半導(dǎo)體工藝實(shí)操100問答1.硅片、芯片的概念1.硅片、芯片的概念硅片：制造電子器件的基本半導(dǎo)體材料硅的圓形單晶薄片芯片：由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品1. 什么是微電子工業(yè)技術(shù)？微電子工業(yè)技術(shù)主要包括哪些技術(shù)？微電子工藝技術(shù):在半導(dǎo)體材料芯片上采用微米級加工工藝制造微小型化電子元器件和微型化電路技術(shù)。包括超精細(xì)加工技術(shù)、薄膜生長和控制技術(shù)、高密度組裝技術(shù)、過程檢測和過程控制技術(shù)等1. 集成電路制造涉及的5個大的制造階段的內(nèi)容集成電路制造階段：硅片制備、芯片制造、芯片測試/揀選、裝配與封裝、終測1.IC工藝前工序，IC工藝后工序，以及IC工藝輔助工序IC工藝前工序：薄膜制備技術(shù)：主要包括外延、氧化、化學(xué)氣相淀積、物理氣相淀積（如濺射、蒸發(fā)）等摻雜技術(shù)：主要包括擴(kuò)散和離子注入等技術(shù)圖形轉(zhuǎn)換技術(shù)：主要包括光刻、刻蝕等技術(shù)IC工藝后工序：劃片、封裝、測試、老化、篩選IC工藝輔助工序：超凈廠房技術(shù)；超純水、高純氣體制備技術(shù)；光刻掩膜版制備技術(shù)；材料準(zhǔn)備技術(shù)1. 微芯片技術(shù)發(fā)展的主要趨勢提高芯片性能（速度、功耗）提高芯片可靠性（低失效）降低芯片成本（減小特征尺寸，增加硅片面積，制造規(guī)模）1. 什么是關(guān)鍵尺寸（CD）?芯片上的物理尺寸特征稱為特征尺寸特別是硅片上的最小特征尺寸，也稱為關(guān)鍵尺寸或CD半導(dǎo)體材料

1.本征半導(dǎo)體和非本征半導(dǎo)體的區(qū)別是什么？1.本征半導(dǎo)體和非本征半導(dǎo)體的區(qū)別是什么？本征半導(dǎo)體：不含任何雜質(zhì)的純凈半導(dǎo)體，其純度在99.999999%(8~10個9)1. 為何硅被選為最主要的半導(dǎo)體材料？硅材料：硅的豐裕度——制造成本低熔點(diǎn)高(1412OC)——更寬的工藝限度和工作溫度范圍SiO2的天然生成1. GaAs相對硅的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)各是什么？優(yōu)點(diǎn)：比硅更高的電子遷移率，高頻微波信號響應(yīng)好——無線和高速數(shù)字通信抗輻射能力強(qiáng)——軍事和空間應(yīng)用電阻率大器件隔離容易實(shí)現(xiàn)發(fā)光二極管和激光器缺點(diǎn)沒有穩(wěn)定的起鈍化保護(hù)作用的自然氧化層晶體缺陷比硅高幾個數(shù)量級成本高圓片的制備1. 兩種基本的單晶硅生產(chǎn)方法直拉法（CZ法）、區(qū)熔法1. 晶體缺陷根據(jù)維數(shù)可分為哪四種？a）點(diǎn)缺陷一空位、自填隙等b）線缺陷一位錯c）面缺陷一層錯d）體缺陷3.畫出圓片制備的基本工藝步驟流程圖，并給出其任意三個步驟的主要作用晶體生長、整型、切片、磨片倒角、刻蝕、拋光、清洗、檢查、包裝磨片和倒角：切片完成后，傳統(tǒng)上要進(jìn)行雙面的機(jī)械磨片以除去切片時留下的損傷，達(dá)到硅片兩面高度的平行及平坦；硅片邊緣拋光修整（又叫倒角）可使硅片邊緣獲得平滑的半徑周線切片：對于200mm的硅片，切片是用帶有金剛石切割邊緣的內(nèi)圓切割機(jī)來完成的。對于300mm的硅片，用線鋸來切片，厚度一般在775±25微米。