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文檔簡(jiǎn)介
2.2晶體管的基本應(yīng)用引言2.2.2交流分析2.2.1直流分析第2章半導(dǎo)體三極管引言基本思想
非線性電路經(jīng)適當(dāng)近似后可按線性電路對(duì)待,利用疊加定理,分別分析電路中的交、直流成分。一、分析三極管電路的基本思想和方法直流通路(ui
=0)為靜態(tài)。交流通路(ui
0)為動(dòng)態(tài),只考慮變化的電壓和電流畫交流通路原則:1.固定不變的電壓源都視為短路;2.固定不變的電流源都視為開(kāi)路;3.視電容對(duì)交流信號(hào)短路。第2章半導(dǎo)體三極管基本方法圖解法:
在輸入、輸出特性圖上畫交、直流負(fù)載線,求靜態(tài)工作點(diǎn)“Q”,分析動(dòng)態(tài)波形及失真等。解析法:根據(jù)發(fā)射結(jié)導(dǎo)通壓降估算“Q”。用小信號(hào)等效電路法分析計(jì)算電路動(dòng)態(tài)參數(shù)。第2章半導(dǎo)體三極管二、電量的符號(hào)表示規(guī)則A
AA大寫表示電量與時(shí)間無(wú)關(guān)(直流、平均值、有效值);A小寫表示電量隨時(shí)間變化(瞬時(shí)值)。大寫表示直流量或總電量(總最大值,總瞬時(shí)值);小寫表示交流分量。總瞬時(shí)值直流量交流瞬時(shí)值交流有效值直流量往往在下標(biāo)中加注QA—主要符號(hào);
A—下標(biāo)符號(hào)。tuouBE=UBE
+ube第2章半導(dǎo)體三極管2.2.1直流電路的分析一、圖解分析法+–RBRC+uCE–+
uBE
+–VCCVBB3V5ViBiC輸入直流負(fù)載線方程:uCE
=VCC
iC
RCuBE
=VBB
iBRB輸出直流負(fù)載線方程:輸入回路圖解QuBE/ViB/A靜態(tài)工作點(diǎn)VBBVBB/RB115kUBEQIBQ0.720輸出回路圖解uCE/ViC/mAVCCVCC/RC01kQ23UCEQICQ0iB
=20A第2章半導(dǎo)體三極管二、工程近似分析法+–RBRC+uCE–+
uBE
+–VCCVBB3V5ViBiC115k1k
=100第2章半導(dǎo)體三極管第2章半導(dǎo)體三極管2.2.2晶體管開(kāi)關(guān)電路及工作狀態(tài)的判斷一、晶體管工作狀態(tài)的判斷方法幾種?截止、放大、飽和當(dāng)輸入uI為低電平,使uBE<0.5V時(shí),三極管截止。
iB≈0,iC≈0,C、E間相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。
三極管關(guān)斷的條件和等效電路IC(sat)QAuCEUCE(sat)OiCMNIB(sat)TS負(fù)載線臨界飽和線
飽和區(qū)放大區(qū)截止區(qū)uBE<0.5VBEC三極管截止?fàn)顟B(tài)等效電路uI=UILuBE+-通常用硅管門限電壓Uth=0.5V—截止?fàn)顟B(tài)一、晶體管工作狀態(tài)的判斷方法
uI增大使uBE>0.5V時(shí),三極管開(kāi)始導(dǎo)通,iB
>0,三極管工作于放大導(dǎo)通狀態(tài)。uBE
≈UBE(on)≈0.7V
IC(sat)QAuCEUCE(sat)OiCMNIB(sat)TS臨界飽和線
飽和區(qū)放大區(qū)uI增大使iB增大,從而工作點(diǎn)上移,iC增大,uCE減小截止區(qū)三極管放大狀態(tài)等效電路uBE+-—放大狀態(tài)0<iB<
IB(sat)BEUBE(on)CUCE>0.7第2章半導(dǎo)體三極管一、晶體管工作狀態(tài)的判斷方法IC(sat)QAuCEUCE(sat)OiCMNIB(sat)TS臨界飽和線
飽和區(qū)放大區(qū)截止區(qū)iB≥
IB(sat)BEUBE(sat)CUCE(sat)三極管飽和狀態(tài)等效電路三極管開(kāi)通的條件和等效電路uCE≈UCE(sat)≈0.3V≈0,C、E間相當(dāng)于開(kāi)關(guān)合上。
當(dāng)輸入uI為高電平,使iB≥
IB(sat)時(shí),三極管飽和。
uBE+-uBE+-uI=UIH
S為放大和飽和的交界點(diǎn),這時(shí)的iB稱臨界飽和基極電流,用IB(sat)表示;相應(yīng)地,IC(sat)為臨界飽和集電極電流;UBE(sat)為飽和基極電壓,UBE(sat)≈0.7V;UCE(sat)為飽和集電極電壓,UCE(sat)≈0.3V。在臨界飽和點(diǎn)三極管仍然具有放大作用?!柡蜖顟B(tài)第2章半導(dǎo)體三極管第2章半導(dǎo)體三極管二、晶體管開(kāi)關(guān)電路T截止IB≈0,IC≈0,C、E間相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi),LED不發(fā)光。
T導(dǎo)通飽和導(dǎo)通條件:T飽和導(dǎo)通LED發(fā)光因?yàn)樗?VCC(5V)1kRCRB+-+-uIuO4.3kβ=30IBICLEDEBCiC
0iC
