數(shù)字三極管行業(yè)發(fā)展概況半導(dǎo)體行業(yè)工藝制程持續(xù)升級(jí)，CMP市場(chǎng)穩(wěn)定增長(zhǎng)半導(dǎo)體行業(yè)高景氣帶動(dòng)CMP市場(chǎng)穩(wěn)定增長(zhǎng)。伴隨半導(dǎo)體材料行業(yè)景氣度向上，CMP材料市場(chǎng)有望受下游市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)，保持穩(wěn)健增速。2020年全球拋光液和拋光墊全球市場(chǎng)規(guī)模分別為13．4和8．2億美元。中國(guó)CMP材料市場(chǎng)漲幅趨勢(shì)與國(guó)際一致，2021年拋光液和拋光墊市場(chǎng)規(guī)模分別為22和13億元。中國(guó)正全面發(fā)展半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)，CMP拋光產(chǎn)業(yè)未來增長(zhǎng)空間廣闊。先進(jìn)制程為CMP材料市場(chǎng)擴(kuò)容提供動(dòng)力。隨著芯片制程不斷微型化，IC芯片互聯(lián)結(jié)構(gòu)變得更加復(fù)雜，所需拋光次數(shù)和拋光材料的種類也逐漸變多。在芯片制造過程中，需要將電路以堆疊的方式組合起來，制程越精細(xì)，所堆疊的層數(shù)就越多。在堆疊的過程中，需要使用到氧化層、介質(zhì)層、阻擋層、互連層等多個(gè)薄膜層交錯(cuò)排列，且每個(gè)薄膜層所用到的拋光材料也不相同。此外，隨著D存儲(chǔ)芯片結(jié)構(gòu)逐漸由2D轉(zhuǎn)向3D，CMP拋光層數(shù)和所用到的拋光材料種類也在不斷增加。根據(jù)美國(guó)陶氏杜邦公司公開數(shù)據(jù)，5nm制程中拋光次數(shù)將達(dá)25-34次，64層3DD芯片中的拋光次數(shù)將達(dá)到17-32次，拋光次數(shù)均較前一代制程大幅增加。伴隨制程工藝的發(fā)展，CMP材料市場(chǎng)有望不斷擴(kuò)容，成長(zhǎng)空間較大。專用化、定制化拋光材料為未來發(fā)展趨勢(shì)。定制化發(fā)展有望給國(guó)產(chǎn)企業(yè)帶來更多機(jī)遇，國(guó)內(nèi)CMP拋光材料企業(yè)可以憑借本土化優(yōu)勢(shì)與國(guó)內(nèi)晶圓制造商展開深度合作，專注于具有專用性產(chǎn)品的研發(fā)。專用化、定制化有望成為CMP材料制造商產(chǎn)業(yè)升級(jí)趨勢(shì)。為匹配晶圓加工制程，CMP技術(shù)平整度要求高。CMP拋光材料的技術(shù)更新動(dòng)力源自下游晶圓的技術(shù)更新。晶圓制程工藝不斷提升，從10nm到現(xiàn)在5nm、3nm，工藝制程迭代速度極快。為了滿足精細(xì)化程度更高的工藝制程，對(duì)CMP材料的要求也隨之變高。當(dāng)前IC芯片要求全局平整落差100A°-1000A°（約等于原子級(jí)10-100nm）的超高平整度。配方的調(diào)配為一大技術(shù)難點(diǎn)。由于CMP拋光液應(yīng)用眾多，不同的客戶有不同的需求，專用性較強(qiáng)，且需要加入氧化劑、絡(luò)合劑、表面活性劑、緩蝕劑等多種添加試劑，如何調(diào)配出合適的拋光液配方需要企業(yè)長(zhǎng)時(shí)間的技術(shù)積累和不斷的研發(fā)嘗試。目前許多配方受到專利保護(hù)，行業(yè)研發(fā)壁壘高。試錯(cuò)成本高、認(rèn)證時(shí)間長(zhǎng)。企業(yè)需要不斷找到合適配方、穩(wěn)定制作工藝及設(shè)計(jì)圖案，從而獲得較好的、穩(wěn)定的拋光速率和拋光效果，因此CMP材料的研究消耗時(shí)間成本較高，需要較長(zhǎng)時(shí)間來試錯(cuò)摸索工藝指標(biāo)、產(chǎn)品配方等對(duì)物理參數(shù)及性能的影響，形成較高的行業(yè)know-how壁壘。半導(dǎo)體材料景氣持續(xù)，市場(chǎng)空間廣闊半導(dǎo)體是指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。無論從科技或經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體都至關(guān)重要。2010年以來，全球半導(dǎo)體行業(yè)從PC時(shí)代進(jìn)入智能手機(jī)時(shí)代，成為全球創(chuàng)新最為活躍的領(lǐng)域，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、消費(fèi)類電子、網(wǎng)絡(luò)通信和汽車電子等核心領(lǐng)域。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主要由集成電路、光電子、分立器件和傳感器組成，據(jù)WSTS世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織預(yù)測(cè)，到2022年全球集成電路占比84．22%，光電子器件、分立器件、傳感器占比分別為7．41%、5．10%和3．26%。半導(dǎo)體工藝復(fù)雜，技術(shù)壁壘極高。芯片生產(chǎn)大體可分為硅片制造、芯片制造和封裝測(cè)試三個(gè)流程。其中硅片制造包括提純、拉單晶、磨外圓、切片、倒角、磨削、CMP、外延生長(zhǎng)等工藝，芯片制造包括清洗、沉積、氧化、光刻、刻蝕、摻雜、CMP、金屬化等工藝，封裝測(cè)試包括減薄、切割、貼片、引線鍵合、模塑、電鍍、切筋成型、終測(cè)等工藝。整體而言，硅片制造和芯片制造兩個(gè)環(huán)節(jié)技術(shù)壁壘極高。