清洗:半導(dǎo)體硅片必須被清洗使得在發(fā)送給芯片制造廠之前達(dá)到超凈的潔凈狀態(tài)沾污控制凈化間污染分類凈化間沾污、顆粒、金屬雜質(zhì)、有機(jī)物沾污、自然氧化層、靜電釋放（ESD）半導(dǎo)體制造中，可以接受的顆粒尺寸的粗略法則必須小于最小器件特征尺寸的一半金屬污染的主要來源a）化學(xué)溶液b）半導(dǎo)體制造中的各種工序，如:離子注入c）化學(xué)品與傳輸管道反應(yīng)d）化學(xué)品與容器反應(yīng)超凈服的目標(biāo)超凈服系統(tǒng)的目標(biāo)是滿足以下職能標(biāo)準(zhǔn):對身體產(chǎn)生的顆粒和浮質(zhì)的總體抑制超凈服系統(tǒng)顆粒零釋放對ESD的零靜電積累無化學(xué)和生物殘余物的釋放5.什么是可動離子污染金屬雜質(zhì)以離子形式出現(xiàn)，且是高度活動性危害半導(dǎo)體工藝的典型金屬雜質(zhì)是堿金屬。如鈉，就是最常見的可移動離子沾污物，而且移動性最強(qiáng)6.靜電釋放的概念及帶來的問題靜電釋放（ESD）:也是一種形式的沾污，因?yàn)樗庆o電荷從一個物體向另一個物體未經(jīng)控制地轉(zhuǎn)移，可能損壞芯片半導(dǎo)體制造中特別容易產(chǎn)生靜電釋放，因?yàn)楣杵庸け３衷谳^低的濕度中靜電釋放帶來的問題：發(fā)生在幾個納秒內(nèi)的靜電釋放能產(chǎn)生超過1A的峰值電流蒸發(fā)金屬導(dǎo)線和穿透氧化層擊穿柵氧化層的誘因吸附顆粒到硅片表面顆粒越小，靜電的吸引作用就越明顯器件特征尺寸的縮小，更需要嚴(yán)格控制硅片放電7.芯片生產(chǎn)廠房的7種污染源空氣、人、廠房、水、工藝用化學(xué)品、工藝氣體、生產(chǎn)設(shè)備8.硅片表面的顆粒數(shù)與工藝步驟數(shù)之間的關(guān)系圖工藝步驟數(shù)1.清洗清洗清洗清洗工藝步驟數(shù)1.清洗清洗清洗清洗9、硅片清洗的目標(biāo)硅片清洗的目標(biāo)一一去除所有表面沾污、顆粒、有機(jī)物、金屬、自然氧化層工藝腔內(nèi)的氣體控制1.工藝用氣體通常分為哪兩類？通用氣體：氧氣(02)、氮?dú)?N2)、氫氣(H2)、氦氣(He)和氬氣(Ar)，純度要控制在7個9(99.99999%)以上特殊氣體:指一些工藝氣體以及其它在半導(dǎo)體集成電路制造中比較重要的氣體，純度要控制在4個9(99.99%)以上2.常見的初級泵和高級泵常見的兩種初級泵：a)干性機(jī)械泵b)增壓/調(diào)壓泵：可處理大量氣體而不需要潤滑劑，增壓器通常被稱為羅茨增壓泵常見的兩種高真空泵：a)加速分子泵(渦輪泵)：是一種多用途、可靠的潔凈泵，運(yùn)作機(jī)理是機(jī)械化的壓縮功冷凝泵：是一種俘獲式泵，它通過使氣體凝結(jié)并俘獲在泵中的方式去除工藝腔體中的氣體3.質(zhì)量流量計(jì)(MFC)的概念利用氣體的熱傳輸特性，直接測量進(jìn)入腔體的質(zhì)量流量比率，來控制進(jìn)入腔體的氣流4.殘氣分析器(RGA)最常用的用途和基本構(gòu)成用途：用來檢驗(yàn)殘留在已清空系統(tǒng)中的氣體分子的類型、檢漏、工藝中的故障查詢?；緲?gòu)成：一個離子發(fā)生器、一個孔徑、一個分析器和一個探測器。氧化1.氧化物的兩種生產(chǎn)方式熱氧化生長、淀積2.氧化層在芯片制造中有哪幾方面的應(yīng)用？保護(hù)器件免受劃傷和隔離污染限制帶電載流子場區(qū)隔離（表面鈍化）柵氧或儲存器單元結(jié)構(gòu)中的介質(zhì)材料28.金屬導(dǎo)電層間的介質(zhì)層】3.表面鈍化的概念SiO2可以通過束縛Si的懸掛鍵，從而降低它的表面態(tài)密度，這種效果稱為表面鈍化。