標準解讀

《GB/T 14847-1993》是一項中華人民共和國國家標準，全稱為《重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法》。該標準詳細規(guī)定了如何利用紅外反射技術來測定在重摻雜硅基板上生長的輕摻雜硅外延層的厚度，旨在為半導體工業(yè)中的材料分析和質(zhì)量控制提供一種精確、可靠的測量手段。

標準內(nèi)容概覽

  1. 范圍：明確了本標準適用的范圍，即適用于評估那些在高濃度摻雜的硅襯底上形成的低濃度摻雜硅外延層的厚度。這種結構常見于特定的微電子器件和集成電路制造過程中。

  2. 引用標準：列出了實施本測量方法所需遵循的其他相關國家標準或國際標準，確保測量過程的一致性和可比性。

  3. 術語和定義：對涉及的專業(yè)術語進行了解釋，幫助讀者理解如“重摻雜”、“輕摻雜”、“外延層”、“紅外反射”等關鍵概念。

  4. 原理：闡述了紅外反射測量的基本物理原理，即不同材質(zhì)和厚度的半導體層對紅外光的反射特性存在差異，通過分析反射光譜可以反推出外延層的厚度。

  5. 儀器與設備：詳細描述了進行測量所需的儀器類型、規(guī)格及校準要求，確保測量結果的準確性和重復性。

  6. 樣品制備與處理：說明了樣品的選取、切割、清洗以及必要的預處理步驟，以保證測量不受外來因素干擾。

  7. 測量步驟：給出了詳細的測量操作流程，包括如何設置實驗參數(shù)、進行反射率測試、數(shù)據(jù)采集與處理等具體指導。

  8. 數(shù)據(jù)處理與分析：介紹了如何根據(jù)收集到的紅外反射數(shù)據(jù)，運用特定的計算方法或模型來確定外延層的厚度，可能涉及光譜擬合、對比標準曲線等方法。

  9. 精度與誤差：討論了測量過程中可能出現(xiàn)的誤差來源及其對結果的影響，并提供了評估測量不確定度的方法。

  10. 試驗報告：規(guī)定了試驗報告應包含的信息內(nèi)容，如樣品信息、測試條件、測量結果及不確定性評估等，以確保結果的透明度和可追溯性。

實施意義

本標準為半導體行業(yè)提供了一種標準化的方法學，有助于提高不同實驗室間測量結果的一致性和互認性，對于優(yōu)化半導體器件設計、提升生產(chǎn)效率及產(chǎn)品質(zhì)量控制具有重要價值。它不僅促進了技術交流，也為新材料和工藝的研發(fā)奠定了基礎。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 14847-2010
  • 1993-12-24 頒布
  • 1994-09-01 實施
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UDC669.782：535.39-15王21中華人民共和國國家標準GB/T14847-93重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法TestmethodforthicknessofJightlydopedsiliconepitaxiallayersonheavilydopedsiliconsubstratesbyinfraredreflectance1993-12-24發(fā)布1994-09-01實施國家技術監(jiān)督局發(fā)布

(京)新登字023號中華人民共和國國家標準重接雜襯底上輕接雜硅外延層厚度的紅紅外反射測量方法GB/T14847-93中國標準出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復興門外三里河北街16號郵政編碼：100045htp://電話：63787337、637874471994年7月第一版2004年12月電子版制作書號：155066·1-10796版權專有侵權必究舉報電話：（010）68533533

中華人民共和國國家標準重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層GB/T14847-93厚度的紅外反射測量方法Testmethodforthicknessoflightlydopedsiliconepitaxiallayersonheavilydopedsiliconsubstratesbyinfraredreflectance主題內(nèi)客與適用范圍本標準規(guī)定了取摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法。本標準適用于襯底室溫電阻率小于0.02·cm和外延層室溫電阻率大于0.1Q·cm且外延層厚度大于2Pm的硅外延層厚度的測量。2引用標準側試方法的精密度GB6379、通過實驗室間試驗確定標準測試方法的重復性和再現(xiàn)性方法原理村底和外延層光學常數(shù)的差異導致試樣反射光譜出現(xiàn)連續(xù)極大極小光學干涉現(xiàn)象，根據(jù)極值波長、外延層與襯底光學常數(shù)和入射角計算外延層厚度。4測量儀器4.1紅外光譜儀4.1.1村里葉變換紅外光譜儀或雙光束紅外分光光度計。4.1.2被長范圍2～60rm.本法常用波長范圍為6～25mm。4.1.3被長重復性不大于0.05mn.4.1.4波長精度為士0.05m。4.2儀器附件4.2.1和儀器相匹配的反射附件,入射角不大于30°。4.2.2掩模由非反射材料制成，透光孔徑不大于8mm.5試樣要求5.1襯底和外延層導電類型及襯底電阻率應是已知的。5.2試樣應具有良好的光學表面以保證高的反射率，不應有大面積的鈍化層.5.3正常工藝沉積

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