以及相應的適用范圍

;

由于所有公式都是經驗公式或是試驗結果因此本標準中給出了公式的試驗依據以便于使用

———,

者更好地了解和使用這些換算規(guī)程

;

增加干擾因素見第章

———(6);

增加了附錄和參考文獻

———。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會和全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位有研半導體材料股份有限公司四川新光硅業(yè)科技有限責任公司中國計量科學

:、、

研究院浙江省硅材料質量檢驗中心杭州海納半導體有限公司浙江金瑞泓科技股份有限公司西安隆

、、、、

基硅材料股份有限公司

。

本標準主要起草人孫燕梁洪高英樓春蘭張靜王飛堯曹孜何良恩張海英張群社

:、、、、、、、、、。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T13389—1992。

Ⅰ

GB/T13389—2014

摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與

摻雜劑濃度換算規(guī)程

1范圍

本標準規(guī)定了摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度之間的換算關系該換算關系也適用于

、、,

摻銻硅單晶還可擴展至硅中激活能與硼磷相似的其他摻雜劑

,、。

本標準適用于摻硼濃度14-320-3摻磷濃度13-320-3摻砷濃

10cm~1×10cm,3×10cm~1×10cm,

度19-320-3對摻硼摻磷的硅單晶摻雜劑濃度可擴展到12-3

10cm~6×10cm。、10cm。

本標準也可用于在下從硅單晶電阻率到載流子濃度的換算但不包括對砷摻雜劑的載流子濃

23℃,

度換算或任何其他載流子濃度的換算

,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注明日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測定方法

GB/T1551

非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數測量方法

GB/T4326

半導體材料術語

GB/T14264

3術語和定義

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

自相容性誤差theself-consistencyerrors

電阻率與摻雜劑濃度之間的換算公式或表格是以其中一個為變量擬合實驗數據推導出另一個變

,,

量當使用不同的變量時會產生兩個互為補充的公式例如公式和公式和由于這些公

,,(1)(2),(3)(4)。

式在數學上并不完全等價因此在使用由此推導出來的公式或表格時將產生微小的差異該差異稱為自

,,

相容性誤差

。

4方法提要

電阻率與摻雜劑濃度之間的相互換算是基于摻硼摻磷硅單晶中兩者間的綜合經驗數據得到的并

、,

將其擴展到硅中具有相似激活能的其他摻雜劑根據相同的方法也給出了電阻率與載流子濃度的換算

,

關系本標準中將該換算關系表示為公式曲線以及表格的形式應用時請?zhí)貏e注意不同公式的適用范

。、