標準解讀

《GB/T 4058-1995 硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法》與之前的標準《GB 4058-1983》、《GB 6622-1986》以及《GB 6623-1986》相比，在內(nèi)容上進行了多方面的更新和改進。這些變化主要體現(xiàn)在以下幾個方面：

首先，《GB/T 4058-1995》標準更加專注于硅拋光片在特定條件下通過熱氧化處理后產(chǎn)生缺陷的檢測技術，明確了具體的測試條件如溫度、時間等參數(shù)設置，這與早期版本相比有了更明確的規(guī)定。

其次，對于樣品準備及處理過程，《GB/T 4058-1995》提供了更為詳細的指導，包括但不限于清洗程序、裝載方式等，以確保實驗結果的一致性和可重復性。

此外，《GB/T 4058-1995》還增加了關于如何使用光學顯微鏡或電子掃描顯微鏡來觀察并記錄氧化層內(nèi)出現(xiàn)的各種類型缺陷的具體步驟，并且對不同類型缺陷（如堆垛層錯、位錯環(huán)等）給出了定義及其特征描述，使得缺陷識別更加準確可靠。

最后，該標準也修訂了部分術語定義，使之與其他相關國家標準保持一致；同時，對于報告編寫提出了新的要求，強調(diào)了數(shù)據(jù)記錄的重要性以及如何根據(jù)實驗結果進行質量評估。


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  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 4058-2009
  • 1995-04-18 頒布
  • 1995-12-01 實施
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UDC669.782-415.056.9620.19H26中華人民共和國國家標準GB/T4058-一1995硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法Testmethodfordetectionofoxidationinduceddefectsinpolishedsiliconwafers1995-04-18發(fā)布1995-12-01實施國家技術監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準GB/T4058-1995硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法代替GB4058-83GB6622-一86TestmethodfordetectionofoxidationGB6623-86induceddefectsinpolishedsiliconwarers主題內(nèi)容與適用范圍本標準規(guī)定了硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法。本標準適用于硅拋光片表面區(qū)在模擬器件氧化工藝中誘生或增強的品體缺陷的檢測。2引用標準GB/T15544硅品體完整性化學擇優(yōu)腐蝕檢驗方法YS/T209硅材料原生缺陷圖譜3方法提要模擬器件工藝的氧化條件,利用氧化來級飾或擴大硅片中的缺陷，或兩者兼有，然后用擇優(yōu)腐蝕液顯示缺陷，并用顯微技術觀測。4試劑和材料4.11三氧化鉻4.22氫氟酸(42%）優(yōu)級純。4.3硝硝酸(p1.4g/mL）,優(yōu)級純4.4氨水（o0.90g/mL）,優(yōu)級純4.5鹽酸(p1.18g/mL）,優(yōu)級純.4.6乙酸(p1.05g/mL)，優(yōu)級純。4.7過過氧化氫(30%),優(yōu)級純。4.8高純水,25℃時的電阻率大于10MQ·cm。4.9清洗液1“：水·氮水(4.4）·過氧化氫(4.7)=4：1：1（V/V)。4.10清洗液2：水·鹽酸(4.5）；過氧化氫(4.7)－4：1：1（V/V)。4.11化學拋光液采用表

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