硅提純：目前多晶硅廠商多采用三氯氫硅改良西門子法進(jìn)行多晶硅生產(chǎn)。具體工藝是將氯化氫和工業(yè)硅粉在沸騰爐內(nèi)合成三氯氫硅，通過精餾進(jìn)一步提純高純?nèi)葰涔瑁笤?100℃左右用高純氫還原高純?nèi)葰涔瑁啥嗑Ч璩练e在硅芯上，進(jìn)而得到電子級(jí)多晶硅。拉單晶：目前8寸和12寸硅片大多通過直拉法制備，部分6寸和8寸硅片則通過區(qū)熔法制得。直拉法是將高純多晶硅放入石英坩堝內(nèi)，通過外圍的石墨加熱器加熱至1400℃，隨后坩堝帶著多晶硅融化物旋轉(zhuǎn)，將一顆籽晶浸入其中后，由控制棒帶著籽晶作反方向旋轉(zhuǎn)，同時(shí)慢慢地、垂直地由硅融化物中向上拉出，并在拉出后和冷卻后生長(zhǎng)成了與籽晶內(nèi)部晶格方向相同的單晶硅棒。區(qū)熔法利用高頻線圈在多晶硅棒靠近籽晶一端形成熔化區(qū)，移動(dòng)硅棒或線圈使熔化區(qū)超晶體生長(zhǎng)方向不斷移動(dòng)，向下拉出得到單晶硅棒。切片：?jiǎn)尉Ч璋粞心コ上嗤睆剑缓蟾鶕?jù)客戶要求的電阻率，多采用線切割將晶棒切成約1mm厚的晶圓薄片。倒角：用具備特定形狀的砂輪磨去硅片邊緣鋒利的崩邊、棱角和裂縫等，可防止晶圓邊緣碎裂，增加外延層和光刻膠層在晶圓邊緣的平坦度。磨削：在研磨機(jī)上用磨料將切片拋光到所需的厚度，同時(shí)提高表面平整度。其目的在于去除切片工序中硅片表面因切割產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力損傷層和各種金屬離子等雜質(zhì)污染。清洗：為了解決硅片表面的沾污問題，實(shí)現(xiàn)工藝潔凈表面，多采用強(qiáng)氧化劑、強(qiáng)酸和去離子水進(jìn)行清洗。薄膜沉積：即通過晶核形成、聚集成束、形成連續(xù)的膜沉積在硅片沉底上。薄膜沉積按照原理可分為物理工藝（PVD）和化學(xué)工藝（CVD）。集成電路制造中使用最廣泛的PVD技術(shù)是濺射鍍膜，其基本原理是在反應(yīng)腔高真空度背景下帶正電的氬離子在電場(chǎng)作用下，轟擊到靶材的表面，撞擊出靶材的原子或分子，沉積在硅片表面。化學(xué)氣相沉積技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜。氧化：清潔完成后將晶圓置于800-1200℃的高溫環(huán)境下，通過氧氣或蒸氣在晶圓表面形成二氧化硅層，以保護(hù)晶圓不受化學(xué)雜質(zhì)影響、避免漏電流進(jìn)入電路、預(yù)防離子植入過程中的擴(kuò)散以及防止晶圓在刻蝕時(shí)滑落。光刻：光刻技術(shù)用于電路圖形生成和復(fù)制，是半導(dǎo)體制造最為關(guān)鍵的技術(shù)，耗時(shí)占IC制造50%，成本占IC制造1/3。其主要流程包括清洗、涂膠、前烘、對(duì)準(zhǔn)、曝光、后烘、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等，在光刻過程中，需在硅片上涂一層光刻膠，經(jīng)紫外線曝光后，光刻膠發(fā)生變化，顯影后被曝光的光刻膠可以被去除，電路圖形由掩模版轉(zhuǎn)移到光刻膠上，在經(jīng)過刻蝕后電路圖形即由掩模版轉(zhuǎn)移到硅片上?？涛g：是半導(dǎo)體制造工藝中的關(guān)鍵步驟，對(duì)于器件的電學(xué)性能十分重要。利用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料，目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩模版圖形。按照刻蝕工藝劃分，刻蝕主要分為干法刻蝕和濕法刻蝕，目前干法刻蝕在半導(dǎo)體刻蝕中占比約90%，而干法刻蝕又可分為化學(xué)去除、物理去除及化學(xué)物理混合去除三種方式，性能各有優(yōu)劣。摻雜：在半導(dǎo)體晶圓制造中，由于純凈硅的導(dǎo)電性能很差，需要加入少量雜質(zhì)使其結(jié)構(gòu)和電導(dǎo)率發(fā)生變化，從而變成一種有用的半導(dǎo)體，即為摻雜。目前可通過高溫?zé)釘U(kuò)散法和離子注入法進(jìn)行摻雜，其中離子注入法具備精確控制能量和劑量、摻雜均勻性好、純度高、低溫?fù)诫s等優(yōu)點(diǎn)，目前已成為0．25微米特征尺寸以下和大直徑硅片制造的標(biāo)準(zhǔn)工藝。CMP：是集成電路制造過程中實(shí)現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝，其主要工作原理是在一定壓力及拋光液的存在下，被拋光的晶圓對(duì)拋光墊做相對(duì)運(yùn)動(dòng)，借助納米磨料的機(jī)械研磨作用與各類化學(xué)試劑的化學(xué)作用之間的高度有機(jī)結(jié)合，使被拋光的晶圓表面達(dá)到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。金屬化：在制備好的元器件表面沉積金屬薄膜，并進(jìn)行微細(xì)加工，利用光刻和刻蝕工藝刻出金屬互連線，然后把硅片上的各個(gè)元器件連接起來形成一個(gè)完整的電路系統(tǒng)，并提供與外電路連接點(diǎn)的工藝過程。半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈概況半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈主要包含芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造和封裝測(cè)試三大核心環(huán)節(jié)，此外還有為晶圓制造與封裝測(cè)試環(huán)節(jié)提供所需材料及專業(yè)設(shè)備的支撐產(chǎn)業(yè)鏈。