能防止電性能退化，并減少由潮濕、離子或其他外部污染物引起的漏電流的通路。4.關(guān)于熱氧化的兩個化學(xué)反應(yīng)干氧氧化在沒有水汽的氛圍里進(jìn)行，化學(xué)反應(yīng)方程式為：Si（固）+O2（氣）-SiO2（固）濕氧氧化有水汽參與，氧化反應(yīng)速率較快，化學(xué)反應(yīng)方程式為：Si（固）+2H2O（水汽）-SiO2（固）+2H2（氣）5.氧化物生產(chǎn)初始階段：O與Si反應(yīng)，在硅表面生成二氧化硅生成繼續(xù)氧化：生成的SiO2將阻擋O原子與Si原子直接接觸，所以其后的繼續(xù)氧化是O2原子通過擴(kuò)散穿過已生成的二氧化硅層，向Si一側(cè)運(yùn)動到達(dá)界面進(jìn)行反應(yīng)而增厚的線性階段氧化物生長厚度：X=(B/A)t拋物線階段X=(Bt)1/2X：氧化物生長厚度B/A：為線性速率系數(shù)，溫度升高系數(shù)增大B:拋物線速率系數(shù)t:為生長時間摻雜1.摻雜的兩種方法熱擴(kuò)散:利用高溫驅(qū)動雜質(zhì)穿過硅的晶格結(jié)構(gòu)。這種方法受到時間和溫度的影響離子注入：a通過高壓離子轟擊把雜質(zhì)引入硅片b現(xiàn)代晶片制造中幾乎所有摻雜工藝都是使用離子注入2.列舉半導(dǎo)體制造中常用的四種雜質(zhì)，并說明是N型還是P型。磷N砷N硼P鎵P3.擴(kuò)散發(fā)生需要的兩個必要的條件濃度差、過程所必須得能量4.熱擴(kuò)散的三個步驟，以及它們的作業(yè)預(yù)淀積:為整個擴(kuò)散過程建立濃度梯度、爐溫一般800~10000c推進(jìn)：將由預(yù)淀積引入的雜質(zhì)作為擴(kuò)散源，在高溫下進(jìn)行擴(kuò)散。目的是為了控制表面濃度和擴(kuò)散深度1000~12500c激活：稍為升高爐溫，使雜質(zhì)原子與晶格中的硅原子鍵合5.離子注入的優(yōu)缺點(diǎn)離子注入的優(yōu)點(diǎn)：精確控制雜質(zhì)含量、很好的雜質(zhì)均勻性、對雜質(zhì)穿透深度有很好的控制、產(chǎn)生單一離子束、低溫工藝、注入的離子能穿過薄膜、無固溶度極限離子注入的主要缺點(diǎn)：a）高能雜質(zhì)離子轟擊硅原子將對晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生損傷（可用高溫退火進(jìn)行修復(fù)）6注入設(shè)備的復(fù)雜性（這一缺點(diǎn)被注入機(jī)對劑量和深度的控制能力及整體工藝的靈活性彌補(bǔ)）6.重要的離子輸入?yún)?shù)劑量、射程7.劑量和能量的公式Q=（It）/（enA）I為束流，單位是庫侖每秒（安培）t為注入時間，單位是秒e是電子電荷，等于1.6x10-19庫侖n是離子電荷（比如B+等于1）A是注入面積，單位是cm28.離子輸入設(shè)備的5個主要子系統(tǒng)離子源、引出電極（吸極）和離子分析器、加速管、掃描系統(tǒng)、工藝室9.退火的目的是什么？高溫退火和RTA哪個更優(yōu)越退火能夠加熱被注入硅片，修復(fù)晶格缺陷還能使雜質(zhì)原子移動到晶格點(diǎn)，將其激活RTA更優(yōu)越，此方法不會導(dǎo)致雜質(zhì)的擴(kuò)散，快速的升溫過程和短暫的持續(xù)時間能夠在晶格缺陷的修復(fù)、激活雜質(zhì)和最小化雜質(zhì)擴(kuò)散三者間取得優(yōu)化10.描述溝道效益?？刂茰系佬б娴?種方法當(dāng)注入離子未與硅原子碰撞減速，而是穿透了晶格間隙時，就發(fā)生了溝道效應(yīng)4種方法：傾斜硅片、掩蔽氧化層、硅預(yù)非晶化、使用質(zhì)量較大的原子11.