標準解讀

《GB/T 12962-1996 硅單晶》與前一版《GB 12962-1991》相比，主要在以下幾個方面進行了調(diào)整和完善：

  1. 標準性質(zhì)的調(diào)整：從標準編號的變化可以看出，《GB/T 12962-1996》變?yōu)榱送扑]性國家標準（"T"表示推薦性），而《GB 12962-1991》為強制性國家標準，這一變化意味著新版標準為企業(yè)提供了更多的執(zhí)行靈活性。

  2. 技術(shù)指標的更新：新版標準對硅單晶的純度、晶體結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)含量、缺陷密度等關(guān)鍵質(zhì)量指標進行了修訂或新增，以適應半導體技術(shù)進步對材料性能提出的更高要求。例如，可能對某些特定雜質(zhì)元素的濃度限值給出了更嚴格的規(guī)定，或是對晶體的完整性檢測方法進行了優(yōu)化。

  3. 檢測方法的改進：隨著分析技術(shù)和測試手段的發(fā)展，《GB/T 12962-1996》引入了更為精確和高效的檢測方法，用于評價硅單晶的各項性能指標。這些新方法可能包括更先進的光譜分析技術(shù)、電子顯微鏡觀測技術(shù)等，旨在提高檢測結(jié)果的準確性和可靠性。

  4. 規(guī)范性附錄的增補：為了便于理解和執(zhí)行，新標準可能增加了詳細的規(guī)范性附錄，提供了具體的測試程序、樣品制備方法、數(shù)據(jù)處理規(guī)則等，從而使得標準的實施更加規(guī)范化和標準化。

  5. 術(shù)語和定義的明確：隨著行業(yè)的發(fā)展，一些專業(yè)術(shù)語可能有了新的定義或解釋，新標準對此進行了整理和明確，有助于統(tǒng)一行業(yè)語言，減少理解上的歧義。

  6. 標準適用范圍的調(diào)整：雖然具體調(diào)整內(nèi)容未直接說明，但根據(jù)慣例，新版標準可能會根據(jù)市場和技術(shù)發(fā)展的實際情況，對硅單晶的適用范圍進行適當擴展或細化，以更好地指導生產(chǎn)和應用。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 12962-2005
  • 1996-11-04 頒布
  • 1997-04-01 實施
?正版授權(quán)
GB/T 12962-1996硅單晶_第1頁
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ICS29.045H82中華人民共和國國家標準CB/T12962－1996硅單晶Monocrystallinesilicon1996-11-04發(fā)布1997-04-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T12962-1996本標準參照國外有關(guān)標準，結(jié)合我國硅材料的使用情況，對GB12962—91進行修訂而成的。。修訂時保留了原標準中符合我國實際的內(nèi)容。修訂后的本標準,刪去了原標準中直拉硅單品直徑為38mm、80mm、90mm規(guī)格，增加了直徑125mm、150mm規(guī)格;對硅單品的旋渦缺陷密度和微缺陷密度指標改為由供需雙方商定;對徑向電阻率變化指標，增加了距邊緣6mm測點(見GB11073的B方案)計算;對區(qū)熔硅單晶和中子嬉變摻雜硅單晶的徑向電阻率變化指標，改為按GB11073的C方案或B方案測量和計算。中子姬變摻雜硅單晶增加了微區(qū)電阻率條紋內(nèi)容。與本標準配套的標準有：GB/T12964硅單晶拋光片GB/T12965硅單晶切割片和研磨片本標準從1997年4月1日起實施。本標準從生效之日起，代替GB12962-91。本標準由中國有色金屬工業(yè)總公司提出。本標準由中國有色金屬工業(yè)總公司標準計量研究所歸口。本標準起草單位：峨眉半導體材料廠和中國有色金屬工業(yè)總公司標準計量研究所.本標準主要起草人：王鴻高、劉文魁、尹建華、吳福立。本標準首次發(fā)布日期：1991年6月。

中華人民共和國國家標準晶硅GB/T12962-1996Monocrystallinesilicon代替GB12962-911范園本標準規(guī)定了硅單品的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標志、包裝、運輸、財存。本標準適用于用直拉法、懸浮區(qū)熔法(包括中子嫂變摻雜)制備的硅單品。產(chǎn)品主要供制作半導體元器件使用。2引用標準下列標準所包含的條文，通過在本標準中引用而構(gòu)成為本標準的條文。本標準出版時,所示版本均為有效，所有標準都會被修訂，使用本標準的各方應探討使用下列標準最新版本的可能性。GB/T1550硅單晶導電類型測定方法GB/T1551—1995硅、錯單晶電阻率測定直流兩探針法GB/T1552—1995硅、錯單晶電阻率測定直排四探針法GB/T1553硅單晶壽命直流光電導衰退測量方法GB/T1554一1995硅晶體完整性化學擇優(yōu)腐蝕檢驗方法GB1555—79硅單晶晶向光圖測量方法GB1556—79硅單晶晶向X光衍射測量方法GB1557—89硅晶體中間隙氧含量紅外吸收測量方法GB1558-83測定硅晶體中代位碳含量的紅外吸收方法GB/T4058—1995硅拋光片氧化誘生缺陷檢驗方法GB/T6617—1995硅片電阻率測定擴展電阻探針法GB11073—89硅片徑向電阻率變化的測量方法GB/T12964—1996硅單晶拋光片GB/T14844-93半導體材料牌號表示法3.產(chǎn)品分類3.1分類產(chǎn)品按硅單晶的生產(chǎn)工藝方法分為直拉、懸浮區(qū)熔和中子嬉變摻雜(NTD)3種硅單

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