作為資金與技術(shù)高度密集行業(yè)，半導(dǎo)體行業(yè)形成了專業(yè)分工深度細(xì)化、細(xì)分領(lǐng)域高度集中的特點(diǎn)。（一）芯片設(shè)計(jì)行業(yè)概況根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)公開信息顯示，2020年度，國(guó)內(nèi)芯片設(shè)計(jì)行業(yè)銷售規(guī)模達(dá)到3，778．4億元，同比增長(zhǎng)23．34%，2015-2020年的復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到了23．32%。芯片設(shè)計(jì)未來的增長(zhǎng)邏輯在于整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，主要在國(guó)產(chǎn)化率提高、5G以及物聯(lián)網(wǎng)帶來的新一輪機(jī)遇。（二）晶圓制造行業(yè)概況晶圓制造的工藝非常復(fù)雜，在晶圓制造中，共有七大工藝步驟，分別為氧化/擴(kuò)散、光刻、刻蝕、薄膜生長(zhǎng)、離子注入、清洗與拋光、金屬化，整個(gè)生產(chǎn)過程可能涉及上千道加工工序。1、晶圓制造行業(yè)產(chǎn)業(yè)集中趨勢(shì)明顯由于集成電路制造業(yè)務(wù)投入金額巨大產(chǎn)能爬坡周期較長(zhǎng)、技術(shù)門檻要求較高等特征，整個(gè)集成電路制造行業(yè)的產(chǎn)業(yè)集中度逐漸提高。從集成電路制造產(chǎn)能廠商分布來看，近年來集成電路制造廠商所擁有的產(chǎn)能份額也呈現(xiàn)出較為明顯的集中趨勢(shì)，其中，排名前五的集成電路廠商產(chǎn)能份額由2009年中的36%升至2020年末的54%，排名前十的集成電路廠商產(chǎn)能份額由2009年中的54%升至2020年末的70%。從晶圓制造產(chǎn)能地域分布來看，根據(jù)ICInsight統(tǒng)計(jì)，截至2020年12月，中國(guó)臺(tái)灣和韓國(guó)集成電路制造產(chǎn)能占比最高，分別為約450萬片/月和410萬片/月（等效8英寸），占比分別約為21．63%和19．71%，中國(guó)大陸集成電路制造產(chǎn)能約為330萬片/月，占比約為15．87%。2、晶圓制造行業(yè)高端制程產(chǎn)能集中于中國(guó)臺(tái)灣和韓國(guó)，中國(guó)大陸仍存在較為明顯的差距從集成電路制造制程的地域分布來看，根據(jù)ICInsight統(tǒng)計(jì)，截至2020年12月，小于10nm制程的產(chǎn)能均集中于中國(guó)臺(tái)灣和韓國(guó)地區(qū)，中國(guó)大陸集成電路制造產(chǎn)能仍以20nm以上為主。3、受益于全球半導(dǎo)體需求，集成電路制造行業(yè)投資預(yù)計(jì)大幅增加根據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）統(tǒng)計(jì)，目前全球半導(dǎo)體需求正在高位，而集成電路產(chǎn)能不足和芯片短缺已經(jīng)波及多個(gè)行業(yè)。由于通常集成電路生產(chǎn)線的建設(shè)平均需要耗費(fèi)18-24個(gè)月，短期內(nèi)集成電路制造廠商充分利用現(xiàn)有產(chǎn)能。自2020年12月起，集成電路廠商的平均產(chǎn)能利用率甚至超過了95%。長(zhǎng)期來看，自2021年開始，集成電路制造行業(yè)已經(jīng)展現(xiàn)出明顯的高投資趨勢(shì)。2021年全球半導(dǎo)體新建產(chǎn)線投資規(guī)模也將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的1，480億美元，較2020年增長(zhǎng)超過30%。并且預(yù)計(jì)2021年至2025年半導(dǎo)體制造行業(yè)投資規(guī)模平均為1，560億美元，較2016年至2020年的年均投資規(guī)模970億美元大幅增長(zhǎng)61%。半導(dǎo)體制程升級(jí)，銅鉭靶材有望成為主流根據(jù)靶材制造工藝的不同，可分為粉末冶金法和熔融鑄造法。粉末冶金法主要有熱等靜壓法、熱壓法、冷壓-燒結(jié)法三種方法，通過將各種原料粉混合再燒結(jié)成形的方式得到靶材，該方法優(yōu)點(diǎn)是靶材成分較為均勻、機(jī)械性能好、生產(chǎn)效率高、節(jié)約原材料成本，缺點(diǎn)是含氧量量高、密度低。熔融鑄造法主要有真空感應(yīng)熔煉、真空電弧熔煉、真空電子束熔煉等方法，通過機(jī)械加工將熔煉后的鑄錠制備成靶材，該制造方法的優(yōu)點(diǎn)是靶材雜質(zhì)含量低、密度高、可大型化，缺點(diǎn)是對(duì)兩種合金密度相似度要求高、較難做到成分均勻化。根據(jù)化學(xué)成分的不同，靶材可分為單質(zhì)金屬靶材、合金靶材和陶瓷化合物靶材三種。單質(zhì)金屬靶材包括純金屬鋁、鈦、銅等；合金靶材包括鎳鉻合金和鎳鈷合金等；陶瓷化合物靶材包括氧化物、硅化物、碳化物、硫化物等。在半導(dǎo)體晶圓制造中，8英寸及以下晶圓通常以鋁制程為主，多數(shù)使用的靶材為鋁、鈦靶材。12英寸晶圓制造，多使用先進(jìn)的銅互連技術(shù)，以銅、鉭靶材為主。全球半導(dǎo)體靶材市場(chǎng)漲幅穩(wěn)定，中國(guó)市場(chǎng)增速更為顯著。根據(jù)華經(jīng)情報(bào)網(wǎng)數(shù)據(jù)，2020年全球半導(dǎo)體靶材市場(chǎng)規(guī)模突破10億美元，同比上漲4%，2021年預(yù)計(jì)達(dá)10．