列舉10個使用離子注入的摻雜工藝深埋層、倒摻雜阱、穿通阻擋層、閾值電壓調(diào)整、輕摻雜漏區(qū)（LDD）、源漏注入、多晶硅柵、溝槽電容器、超淺結(jié)、絕緣體上硅（SOI）光刻1.光刻的概念及其本質(zhì)光刻指的是將圖形轉(zhuǎn)移到一個平面的任一復(fù)制過程光刻的本質(zhì)是把臨時電路結(jié)構(gòu)復(fù)制到以后要進(jìn)行刻蝕和離子注入的硅片上2.光刻工藝的8個基本步驟氣相成底膜、旋轉(zhuǎn)涂膠、軟烘、對準(zhǔn)和曝光、曝光后烘焙、顯影、堅(jiān)膜烘焙、顯影檢查3.光刻膠的概念以及其目的光刻膠的概念：一種有機(jī)化合物，受紫外光曝光后，在顯影液中的溶解度會發(fā)生變化光刻膠的目的a）將掩模版圖案轉(zhuǎn)移到硅片表面頂層的光刻膠中b）在后續(xù)工藝中，保護(hù)光刻膠下面的材料（如刻蝕或離子注入的阻擋層）4.光刻膠顯影參數(shù)顯影溫度、顯影時間、顯影液量、當(dāng)量濃度、清洗、排風(fēng)、硅片吸盤5.正膠和負(fù)膠的顯影結(jié)果正性光刻膠：曝光區(qū)域溶解于顯影液，顯影后圖形與掩模版圖形一樣負(fù)性光刻膠：曝光區(qū)域不溶解于顯影液，顯影后圖形與掩模版圖形相反6.常用于光學(xué)光刻的兩種紫外光源汞燈準(zhǔn)分子激光7.反射切口、駐波的概念，抗反射涂層的作用反射切口：在刻蝕形成的垂直側(cè)墻表面，反射光入射到不需要曝光的光刻膠中就會形成反射切口駐波的概念：入射光與反射光發(fā)射干涉引起、引起隨光刻膠厚度變化的不均勻曝光抗反射涂層的作用：減小光反射和阻止光干涉

8.分辨率的概念以及計(jì)算1.其中『k二表示特殊應(yīng)用的因子.范圍是0sH.8九二光源的波長NA上曝光系統(tǒng)的數(shù)值孔徑這個公式表示在光刻中有三個參數(shù)影響分辨光刻膠上幾何圖形的能力;.波長31.數(shù)值孔徑NA.工藝因子k1..從早期的硅片制造以來光刻設(shè)備可分為哪五代？列舉任意兩種的優(yōu)越點(diǎn)接觸式光刻機(jī)、接近式光刻機(jī)、掃描投影光刻機(jī)、分步重復(fù)光刻機(jī)、步進(jìn)掃描光刻機(jī)接觸式光刻機(jī)：圖像失真小，圖形分辨率高接近式光刻機(jī)：掩模版不與光刻膠直接接觸，大大減小了沾污.可能成功代替光學(xué)光刻技術(shù)的4種光刻技術(shù)極紫外（EUV）光刻技術(shù)角度限制投影電子束光刻技術(shù)（SCALPEL）離子束投影光刻技術(shù)（IPL）X射線光刻技術(shù)刻蝕.刻蝕的概念及基本目的刻蝕：用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程基本目的：在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩模圖形.兩種基本的刻蝕工藝干法刻蝕、濕法腐蝕.等離子體的概念等離子體又叫做電漿，是由部分電子被剝奪后的原子及原子被電離后產(chǎn)生的正負(fù)電子組成的離子化氣體狀物質(zhì)，它廣泛存在于宇宙中，常被視為是除去固、液、氣外，物質(zhì)存在的第四態(tài)。.選擇比的概念同一刻蝕條件下一種材料與另一種材料相比刻蝕速率快多少，定義為被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比。.