=VCC/RC例2.2.1設(shè)RB
=
38
k,求VBB=0
V、3
V時(shí)的iC、uCE。+–RBRC+uCE–+
uBE
+–VCCVBB3V5ViBiC1
k[解]uCE/ViC/mAiB=010A20A30A40A50A60A410235當(dāng)VBB=0V:iB
0,iC
0,5VuCE
5V當(dāng)VBB=3V:0.3uCE
0.3
V0,iC
5mA三極管的開(kāi)關(guān)等效電路截止?fàn)顟B(tài)SBCEVCC+RCRBiB
0uCE
5ViB飽和狀態(tài)uCE
0判斷是否飽和臨界飽和電流
ICS和IBS:iB
>IBS,則三極管飽和。第2章半導(dǎo)體三極管2.2.3晶體管基本放大電路及其分析方法一、圖解分析法線性非線性線性輸入回路(A左)(B右)輸出回路(B左)(A右)+–RBRC+uCE–+uBE
+–VCCVBBiBiCiBiC+uBE
+uCE–AB第2章半導(dǎo)體三極管例2.2.4
硅管,ui
=10sint(mV),RB=176k,RC=1k,VCC=VBB=6V,圖解分析各電壓、電流值。[解]令ui
=0,求靜態(tài)電流IBQuBE/ViB/AO0.7V30QuiOtuBE/VOtiBIBQ(交流負(fù)載線)uCE/ViC/mA41023iB=10A20304050505Q6直流負(fù)載線QQ6OtiCICQUCEQOtuCE/VUcemibicuceRL+–
iBiCRBVCCVBBRCC1ui+–
+
–
+uCE+uBE–
第2章半導(dǎo)體三極管當(dāng)ui
=0
uBE=UBEQ
iB=IBQ
iC=ICQ
uCE=UCEQ
當(dāng)ui
=Uimsint
ib=Ibmsin
t
ic=Icmsin
t
uce=–Ucem
sint
uo=uceiB=
IBQ
+Ibmsin
tiC
=
ICQ
+Icmsin
tuCE=
UCEQ
–
Ucem
sin
t=
UCEQ
+Ucem
sin
(180°–
t)uBE/ViB/A0.7V30QuituBE/VtiBIBQ(交流負(fù)載線)uCE/ViC/mA4123iB=10A20304050605Q6直流負(fù)載線QQ6tiCICQUCEQtuCE/VUcemibicuceOOOO00第2章半導(dǎo)體三極管基本共發(fā)射極電路的波形:+–
iBiCRBVCCVBBRCC1ui+–
+
–
+uCE+uBE–
IBQuiOt
iB
OtuCEOtuoOt
iC
OtICQUCEQ第2章半導(dǎo)體三極管二、小信號(hào)等效電路分析法(微變等效)1.晶體三極管電路小信號(hào)等效電路分析法三極管電路可當(dāng)成雙口網(wǎng)絡(luò)來(lái)分析(1)
晶體三極管H(Hybrid)參數(shù)小信號(hào)模型從輸入端口看進(jìn)去,相當(dāng)于電阻rberbe—Hie從輸出端口看進(jìn)去為一個(gè)受
ib
控制的電流源
ic
=
ib
,—Hfe+uce–+ube–
ibicCBErbe
Eibicib+ube+uceBCrbb’—三極管基區(qū)體電阻第2章半導(dǎo)體三極管(2)
晶體三極管交流分析步驟:
分析直流電路,求出“Q”,計(jì)算rbe。
畫電路的交流通路。
在交流通路上把三極管畫成H參數(shù)模型。
分析計(jì)算疊加在“Q”點(diǎn)上的各極交流量。第2章半導(dǎo)體三極管例2.2.5=100,uS
=10sint(mV),求疊加在“Q”點(diǎn)上的各交流量。+uo+–
iBiCRBVCCVBBRCRLC1C2uS+–
+–
RS+uCE+uBE–
12V12V510470k2.7k3.6k[解]令ui
=0,求靜態(tài)電流IBQ求“Q”,計(jì)算rbeICQ=IBQ=2.4mAUCEQ=12
2.42.7=5.5V第2章半導(dǎo)體三極管
交流通路+uo+–
iBiCRBVCCVBBRCRLC1C2uS+–
+–
RS+uCE+uBE–
ubeuce
小信號(hào)等效+uo+–
RBRLRSrbe
EibicibBCusRC+ube
分析各極交流量
分析各極總電量uBE
=(0.7+0.0072sint
)ViB
=(24+5.5sint)AiC
=(2.4+0.55sint
)
mAuCE
=(5.5–
0.85sint
)V第2章半導(dǎo)體三極管放大電路的非線性失真問(wèn)題:
因工作點(diǎn)不合適或者信號(hào)太大使放大電路的工作范圍超出了晶體管特性曲線上的線性范圍,從而引起非線性失真。NPN管:頂部失真為截止失真。PNP管:底部失真為截止失真。不發(fā)生截止失真的條件:
IBQ>Ibm
。交流負(fù)載線1.“Q”過(guò)低引起截止失真OQibOttOuBE/ViBuBE/ViBui
uCEiCictOOiCOtuCEQuce第2章半導(dǎo)體三極管2.“Q”過(guò)高引起飽和失真ICS集電極臨界飽和電流NPN管:
底部失真為飽和失真。PNP管:頂部失真為飽和失真。IBS—基極臨界飽和電流。不接負(fù)載時(shí),交、直流負(fù)載線重合,V
CC=VCC不發(fā)生飽和失真的條件:IBQ+I
bm
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