4億美元。近年來國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)高速發(fā)展，半導(dǎo)體靶材市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大。自2019年起，受新冠疫情影響，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)芯片緊缺，上游半導(dǎo)體靶材行業(yè)迎來高速成長(zhǎng)期，2020年中國(guó)半導(dǎo)體靶材行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)至17億元，同比上升12．88%，漲勢(shì)明顯。2022年市場(chǎng)缺芯現(xiàn)象仍將持續(xù)，有望進(jìn)一步促進(jìn)半導(dǎo)體靶材市場(chǎng)需求量的上升。超高純金屬提純技術(shù)是核心壁壘。先進(jìn)半導(dǎo)體等高端制造行業(yè)所需金屬純度在6N及以上，一般的金屬提純技術(shù)無法滿足此要求。目前超高純銅、超高純鋁等多項(xiàng)核心專利技術(shù)掌握在如美國(guó)霍尼韋爾、日本日礦等外資巨頭手中。我國(guó)企業(yè)已在純化研究上取得一定突破，如有研億金的超純銅靶材已達(dá)到7N水平，并實(shí)現(xiàn)100噸/年的量產(chǎn)，有望在未來逐漸完成。美國(guó)企業(yè)為全球靶材市場(chǎng)主要廠商。亦如大多數(shù)半導(dǎo)體材料行業(yè)的細(xì)分市場(chǎng)，全球靶材市場(chǎng)主要由日本和美國(guó)企業(yè)占據(jù)。日本日礦金屬、美國(guó)霍尼韋爾、日本東曹和美國(guó)普萊克斯四家占據(jù)全球80%的市場(chǎng)份額。其中，日本日礦金屬所占市場(chǎng)份額最多，達(dá)30%。中國(guó)靶材市場(chǎng)呈外資壟斷格局。海外靶材公司憑借先發(fā)優(yōu)勢(shì)和數(shù)十年技術(shù)研發(fā)的沉淀，在國(guó)內(nèi)靶材市場(chǎng)中占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，市場(chǎng)份額達(dá)70%。國(guó)內(nèi)靶材企業(yè)包括江豐電子、阿石創(chuàng)、隆華科技等，市場(chǎng)份額在1%-3%左右。目前我國(guó)靶材行業(yè)相關(guān)聯(lián)企業(yè)數(shù)量較少，江豐電子、阿石創(chuàng)、隆華科技靶材業(yè)務(wù)占比較高。美國(guó)、日本等高純金屬制造商主要集中在技術(shù)壁壘較高的高端靶材產(chǎn)品領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)廠商競(jìng)爭(zhēng)集中在中低端產(chǎn)品領(lǐng)域。半導(dǎo)體行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局高度集中，國(guó)內(nèi)廠商加速追趕CMP拋光液市場(chǎng)，美國(guó)Carbot是國(guó)際龍頭，安集科技為國(guó)內(nèi)龍頭。目前全球拋光液市場(chǎng)主要由美日廠商壟斷，美國(guó)Cabot、美國(guó)Versum、日本日立、日本Fujimi和美國(guó)陶氏杜邦五家美日廠商占據(jù)全球拋光液近八成的市場(chǎng)份額，安集科技僅占約3%。國(guó)內(nèi)市場(chǎng)中，美國(guó)Cabot占約64%，安集科技市占率為22%。安集科技為國(guó)產(chǎn)CMP拋光液龍頭，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率超兩成。公司2015-2016年先后承擔(dān)兩個(gè)02專項(xiàng)項(xiàng)目，專注于持續(xù)優(yōu)化14nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)以上產(chǎn)品的穩(wěn)定性，測(cè)試優(yōu)化14nm及以下產(chǎn)品的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，開發(fā)用于128層以上3DD和19/17nm以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)DRAM用銅及銅阻擋層拋光液。目前公司CMP拋光液13-14nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)，下游客戶包括中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、臺(tái)積電、華虹半導(dǎo)體等主流晶圓廠商。全球拋光墊市場(chǎng)一家獨(dú)大，穩(wěn)步前進(jìn)。當(dāng)前全球拋光墊市場(chǎng)主要由美國(guó)的陶氏杜邦壟斷，市占率高達(dá)79%，其他公司如美國(guó)Cabot、日本Fujimi、日本Hitachi等市占率在5%以內(nèi)。內(nèi)資企業(yè)中，鼎龍股份、江豐電子和萬華化學(xué)具備相應(yīng)的生產(chǎn)力。其中，鼎龍股份為國(guó)內(nèi)拋光墊龍頭企業(yè)，生產(chǎn)的拋光墊意在對(duì)標(biāo)美國(guó)陶氏杜邦集團(tuán)。隨著國(guó)內(nèi)晶圓廠擴(kuò)張，需求提升，為確保供應(yīng)鏈的穩(wěn)定，內(nèi)資企業(yè)迎來發(fā)展潮。