負(fù)載和微負(fù)載效益的概念負(fù)載效應(yīng)：要刻蝕硅片表面的大面積區(qū)域，則會耗盡刻蝕劑濃度使刻蝕速率慢下來；如果刻蝕的面積比較小，則刻蝕會快些微負(fù)載效應(yīng)（深寬比相關(guān)刻蝕（ARDE））——具有高深寬比硅槽的刻蝕速率要上匕具有低深寬比硅槽的刻蝕速率慢.干法刻蝕的應(yīng)用介質(zhì)：氧化物和氮化硅硅：多晶硅柵和單晶硅槽金屬：鋁和鎢.濕法腐蝕相比干法刻蝕的優(yōu)點(diǎn)對材料具有高的選擇比不會對器件帶來等離子體損傷淀積.淀積膜的過程的三個不同階段a）晶核形成，成束的穩(wěn)定小晶核形成b）聚集成束，也稱為島生長c）形成連續(xù)的膜.化學(xué)氣相淀積（CVD）的概念，有哪五種基本化學(xué)反應(yīng)？化學(xué)氣相淀積（CVD）的概念：通過氣體混合的化學(xué)反應(yīng)在硅片表面淀積一層固體膜的工藝高溫分解、光分解、還原反應(yīng)、氧化反應(yīng)、氧化還原反應(yīng).CVD中質(zhì)量傳輸限制和表面反應(yīng)控制限制的概念質(zhì)量傳輸限制：a）CVD反應(yīng)的速率不可能超過反應(yīng)氣體傳輸?shù)焦杵系乃俾蔮）無論溫度如何，若傳輸?shù)焦杵砻婕铀俜磻?yīng)的反應(yīng)氣體的量都不足。在此情況下，CVD工藝通常是受質(zhì)量傳輸所限制的表面反應(yīng)控制限制：a）在更低的反應(yīng)溫度和壓力下，驅(qū)動表面反應(yīng)的能量更小，表面反應(yīng)速度會降低b）反應(yīng)物到達(dá)表面的速度將超過表面化學(xué)反應(yīng)的速度c）這種情況下，淀積速度是受化學(xué)反應(yīng)速度限制的.APCVDTEOS-O3方法淀積SiO2的反應(yīng)方程式；用PECVD制備SiO2反應(yīng)方程式；LPCVD淀積多晶硅和PECVD淀積氮化硅的化學(xué)反應(yīng)方程式APCVDTEOS-O3方法:Si（C2H5O4）+8O3——>SiO2+10H2O+8CO2PECVD：SiH4（氣態(tài)）+2N2O（氣態(tài)）——>SiO2（固態(tài)）+2N2（氣態(tài)）+2H2（氣態(tài)）LPCVD:多晶硅：SiH4（氣態(tài)）——>Si（固態(tài)）+2H2（氣態(tài)）氮化硅：35612H2（氣態(tài)）+4NH3（氣態(tài)）——>Si3N4（固態(tài)）+6HCl（氣態(tài)）+6H2（氣態(tài)）.HDPCVD工藝的五個步驟a）離子誘導(dǎo)淀積：指離子被托出等離子體并淀積形成間隙填充的現(xiàn)象b）濺射刻蝕:具有一定能量的Ar和因?yàn)楣杵帽晃奖∧さ姆磻?yīng)離子轟擊表面并刻蝕原子c）再次淀積：原子從間隙的底部被剝離，通常會再次淀積到側(cè)壁上d）熱中性CVD:這對熱能驅(qū)動的一些淀積反應(yīng)有很小的貢獻(xiàn)；e）反射：離子反射出側(cè)壁，然后淀積，是另一種貢獻(xiàn).外延的概念，以及IC制作中一般采用的三種外延方法外延：在單晶襯底上淀積一層薄的單晶層三種外延方法:氣相外延（VPE）金屬有機(jī)CVD（MOCVD）分子束外延（MBE）.介質(zhì)材料的3個主要用途，其中哪個的發(fā)展趨勢是高K哪個是低K?層間介質(zhì)（ILD）低K柵氧化層高K器件隔離.隨著特征尺寸的減少，門延遲與互連延遲分別怎么變化？門延遲降低、互連延遲增大金屬化.金屬化，互連，接觸，通孔的概念金屬化：應(yīng)用化學(xué)或物理處理方法在絕緣介質(zhì)薄膜上淀積金屬薄膜隨后刻印圖形以便形成互連金屬線和集成電路的孔填充塞的過程互連（interconnect）：由導(dǎo)電材料，如鋁、多晶硅或銅制成的連線將電信號傳輸?shù)叫酒牟煌糠纸佑|（contact）硅芯片內(nèi)的器件與第一層金屬之間在硅表面的連接通孔（via）穿過各種介質(zhì)層從某一金屬層到毗鄰的另一金屬層形成電通路的開口.