ICS77040

H17.

中華人民共和國國家標準

GB/T17170—2015

代替

GB/T17170—1997

半絕緣砷化鎵單晶深施主EL2

濃度紅外吸收測試方法

TestmethodfortheEL2deepdonorconcentrationinsemi-insulating

galliumarsenidesinglecrystalsbyinfraredabsorptionspectroscopy

2015-12-10發(fā)布2016-07-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

中華人民共和國

國家標準

半絕緣砷化鎵單晶深施主EL2

濃度紅外吸收測試方法

GB/T17170—2015

*

中國標準出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務熱線

:400-168-0010

年月第一版

201511

*

書號

:155066·1-52428

版權專有侵權必究

GB/T17170—2015

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替非摻雜半絕緣砷化鎵單晶深能級濃度紅外吸收測試方法

GB/T17170—1997《EL2》。

本標準與相比主要有以下變化

GB/T17170—1997,:

修改了標準名稱

———;

增加了規(guī)范性引用文件術語和定義干擾因素和測試環(huán)境等章

———“”“”“”“”;

擴展了半絕緣砷化鎵單晶電阻率范圍將電阻率大于7修改為大于6

———,10Ω·cm10Ω·cm;

將范圍由非摻雜半絕緣砷化鎵單晶修改為非摻雜和碳摻雜半絕緣砷化鎵單晶

———“”“”;

刪除了厚度測試樣品的解理制樣方法

———0.4mm~2mm。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位信息產(chǎn)業(yè)專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心天津市環(huán)歐半導體材料技術有限公司

:、、

中國電子材料行業(yè)協(xié)會

。

本標準主要起草人何秀坤李靜張雪囡

:、、。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T17170—1997。

Ⅰ

GB/T17170—2015

半絕緣砷化鎵單晶深施主EL2

濃度紅外吸收測試方法

1范圍

本標準規(guī)定了半絕緣砷化鎵單晶深施主濃度的紅外吸收測試方法

EL2。

本標準適用于電阻率大于6的非摻雜和碳摻雜半絕緣砷化鎵單晶深施主濃度的

10Ω·cmEL2

測定

。

本標準不適用于摻鉻半絕緣砷化鎵單晶深施主濃度的測定

EL2。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導體材料術語

GB/T14264

3術語和定義

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

EL2濃度EL2concentration

砷化鎵單晶中的一種本征缺陷在砷化鎵單晶體內(nèi)的濃度

EL2()。

4方法提要

半絕緣砷化鎵單晶中深施主的紅外吸收系數(shù)α與濃度具有對應關系測量

EL2EL2,1.0972μm

處的紅外吸收系數(shù)并由經(jīng)驗校準公式可計算濃度紅外吸收系數(shù)α與濃度的關系參見

EL2。EL2

附錄

A。

5干擾因素

51雜散光到達檢測器將導致濃度測試結果出現(xiàn)偏差

.,EL2。

52測試樣品的測試面積應大于光闌孔徑否則可能導致錯誤的測試結果

.,。

6儀器

61分光光度計