濕電子化學(xué)品貫穿整個(gè)芯片制造流程，是重要的晶圓制造材料。濕電子化學(xué)品又稱工藝化學(xué)品，是指主體成分純度大于99．99%，雜質(zhì)離子和微粒數(shù)符合嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)的化學(xué)試劑。在IC芯片制造中，濕電子化學(xué)品常用于清洗、光刻和蝕刻等工藝，可有效清除晶圓表面殘留污染物、減少金屬雜質(zhì)含量，為下游產(chǎn)品質(zhì)量提供保障。在半導(dǎo)體制造工藝中主要用于集成電路前端的晶圓制造及后端的封裝測(cè)試，用量較少，但產(chǎn)品純度要求高、價(jià)值量大。根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域的不同，濕電子化學(xué)品可分為通用化學(xué)品和功能性化學(xué)品。其中通用化學(xué)品指主體成分純度大于99．99%、雜質(zhì)離子含量低于PPM級(jí)和塵埃顆粒粒徑在0．5μm以下的單一高純?cè)噭９δ軡耠娮踊瘜W(xué)品指可通過復(fù)配滿足制造中特殊工藝需求、達(dá)到某些特定功能的配方類和復(fù)配類液體化學(xué)品。其中通用化學(xué)品廣泛應(yīng)用于IC芯片、液晶顯示面板和LED制造領(lǐng)域，包括氫氟酸、硫酸、磷酸、鹽酸、硝酸、乙酸等。功能性濕電子以光刻膠配套試劑為代表，包括顯影液、漂洗液、剝離液等。半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)?？焖僭鲩L(zhǎng)，本土廠商進(jìn)展順利進(jìn)入21世紀(jì)以來，5G、人工智能、自動(dòng)駕駛等新應(yīng)用的興起，對(duì)芯片性能提出了更高的要求，同時(shí)也推動(dòng)了半導(dǎo)體制造工藝和新材料不斷創(chuàng)新，國(guó)內(nèi)外晶圓廠加緊對(duì)于半導(dǎo)體新制程的研發(fā)，臺(tái)積電已于2020年開啟了5nm工藝的量產(chǎn)，并于2021年年底實(shí)現(xiàn)3nm制程的試產(chǎn)，預(yù)計(jì)2022年開啟量產(chǎn)。此外臺(tái)積電表示已于2021年攻克2nm制程的技術(shù)節(jié)點(diǎn)的工藝技術(shù)難題，并預(yù)計(jì)于2023年開始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2024年逐步實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。隨著芯片工藝升級(jí)，晶圓廠商對(duì)半導(dǎo)體材料要求越來越高。目前部分終端需求仍然強(qiáng)勁，晶圓代工廠產(chǎn)能利用率維持歷史高位，預(yù)計(jì)全年來看結(jié)構(gòu)性缺貨狀態(tài)依舊嚴(yán)峻。據(jù)SEMI于2022年3月23日發(fā)布的最新一季全球晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告，全球用于前道設(shè)施的晶圓廠設(shè)備支出預(yù)計(jì)將同比增長(zhǎng)18%，并在2022年達(dá)到1070億美元的歷史新高。由于半導(dǎo)體材料與下游晶圓廠具有伴生性特點(diǎn)，本土材料廠商將直接受益于中國(guó)大陸晶圓制造產(chǎn)能的大幅擴(kuò)張。成熟制程供需持續(xù)緊張，國(guó)內(nèi)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)規(guī)模維持高位。受益于成熟制程旺盛需求及大陸地區(qū)穩(wěn)定的供應(yīng)鏈，大陸晶圓廠快速擴(kuò)產(chǎn)。根據(jù)SEMI報(bào)告，2022年全球有75個(gè)正在進(jìn)行的晶圓廠建設(shè)項(xiàng)目，計(jì)劃在2023年建設(shè)62個(gè)。2022年有28個(gè)新的量產(chǎn)晶圓廠開始建設(shè)，其中包括23個(gè)12英寸晶圓廠和5個(gè)8英寸及以下晶圓廠。分區(qū)域來看，中國(guó)晶圓產(chǎn)能增速全球最快，預(yù)計(jì)22年8寸及以下晶圓產(chǎn)能增加9%，12寸晶圓產(chǎn)能增加17%。隨著下游電子設(shè)備硅含量增長(zhǎng)，半導(dǎo)體需求快速增長(zhǎng)。在半導(dǎo)體工藝升級(jí)+積極擴(kuò)產(chǎn)催化下，半導(dǎo)體材料市場(chǎng)快速增長(zhǎng)。據(jù)SEMI報(bào)告數(shù)據(jù)，2021年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)收入達(dá)到643億美元，超過了此前2020年555億美元的市場(chǎng)規(guī)模最高點(diǎn)，同比增長(zhǎng)15．9%。晶圓制造材料和封裝材料收入總額分別為404億美元和239億美元，同比增長(zhǎng)15．5%和16．5%。此外，受益于產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移趨勢(shì)，2021年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料銷售額高達(dá)119．3億美元，同比增長(zhǎng)22%，增速遠(yuǎn)高于其他國(guó)家和地區(qū)。半導(dǎo)體材料種類繁多，包括硅片、電子特氣、掩模版、光刻膠、濕電子化學(xué)品、拋光液、拋光墊、靶材等。據(jù)SEMI數(shù)據(jù)顯示，硅片為半導(dǎo)體材料領(lǐng)域規(guī)模最大的品類之一，市場(chǎng)份額占比達(dá)32．