硅芯片制造業(yè)中各種金屬和金屬合金鋁、鋁銅合金、銅、阻擋層金屬、硅化物、金屬填充塞.IC互連金屬化引入銅的優(yōu)點(diǎn)a）電阻率的減小：在20℃時，互連金屬線的電阻率從鋁的2.65mW-cm減小到銅的1.678mW-cm；減少RC的信號延遲，增加芯片速度b）功耗的減少：減小了線的寬度，降低了功耗c）更高的集成密度：更窄的線寬，允許更高密度的電路集成，這意味著需要更少的金屬層d）良好的抗電遷徒性能：銅不需要考慮電遷徒問題e）更少的工藝步驟：用大馬士革方法處理銅具有減少工藝步驟20%to30%的潛力.自對準(zhǔn)金屬硅化物的形成工藝剖面圖惻堵氧化層場氧化層1:Si。，淀積說明:用PECVD淀積內(nèi)層氧化硅到希望的厚度，這里沒有關(guān)鍵的間隙填充，因此PECVD是可以接受的口

53確定互連圖形Photoresist說明:光刻確定氧化硅槽圖形，帶膠口在確定圖形之前將通孔窗口放在槽里。4:淀積保留介質(zhì)的Si。說明,為保留層間介質(zhì)，PECVD氧化硅淀6：刻蝕互連槽和通孔說明:在層間介質(zhì)氧化硅中干法刻蝕溝道，停止在W層口穿過S1M層中的開口繼續(xù)刻蝕形成通孔窗口.說明:7;淀積阻擋金屬層說明:在槽和通孔的底部及側(cè)壁用離子化的P￥D淀積鋁（耶）和氮化鋰擴(kuò)散層口

說明:9,淀積銅填充說明： 用電化學(xué)淀積（ECD）.淀積銅填充，即填充通孔窗口也填充槽.9,淀積銅填充說明： 用電化學(xué)淀積（ECD）.淀積銅填充，即填充通孔窗口也填充槽./銅層8;淀積銅種子層銅種子層說明:用CVD.淀積連續(xù)的銅種子層,種子層必須是均勻的并且沒有針孔.10：用CRIP清除額外的銅說明:用CMP清除額外的銅，這一過程平坦化了表面并為下道工序做了準(zhǔn)備.最后的表面是一個金屬鑲嵌在介質(zhì)內(nèi),形成電路的平面結(jié)構(gòu)口器件技術(shù)簡介說明:用CMP清除額外的銅，這一過程平坦化了表面并為下道工序做了準(zhǔn)備.最后的表面是一個金屬鑲嵌在介質(zhì)內(nèi),形成電路的平面結(jié)構(gòu)口器件技術(shù)簡介.無源元件和有源元件分別含哪些？無源元件：電阻、電容有源元件：二極管、晶體管.增強(qiáng)型和耗盡型MOSFET的區(qū)別DramMOSFET雙nMOS二主徽片邈麴於DramMOSFET雙nMOS二主徽片邈麴於n-typesilkonsubstrateCMOS集成電路制造工藝.亞微米CMOSIC制造廠可分成哪六個獨(dú)立的生產(chǎn)區(qū)離子注入、拋光擴(kuò)散（包括氧化、膜淀積和摻雜工藝）、光刻、刻蝕、薄膜、離子注入、拋光.以雙阱工藝的CMOS反相器為例，CMOS制作的具體步驟，以及前六個步驟的剖面圖；或在完整剖面圖上表示各個步驟的位置

A以雙葉工藝的CMOS反相器為例工雙阱1藝淺槽隔離工藝， 多晶程柵結(jié)構(gòu)工藝.輕摻雜漏(LDD)注入工藝.側(cè)塔的形成. 源/漏(S/D)注入工藝工裝觸亂的形成.局部互連工藝.通孔1和金屬塞1的形成.金屬1互連的形成.通貯和金屬塞2的形成.全屬2互連的形成.制作金屬3直到制作壓點(diǎn)及合金.參數(shù)測試STI工藝的三個步驟及剖面圖槽刻蝕氧化物填充氧化物平坦化硅片測試.各種薄膜厚度的典型測試技術(shù)橢偏儀：非破壞、非接觸的光學(xué)薄膜厚度測試技術(shù)，主要用于測透明的薄膜X射線熒光技術(shù)：主要用于單層薄膜的測量光聲技術(shù)：可用于測量金屬薄層.摻雜濃度的