ICS3108099

CCSL5.5.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T41853—2022/IEC62047-92011

:

半導(dǎo)體器件微機(jī)電器件

晶圓間鍵合強(qiáng)度測(cè)量

Semiconductordevices—Micro-electromechanicaldevices—

Wafertowaferbondingstrengthmeasurement

IEC62047-92011Semiconductordevices—

(:,

Micro-electromechanicaldevices—Part9Wafer

:

towaferbondinstrenthmeasurementforMEMSIDT

gg,)

2022-10-12發(fā)布2022-10-12實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T41853—2022/IEC62047-92011

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

測(cè)量方法

4…………………1

總則

4.1…………………1

目測(cè)法

4.2………………1

拉力測(cè)試法

4.3…………………………2

雙懸臂梁測(cè)試法

4.4……………………4

靜電測(cè)試法

4.5…………………………6

氣泡測(cè)試法

4.6…………………………7

三點(diǎn)彎曲測(cè)試法

4.7……………………9

芯片剪切測(cè)試法

4.8……………………12

附錄資料性鍵合強(qiáng)度示例

A()…………15

附錄資料性三點(diǎn)彎曲測(cè)試法試樣的制作工藝示例

B()………………16

參考文獻(xiàn)

……………………17

Ⅰ

GB/T41853—2022/IEC62047-92011

:

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件等同采用半導(dǎo)體器件微機(jī)電器件第部分的晶圓間鍵合

IEC62047-9:2011《9:MEMS

強(qiáng)度測(cè)量

》。

本文件增加了術(shù)語(yǔ)和定義一章

“”。

本文件做了下列最小限度的編輯性改動(dòng)

:

為與現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)協(xié)調(diào)將標(biāo)準(zhǔn)名稱改為半導(dǎo)體器件微機(jī)電器件晶圓間鍵合強(qiáng)度測(cè)量

a),《》;

納入的修改內(nèi)容所涉及的條款的外側(cè)頁(yè)邊空白位置用垂直

b)IEC62047-9:2011/COR1:2012,

雙線進(jìn)行了標(biāo)示

(‖);

糾正了原文的錯(cuò)誤第章中和

c)IEC62047-9:2011:2ISO6892-1:2009ASTME399-06e2:

在文中是資料性提及刪除和在參考文獻(xiàn)中

2008,ISO6892-1:2009ASTME399-06e2:2008;

增加和

ISO6892-1:2009ASTME399-06e2:2008;

糾正了原文的錯(cuò)誤圖和圖中的二維圖不能明確標(biāo)識(shí)出試樣的寬度

d)IEC62047-9:2011:56,

更正為三維圖圖增加單位標(biāo)注單位為毫米

,6“”。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)微機(jī)電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC336)。

本文件起草單位中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所河北美泰電子科技有限公司中機(jī)生產(chǎn)力

:、、

促進(jìn)中心有限公司華東光電集成器件研究所杭州左藍(lán)微電子技術(shù)有限公司深圳市美思先端電子有

、、、

限公司明石創(chuàng)新煙臺(tái)微納傳感技術(shù)研究院有限公司紹興中芯集成電路制造股份有限公司

、()、。

本文件主要起草人李倩王偉強(qiáng)顧楓李根梓翟曉飛何凱旋田松杰劉建生崔波武斌汪蔚

:、、、、、、、、、、、

高峰王沖

、。

Ⅲ

GB/T41853—2022/IEC62047-92011

:

半導(dǎo)體器件微機(jī)電器件

晶圓間鍵合強(qiáng)度測(cè)量

1范圍

本文件規(guī)定了晶圓鍵合后鍵合強(qiáng)度的測(cè)量方法適用于硅硅共熔鍵合硅玻璃陽(yáng)極鍵合等多種晶

,-、-

圓鍵合方式以及工藝組裝流程中相關(guān)結(jié)構(gòu)尺寸的鍵合強(qiáng)度的評(píng)估

,MEMS、。

本文件適用于從十微米到幾毫米厚的晶圓間的鍵合強(qiáng)度測(cè)量

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分芯片剪切強(qiáng)度

IEC60749-1919:(Semiconductor

devices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part19:Dieshearstrength)

3術(shù)語(yǔ)和定義

本文件沒(méi)有需要界定的術(shù)語(yǔ)和定義

。

4測(cè)量方法

41總則

.

鍵合強(qiáng)度測(cè)量方法有目測(cè)法拉力測(cè)試法雙懸臂梁測(cè)試法靜電測(cè)試法氣泡氣密性測(cè)試法三

:、、、、()、

點(diǎn)彎曲形變測(cè)試法以及芯片剪切測(cè)試法

(),。

42目測(cè)法

.

421目測(cè)法類型

..

通過(guò)觀察硅基片和玻璃表面顏色變化只能判別兩種材料是否鍵合在一起的基本信息應(yīng)采用目