ICS77040

CCSH.21

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T41751—2022

氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑測(cè)試方法

TestmethodforradiusofcurvatureofcrystalplaneinGaNsingle

crystalsubstratewafers

2022-10-12發(fā)布2023-02-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T41751—2022

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所蘇州納維科技有限公司中國(guó)電子

:、、

科技集團(tuán)公司第四十六研究所哈爾濱奧瑞德光電技術(shù)有限公司廈門柯譽(yù)爾科技有限公司山西華晶

、、、

恒基新材料有限公司福建兆元光電有限公司

、。

本文件主要起草人邱永鑫徐科王建峰任國(guó)強(qiáng)李騰坤左洪波鄭樹楠?jiǎng)⒘⒛葪铞魏?/p>

:、、、、、、、、、

鄺光寧丁崇燈陳友勇

、、。

Ⅰ

GB/T41751—2022

氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑測(cè)試方法

1范圍

本文件規(guī)定了利用高分辨射線衍射儀測(cè)試氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑的方法

X。

本文件適用于化學(xué)氣相沉積及其他方法制備的氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑的測(cè)試氮化鎵外

,

延片晶面曲率半徑的測(cè)試可參照本文件進(jìn)行

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

衍射平面diffractionplane

射線入射束衍射束構(gòu)成的平面

X、。

32

.

晶面曲率半徑curvatureradiusofcrystalplane

R

襯底片名義晶面與通過襯底片中心點(diǎn)垂面的交線可近似的看作一段圓弧該圓弧對(duì)應(yīng)的半徑

,。

注1在本文件中晶面曲率半徑帶有符號(hào)正號(hào)表示樣品名義晶面相對(duì)于測(cè)試表面為凸起狀負(fù)號(hào)表示樣品名義

:,,,

晶面相對(duì)于測(cè)試表面為凹狀

。

注2晶面曲率是晶面曲率半徑的倒數(shù)

:。

33

.

入射角incidentangle

ω角ω

angle

射線衍射儀入射射線與樣品臺(tái)表面的夾角

XX。

34

.

搖擺曲線rockingcurve

固定衍射儀探測(cè)器位置連續(xù)改變?chǔ)亟遣⒂涗浹苌鋸?qiáng)度得到的測(cè)量曲線

,。

4方法原理

41單晶的原子以三維周期性結(jié)構(gòu)排列其晶體可以看作是由垂直距離為d的一系列平行原子平面所

.,

構(gòu)成當(dāng)一束平行的單色射線射入該平面上若入射光與原子平面間的