9%，排名第一，其次為氣體，占比約14．1%，光掩模排名第三，占比為12．6%。此外，拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學(xué)品、濺射靶材的占比分別為7．2%、6．9%、6．1%、4%和3%。半導(dǎo)體細(xì)分行業(yè)概況（一）分立器件行業(yè)概況分立器件是指具有單一功能的電路基本元件，如二極管、晶體管等，主要實(shí)現(xiàn)電能的處理與變換，是半導(dǎo)體市場(chǎng)重要的細(xì)分領(lǐng)域。受益于國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策對(duì)新興產(chǎn)業(yè)的大力支持和對(duì)傳統(tǒng)行業(yè)的升級(jí)改造，我國(guó)半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)步增長(zhǎng)。2018年度至2020年度，我國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)銷售規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2020年度我國(guó)半導(dǎo)體分立器件銷售額達(dá)2，966．3億元，同比增長(zhǎng)7．0%。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)預(yù)測(cè)，我國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)銷售規(guī)模將在2021年至2023年度繼續(xù)保持增長(zhǎng)，2021年度、2022年度和2023年度預(yù)測(cè)銷售額分別為3，371．5億元、3，879．6億元和4，427．7億元，分別較上年同期增加13．7%、15．1%和14．1%。（二）功率半導(dǎo)體行業(yè)概況能夠進(jìn)行功率處理的半導(dǎo)體器件為功率半導(dǎo)體器件，功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，典型的功率處理功能包括變頻、變壓、變流、功率放大和功率管理等。功率半導(dǎo)體器件主要用于電力設(shè)備的電能變換和電路控制，是弱電控制與強(qiáng)電運(yùn)行間的橋梁。除保證設(shè)備正常運(yùn)行以外，功率半導(dǎo)體器件還起到有效的節(jié)能作用。功率半導(dǎo)體可以分為功率IC和功率分立器件兩大類，其中功率分立器件主要包括二極管、晶閘管、晶體管等產(chǎn)品。根據(jù)MordorIntelligence統(tǒng)計(jì)，2020年度，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為379．0億美元，并且預(yù)計(jì)到2026年度，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到460．2億美元，2020年度至2026年度，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模年華增長(zhǎng)率為3．17%。MOSFET全稱金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，是一種可以廣泛使用在模擬與數(shù)字電路的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。MOSFET具有高頻、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單、抗擊穿性好等特點(diǎn)，應(yīng)用范圍涵蓋電源管理、計(jì)算機(jī)及外設(shè)設(shè)備、通信、消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)控制等多個(gè)領(lǐng)域。根據(jù)YoleDeveloppement統(tǒng)計(jì)，2020年度，全球MOSFET市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到75億美元，并且預(yù)測(cè)2020年度至2026年，全球MOSFET市場(chǎng)將會(huì)達(dá)到年化3．8%的增長(zhǎng)。2020年度，用于消費(fèi)品市場(chǎng)的MOSFET占據(jù)37%的市場(chǎng)份額，是目前占比最高的應(yīng)用領(lǐng)域，但汽車應(yīng)用市場(chǎng)，特別是電動(dòng)汽車應(yīng)用市場(chǎng)的爆發(fā)將會(huì)極大帶動(dòng)MOSFET的應(yīng)用，預(yù)計(jì)截至2026年，用于包括電動(dòng)汽車在內(nèi)的汽車市場(chǎng)的MOSFET占比將達(dá)到32%。IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是由雙極型三極管BJT和MOSFET組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率器件。IGBT具有電導(dǎo)調(diào)制能力，相對(duì)于MOSFET和雙極晶體管具有較強(qiáng)的正向電流傳導(dǎo)密度和低通態(tài)壓降。IGBT的開關(guān)特性可以實(shí)現(xiàn)直流電和交流電之間的轉(zhuǎn)化或者改變電流的頻率，有逆變和變頻的作用，可以應(yīng)用于逆變器、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。