第一章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)第一節(jié)半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識1、導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體一、半導(dǎo)體的基本知識

繞原子核高速旋轉(zhuǎn)的核外電子帶負電。

自然界的一切物質(zhì)都是由分子、原子組成的。原子又由一個帶正電的原子核和在它周圍高速旋轉(zhuǎn)著的帶有負電的電子組成。正電荷負電荷=原子結(jié)構(gòu)中：原子核＋原子核中有質(zhì)子和中子，其中質(zhì)子帶正電，中子不帶電。（1）導(dǎo)體

導(dǎo)體的最外層電子數(shù)通常是1~3個，且距原子核較遠，因此受原子核的束縛力較小。由于溫度升高、振動等外界的影響，導(dǎo)體的最外層電子就會獲得一定能量，從而掙脫原子核的束縛而游離到空間成為自由電子。因此，導(dǎo)體在常溫下存在大量的自由電子，具有良好的導(dǎo)電能力。常用的導(dǎo)電材料有金、銀、銅、鋁等。

導(dǎo)體的特點：內(nèi)部含有大量的自由電子（2）絕緣體

絕緣體的最外層電子數(shù)一般為6-8個，且距原子核較近，因此受原子核的束縛力較強而不易掙脫其束縛。常溫下絕緣體內(nèi)部幾乎不存在自由電子，因此導(dǎo)電能力極差或不導(dǎo)電。常用的絕緣體材料有橡膠、陶瓷、惰性氣體等。絕緣體的特點：

內(nèi)部幾乎沒有自由電子，因此不導(dǎo)電。（3）半導(dǎo)體

半導(dǎo)體的最外層電子數(shù)一般為4個，在常溫下存在的自由電子數(shù)介于導(dǎo)體和絕緣體之間，因而在常溫下半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力也是介于導(dǎo)體和絕緣體之間。常用的半導(dǎo)體材料有硅、鍺等。半導(dǎo)體的特點：

導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間。光敏性——當(dāng)光照增強時，導(dǎo)電能力增強。熱敏性——當(dāng)環(huán)境溫度升高時，其導(dǎo)電能力增強。摻雜性——純凈的半導(dǎo)體中摻入某些微量雜質(zhì)，導(dǎo)電能力明顯改變。半導(dǎo)體材料的獨特性能是由其內(nèi)部的導(dǎo)電機理所決定的。2、半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性3、本征半導(dǎo)體價電子共價鍵共用電子對+4表示除去價電子后的原子本征半導(dǎo)體：完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體。在本征半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)中，每一個原子均與相鄰的四個原子結(jié)合，即與相鄰四個原子的價電子兩兩組成電子對，形成共價鍵結(jié)構(gòu)。共價鍵中的兩個電子，稱為價電子。+4+4+4+4自由電子空穴束縛電子

在熱力學(xué)零度時，半導(dǎo)體不導(dǎo)電。當(dāng)溫度升高或受到光的照射時，價電子能量增高，有的價電子可以掙脫原子核的束縛，成為自由電子——本征激發(fā)。

自由電子產(chǎn)生的同時，在其原來的共價鍵中就出現(xiàn)了一個空位，這個空位為空穴。因本征激發(fā)而出現(xiàn)的自由電子和空穴是同時成對出現(xiàn)的，稱為電子空穴對。電子和空穴產(chǎn)生過程動畫演示若在半導(dǎo)體兩端外加電壓，帶負電的自由電子和帶正電的空穴如何運動？

在外加電場作用下，自由電子定向運動產(chǎn)生電流——漂移電流。

空穴吸引相鄰原子中的價電子來填補，在價電子原來的位置上出現(xiàn)了新的空穴，不斷地重復(fù)運動，相當(dāng)于空穴運動——空穴電流。

自由電子在運動的過程中如果與空穴相遇就會填補空穴，使兩者同時消失——復(fù)合。本征半導(dǎo)體中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即自由電子和空穴。帶負電的自由電子向正極做定向運動，被原子核束縛著的價電子遞補空穴使空穴向負極運動。兩種載流子形成電荷極性不同，但電流方向相同的電子流。本征半導(dǎo)體中電流由兩部分組成：

1.自由電子移動產(chǎn)生的電流。

2.空穴移動產(chǎn)生的電流。自由電子帶負電荷電子流＋總電流載流子空穴帶正電荷空穴流半導(dǎo)體導(dǎo)電機理動畫演示本征半導(dǎo)體中由于熱激發(fā)存在數(shù)量相等的兩種載流子，即自由電子和空穴載流子。在半導(dǎo)體兩端外加電壓，帶負電的自由電子向正極做定向運動，被原子核束縛著的價電子遞補空穴使空穴向負極運動。兩種載流子形成電荷極性不同，但電流方向相同的電子流。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。溫度越高，載流子的濃度越高，本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力越強。溫度是影響半導(dǎo)體導(dǎo)電性能的一個重要的外部因素，這是半導(dǎo)體的一大特點。4、半導(dǎo)體的導(dǎo)電機理總結(jié)

在溫度一定時，這兩種相互矛盾的運動達到相對平衡，單位時間內(nèi)電子-空穴對產(chǎn)生和復(fù)合的數(shù)目相等，實際存在著的電子-空穴對維持在一定的數(shù)目上。

晶體內(nèi)原子的熱運動加劇，熱激發(fā)增多，產(chǎn)生超過復(fù)合，使原來的平衡被破壞，自由電子和空穴的數(shù)目增多，復(fù)合的機會也增大，最后達到一個新的動態(tài)平衡。

說明：熱激發(fā)產(chǎn)生的電子-空穴對的數(shù)目，是由溫度決定的，在一般室溫下，其數(shù)量甚少；當(dāng)溫度升高時，其數(shù)量隨之增加，即半導(dǎo)體導(dǎo)電能力隨之增強。5.雜質(zhì)半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。其原因是摻雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度大大增加。P型半導(dǎo)體：空穴濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體：自由電子濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體。(1)N型半導(dǎo)體+五價元素磷(P)＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4P摻入磷雜質(zhì)的半導(dǎo)體晶格中，自由電子的數(shù)量大大增加。在N型半導(dǎo)體中，自由電子數(shù)目大增，自由電子數(shù)目遠遠大于空穴數(shù)量，自由電子被稱為“多數(shù)載流子”（簡稱“多子”）；空穴則稱為“少數(shù)載流子”（簡稱“少子”）。正離子電子多出一個電子出現(xiàn)了一個正離子+4+4+4+4+4+4+4+4P半導(dǎo)體中產(chǎn)生了大量的自由電子和正離子N型半導(dǎo)體形成過程動畫演示(2)P型半導(dǎo)體＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4三價元素硼(B)B+摻入硼雜質(zhì)的半導(dǎo)體晶格中，空穴載流子的數(shù)量大大增加。

摻入三價元素的雜質(zhì)半導(dǎo)體，空穴載流子的數(shù)量大大于自由電子載流子的數(shù)量，叫做P型半導(dǎo)體。在P型半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子是空穴，少數(shù)載流子是自由電子，而不能移動的離子帶負電。－出現(xiàn)了一個空位+4+4+4+4+4+4B+4+4+4+4+4+4+4+4B+4+4負離子空穴半導(dǎo)體中產(chǎn)生