GMXD1B1.4.5驅(qū)動電路1.IGBT過電流保護方法。

2.EXB840系列集成式驅(qū)動芯片

3.M579系列芯片

GMXD1B1.IGBT過電流保護方法。(1)IGBT開關電路在負載短路下的后果分析

(2)過電流保護方法為在短路下保障器件安全，避免上述現(xiàn)象產(chǎn)生，應采取正確的過電流保護方法。GMXD1B(1)IGBT開關電路在負載短路下的后果分析1)超越熱極限：半導體的本征溫度為250℃，當結(jié)溫超越本征溫度時，器件將喪失阻斷能力，當負載短路時，高短路電流使IGBT結(jié)溫上升，一旦超越其熱極限，柵極保護相應失效。

2)電流擎住：在正常電流下，IGBT由于薄層電阻很小，無電流擎住現(xiàn)象產(chǎn)生；但在短路時，由于短路電流很大，當RS上的壓降高于0.7V時，J1正偏，引發(fā)電流擎住，柵壓失控。

3)關斷過電壓：為抑制短路電流，當故障發(fā)生時，控制電路立即撤去正柵壓，將IGBT關斷，短路電流相應下降，由于電流下降率很高，在布線電感中將感生很高電壓，尤其是器件內(nèi)引線電感上的感應電壓很難抑制，它將使器件因過電流轉(zhuǎn)為關斷過電壓而失效。GMXD1B(2)過電流保護方法

圖1-43采用降壓法抑制短路電流

a)電流持續(xù)期為10μsb)電流持續(xù)期長于10μs

GMXD1B2.EXB840系列集成式驅(qū)動芯片(1)主要性能指標。

(2)工作原理分析GMXD1B(1)主要性能指標1)最高工作頻率：40kHz

2)驅(qū)動輸出電壓：±20V

3)光耦輸入電流：10mA

4)輸出柵流峰值：±4A

5)驅(qū)動器件：300A/1.2kV的IGBT

6)短路屏蔽時間：1.3μsGMXD1B(2)工作原理分析1)正常開通過程：當光耦器VLC1的輸入電流iP=10mA時，VLC1動作并由截止轉(zhuǎn)為導通，圖1-44b中點?電位迅速下降為零，使V1和V2由導通轉(zhuǎn)為截止，點?電位上升使V4相應導通，V5截止，VG柵極通過Rg和V4接向驅(qū)動電源(柵壓Ug1=15V，穩(wěn)壓管VDZ2的陰極與VG發(fā)射極相連，其擊穿電壓為5V，驅(qū)動電源電壓UD=20V)，VG由斷態(tài)轉(zhuǎn)為通態(tài)，其端壓uce降至導通電壓Uce(sat)=3V，與此同時，由于V1截止使驅(qū)動電源通過R3向C2充電，其時間常數(shù)為

2)正常關斷過程：當VLC1的輸入電流iP=0，光耦器即由導通轉(zhuǎn)為截止，原先對C1的鉗位作用解除，點?電位上升并使V1和V2導通，于是點?電位被鉗到零，從而使V4由導通轉(zhuǎn)為截止，V5由截止轉(zhuǎn)為導通，C2中儲能很快沿V1釋放，點?和○K電位降為零，保證VDZ1處于截止，VG可靠關斷。

3)異常導通保護過程：設VG已處通態(tài)，V1和V2截止，V4導通，V5截止，點?電位穩(wěn)定在8V左右，VDZ1截止，點?電位為20V，VD6反偏截止。GMXD1B3.M579系列芯片(1)正常關斷狀態(tài)控制信號uS=0，光耦器VLC1關斷，h=1(1代表高位，0代表低位，其他點類推)，c=0，于是V1、V3截止，V2、V4導通。(2)正常導通狀態(tài)uS=1，VLC1導通，h=0，c=1，于是V1、V3導通(V2、V4截止)，Ug1=+15V，VG導通，uce下降，VD14導通，a=b=0，V7仍處導通，e=0，V6仍然截止，故VLC2也保持截止狀態(tài)，電路無故障信號輸出。

(3)異常導通狀態(tài)設VG已處導通，電路中器件的開關狀態(tài)和各點電壓均與正常導通時相仿。GMXD1B3.M579系列芯片表1-14M57959L集成芯片中器件開關狀態(tài)GMX