根據(jù)YoleDeveloppement統(tǒng)計(jì)，2020年度，全球IGBT市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到54億美元，并且預(yù)測(cè)2020年度至2026年，全球IGBT市場(chǎng)將會(huì)達(dá)到年化7．5%的增長(zhǎng)。2020年度，IGBT最大的應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)楣I(yè)和家用領(lǐng)域。預(yù)計(jì)受益于碳減排等政府政策帶來的電動(dòng)汽車對(duì)內(nèi)燃機(jī)汽車的替代趨勢(shì)，應(yīng)用于電動(dòng)汽車領(lǐng)域的IGBT市場(chǎng)規(guī)模在2020年度至2026年度的年化增幅將達(dá)到23%，截至2026年，用于電動(dòng)汽車的IGBT市場(chǎng)份額占比將超過2020年度市場(chǎng)規(guī)模占比的一倍占據(jù)37%的市場(chǎng)份額市場(chǎng)規(guī)模電動(dòng)汽車，占比在2026年將超過2020年度占比的一倍。（三）數(shù)字三極管行業(yè)概況與普通三極管相比，數(shù)字三極管是將三極管和一個(gè)或兩個(gè)偏置電阻R1和R2集成在同一款芯片上，類同于小規(guī)模集成電路。數(shù)字三極管的R1電阻主要用來穩(wěn)定三極管的工作狀態(tài)，R2電阻主要用來吸收降低輸入端的漏電流和噪聲，電阻R1和R2有不同的阻值搭配，形成了豐富的產(chǎn)品組合。數(shù)字三極管以中小功率為主，當(dāng)前市場(chǎng)上主流數(shù)字三極管產(chǎn)品的最大輸出電流為500mA。數(shù)字三極管技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)是芯片尺寸向小型化方向發(fā)展，產(chǎn)品的輸出電流不斷增大，電阻要求更加精準(zhǔn)，同時(shí)增加R1和R2的電阻組合，以滿足客戶使用時(shí)不同輸入電壓和電流的要求。數(shù)字三極管使用方便，同時(shí)可以節(jié)省外圍使用電路的空間，在手機(jī)等對(duì)內(nèi)部空間要求比較嚴(yán)格的電子產(chǎn)品中應(yīng)用廣泛。手機(jī)等移動(dòng)終端對(duì)空間要求較高，為了節(jié)省空間，在電路設(shè)計(jì)時(shí)將更多選擇將電阻集成在三極管內(nèi)部，因此，隨著手機(jī)等移動(dòng)終端的發(fā)展，數(shù)字三極管的市場(chǎng)需求將越來越大。據(jù)公開資料顯示，2019年全球包括三極管、MOSFET和IGBT在內(nèi)整個(gè)晶體管市場(chǎng)規(guī)模約為138．27億美元，2020年則為147．88億美元，同比增長(zhǎng)6．95%。從競(jìng)爭(zhēng)格局看，數(shù)字三極管國(guó)內(nèi)市場(chǎng)參與者主要包括燕東微、日本Phenitec、杭州友旺電子等，市場(chǎng)格局相對(duì)固定。（四）ECM前置放大器行業(yè)概況ECM（ElectretCondenserMicrophone，駐極體電容傳聲器）麥克風(fēng)是一種將聲音轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的電子器件，因外圍電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用靈活、靈敏度高、指向性好和性價(jià)比高等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各類智能終端上，如耳機(jī)、音箱、遙控器和電視機(jī)等。外界的聲波信號(hào)使駐極體薄膜發(fā)生振動(dòng)，振動(dòng)使駐極體與另一極板的距離發(fā)生變化，進(jìn)而使由駐極體振膜和另一極板組成的電容器兩端的電壓放生變化，ECM前置放大器將這一電壓信號(hào)采集放大后輸出。ECM前置放大器具有工作電壓范圍廣、功耗低和外圍配置簡(jiǎn)單等特點(diǎn)，是ECM麥克風(fēng)的核心組成部分，其參數(shù)優(yōu)劣決定了ECM麥克風(fēng)的性能高低。目前麥克風(fēng)領(lǐng)域主要有兩條技術(shù)路線，分別為ECM麥克風(fēng)和MEMS（微型機(jī)電系統(tǒng)）麥克風(fēng)。其中MEMS麥克風(fēng)為新興路線，其基于MEMS技術(shù)將電容器集成制造在硅芯片上，與ECM麥克風(fēng)相比，具有體積小、一致性好、抗干擾能力強(qiáng)和可使用回流焊技術(shù)進(jìn)行表面貼裝等優(yōu)點(diǎn)，近年來在智能手機(jī)和平板電腦等消費(fèi)類電子產(chǎn)品中得到越來越多的應(yīng)用。但由于二者各具特點(diǎn)，將在較長(zhǎng)時(shí)期內(nèi)共存。ECM麥克風(fēng)由于其指向性強(qiáng)、工作電壓范圍廣和性價(jià)比高等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于專業(yè)音頻、語(yǔ)音聲控等領(lǐng)域。經(jīng)過長(zhǎng)期發(fā)展，ECM前置放大器業(yè)內(nèi)已圍繞放大器外形尺寸和電流大小等參數(shù)開發(fā)出一系列產(chǎn)品。ECM前置放大器今后將向更高的增益、更高的信噪比和更高的參數(shù)一致性等方向發(fā)展，以獲得更高的拾音能力。同時(shí)，ECM前置放大器在技術(shù)上還呈現(xiàn)小型化趨勢(shì)，以適應(yīng)更小更薄的封裝。