MOSFET的電流－電壓關(guān)能帶連同其 能級沿y方向均隨著電壓的變化發(fā)半導體器件物

?Dr.B.當VGS＞VT，且固定為某一值時，分電壓VDS對漏極電流ID的影響。VDS的不同 Npx Npx N V對N型溝道和P型襯底之間的PNy上的偏置情況沿溝道方向發(fā)生變化?？坎糠諴N結(jié)為反偏，因此，襯的PN

漏源電壓VDS對溝道的半導體器件物

?Dr.B.線性當VDS為0或較小時，溝道分布如右圖，此時VDS基本均勻降落在溝道中，沿溝道方向溝道截面積不相等的現(xiàn)象很隨著VDS的增減慢，偏離直線S

VG

VDLN 溝

N 耗盡

半導體器件物

pVDV圖6-15MOSFET的工作狀態(tài)和輸出特性：（a）低漏?Dr.B.飽和當VDS增加到使漏端溝道截面積減小到零時，稱為溝道“夾VDS飽VD稱為VDS，Da。N N夾斷點（PN N夾斷點（P

VD

I

圖6-15MOSFET的工作狀態(tài)和輸出特性：（b）開始飽半導體器件物

?Dr.B.SVGSVGVDN（PN耗盡y

圖6-15MOSFET的工作狀態(tài)和輸出特性：（c）飽和擊穿半導體器件物

?Dr.B.MOS場效應晶體靜態(tài) VN N p襯y圖6-16N溝道MOS晶體半導體器件物

?Dr.B.MOS場效應晶體 VN N p襯靜態(tài)特 在下面的分析中，采用如下主要忽略源區(qū)和漏溝道內(nèi)摻雜均載流子在反型（i）長溝道近似和漸近溝道近似，即假設垂直電場和水平電場是互相獨立的。半導體器件物

?Dr.B.6.5MOS感應溝道電QIC0VG

V

（6-漂移電子電IDZnQI

（6-IdyZCV V

（6- Z V2IDC0

L 2

（6-增益因子（6-70）式稱為薩支唐（C.T.Sah）方程半導體器件物

?Dr.B.飽和假設在L點發(fā)生夾

QIC0VG

V =0 （6-把式（6-73）代入式（6-70） nC0

V

（6-

此式在開始飽和時是有效的。超過這一點，漏極電流可看作是常數(shù)所有拋物線頂點右邊的曲線沒有物理意半導體器件物

?Dr.B.VGVGVG1VGVGVG圖6-18N溝道MOSFET的電流電壓半導體器件物

?Dr.B.小信號1.線性導納d d

VG

（6-對式（6-70） gd

VGVTHVDL

（6-線性區(qū)的電阻，稱為開態(tài)電阻，或?qū)娮?，可用下式表Ron

1 CZ

（6- 半導體器件物

?Dr.B.溫度溫度一定時導納與柵壓成正圖6-19MOSFET中溝道導納與VG的對應半導體器件物

?Dr.B.m IDm

VD

（6-Z線性區(qū)：對式（6-70）ZVgmC0 VL

（6-飽和區(qū)：對式（6-74）求 C0n

VV

（6- 在假設QB為常數(shù)時才成立，飽和區(qū)跨導gm的表示式和線性區(qū)導納gd的相半導體器件物

?Dr.B.流子遷移率隨柵電場增強而下半導體器件物

?Dr.B.飽和區(qū)的漏極

I

VG常

（6-飽和區(qū)漏極電阻可以用作圖法從漏極特性中求柵極電容CG=

（6-半導體器件物

?Dr.B.GGCDgmC 截止

圖6-20MOS晶體管的小訊號等效定義為輸出電流和輸入電流之比為1時的頻率，即當器件輸出短路時，器不能夠放大輸入信號時的 nVD, 0D 0D

（6-為了提高工作頻率或工作速度，溝道長度要短，載流子遷移率要半導體器件物

?Dr.B.值當柵電壓低于閾值電壓，半導體表面僅僅只是弱反型時，相應的漏電流稱值電流 值區(qū)，對于漏電流起決定作用的是載流子擴散而不是漂移。漏電流以用推導均勻摻雜基區(qū)的雙極晶體管集電極電流的相同方法導I 和

ID

~eVGVT

（6- 必須將MOSFET偏置在比VTH低0.5V（實例）或更低的電壓值下，以使半導體器件物

?Dr.B.擺幅(s):ID-VG曲線斜率的倒數(shù)，室溫下理想值是60mV/dec。半導體器件物