標(biāo)準解讀

《GB/T 6621-1995 硅拋光片表面平整度測試方法》與《GB 6621-1986》相比，在內(nèi)容和結(jié)構(gòu)上進行了多方面的更新和完善。首先，標(biāo)準的編號從GB變更為GB/T，這意味著該文件由強制性國家標(biāo)準轉(zhuǎn)變?yōu)橥扑]性國家標(biāo)準，反映了對于硅拋光片表面平整度測試方法在應(yīng)用范圍上的調(diào)整，使之更加靈活地適應(yīng)不同企業(yè)和機構(gòu)的需求。

在技術(shù)要求方面，《GB/T 6621-1995》對硅拋光片表面平整度的具體指標(biāo)做了更詳細的定義，并且增加了新的測試條件及參數(shù)設(shè)置指導(dǎo)，比如明確了使用光學(xué)干涉儀作為主要測量工具之一，并對其工作原理、操作步驟等進行了規(guī)范說明，提高了測試結(jié)果的一致性和可比性。

此外，新版本還引入了更多關(guān)于樣品準備、環(huán)境控制等方面的建議，以減少外界因素對實驗結(jié)果的影響。同時，對于數(shù)據(jù)處理部分也給出了更加具體的方法，包括如何計算平均值、標(biāo)準偏差等統(tǒng)計量，以及如何根據(jù)這些數(shù)值來評估硅片表面的質(zhì)量等級。


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  • 被代替
  • 已被新標(biāo)準代替，建議下載現(xiàn)行標(biāo)準GB/T 6621-2009
  • 1995-04-18 頒布
  • 1995-12-01 實施
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DDC.669.782-415.056.9：620.191.4H21中華人民共和國國家標(biāo)準GB/T6621-1995硅拋光片表面平整度測試方法Testmethodsforsurfaceflatnessofsiliconpolishedslices1995-04-18發(fā)布1995-12-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民供和國國家標(biāo)準CB/T6621-1995硅拋光片表面平整度測試方法代替GB6621-86Testmethodsforsurfaceflatnessofsiliconpolishedslices第一篇方法A—光干涉法主題內(nèi)客與適用范圍本標(biāo)準規(guī)定了用相干光的干涉現(xiàn)象測量硅拋光片表面平整度的方法.本標(biāo)準適用于檢測硅拋光片的表面平整度，也適用于檢測硅外延片和類鏡面狀半導(dǎo)體品片的表面平整度。2術(shù)語2.1總指示讀數(shù)(TIR）totalindicatorrunout（TIR）兩個與基準平面平行的平面之間的最小垂直距離。處于品片正面的固定優(yōu)質(zhì)區(qū)（FQA)或局部優(yōu)質(zhì)區(qū)域內(nèi)的所有的點在兩平行平面的范圍內(nèi)。又稱最大峰谷差（見圖1)。掠射入射干沙儀拿考校鎮(zhèn)特調(diào)試樣的上表面峰伯差圖1片計量學(xué)定義注：峰和谷的位置可能出現(xiàn)在試樣表面的任何地方。2.2焦平面focalplane國家技

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