根據(jù)YoleDeveloppement預(yù)測(cè)，ECM麥克風(fēng)、MEMS麥克風(fēng)、微型揚(yáng)聲器和音頻IC市場(chǎng)規(guī)模2017年-2022年復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)到6%，到2022年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到200億美元。新興的MEMS麥克風(fēng)和ECM麥克風(fēng)由于各具特點(diǎn)，將在較長(zhǎng)時(shí)期內(nèi)共存。由于ECM麥克風(fēng)在專業(yè)音頻和語(yǔ)音聲控等領(lǐng)域具有的獨(dú)特應(yīng)用優(yōu)勢(shì)和性價(jià)比優(yōu)勢(shì)，以及TWS耳機(jī)、語(yǔ)音識(shí)別組件等下游市場(chǎng)發(fā)展帶來的麥克風(fēng)總體市場(chǎng)需求量的上升，根據(jù)取得的來自用戶端的反饋，近年來ECM麥克風(fēng)的需求量呈增長(zhǎng)趨勢(shì)。此外，ECM前置放大器市場(chǎng)集中度較高，主要供應(yīng)商包括燕東微、韓國(guó)RFsemi等，隨著行業(yè)成熟度的提高，市場(chǎng)集中度可能進(jìn)一步提升，對(duì)于出貨量較大，已形成規(guī)模經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢(shì)的廠商，將占據(jù)越來越大的市場(chǎng)份額。（五）浪涌保護(hù)器件行業(yè)概況浪涌保護(hù)器件，是一種為各種電子設(shè)備、儀器儀表、通訊線路提供安全防護(hù)的半導(dǎo)體器件。TVS是一種二極管形式的高效能浪涌保護(hù)器件。當(dāng)TVS的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時(shí)，它能在極短的時(shí)間內(nèi)將其兩極間的高阻抗變?yōu)榈妥杩梗崭哌_(dá)數(shù)千瓦的浪涌功率，使兩極間的電壓鉗位于一個(gè)預(yù)定值，有效地保護(hù)電子線路中的精密元器件，使其免受各種浪涌脈沖的損壞。普通的TVS在20世紀(jì)80年代開始出現(xiàn)，由單個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，結(jié)構(gòu)單一，工藝簡(jiǎn)單。與大多數(shù)二極管正向?qū)ǖ奶匦圆煌?，其基于反向擊穿特性，通過對(duì)浪涌的快速泄放，可以起到對(duì)電子產(chǎn)品的保護(hù)作用，對(duì)初級(jí)浪涌防護(hù)效果較好。普通TVS主要采用臺(tái)面結(jié)構(gòu)技術(shù)。21世紀(jì)初期以來，普通的TVS因性能、精度、靈敏度等方面的限制已無法滿足集成電路芯片發(fā)展中不斷提高的防靜電和浪涌沖擊保護(hù)要求，于是兼具漏電小、鉗位電壓低、響應(yīng)時(shí)間快、抗靜電能力強(qiáng)且能夠防浪涌等特點(diǎn)的新型TVS在近十幾年開始出現(xiàn)并不斷創(chuàng)新與升級(jí)。新型TVS對(duì)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝要求更高，結(jié)構(gòu)更加復(fù)雜，一般設(shè)計(jì)成多路PN結(jié)集成結(jié)構(gòu)，采用多次外延、雙面擴(kuò)結(jié)或溝槽設(shè)計(jì)。新型TVS能夠確保小型化的集成電路芯片得到有效保護(hù)，代表著TVS小型化、更強(qiáng)的浪涌保護(hù)能力、更低的電容、多路集成的技術(shù)發(fā)展方向。隨著半導(dǎo)體芯片制程的發(fā)展，集成電路芯片呈現(xiàn)出小型化趨勢(shì)，線寬變窄，同時(shí)追求更高的集成度和更低的工作電壓，致使集成電路芯片變得更加敏感，極易受到靜電和浪涌沖擊，造成損壞。TVS通常具有響應(yīng)時(shí)間短、靜電防護(hù)和浪涌吸收能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，可用于保護(hù)設(shè)備電路免受各類靜電及浪涌的損傷，順應(yīng)了集成電路芯片發(fā)展的趨勢(shì)和需要，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通訊、個(gè)人電腦、工業(yè)電子、汽車電子等。隨著下游市場(chǎng)需求的增長(zhǎng)，TVS市場(chǎng)前景廣闊。根據(jù)OMDIA發(fā)布的研究報(bào)告《TVS-ESDComponentsMarketAnalysis2021》，2020年全球TVS市場(chǎng)規(guī)模約為16．21億美元，2021年全球TVS市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)約為18．19億美元。國(guó)內(nèi)市場(chǎng)來看，TVS主要廠商包括安世半導(dǎo)體、英飛凌（Infineon）、安森美（ONSemiconductor）、商升特半導(dǎo)體（Semtech）、韋爾股份、樂山無線電、燕東微等。（六）射頻功率器件行業(yè)概況射頻（RF）是RadioFrequency的縮寫，表示可以輻射到空間的電磁頻率，頻率范圍在300kHz-300GHz之間，射頻功率器件即工作在該頻率范圍內(nèi)的電子器件。目前成熟的硅基射頻功率器件主要有射頻LDMOS、射頻VDMOS和高頻三極管（雙極型晶體管）三種。由于工作頻率高，射頻功率器件的關(guān)鍵尺寸達(dá)到微米或亞微米，同時(shí)芯片設(shè)計(jì)必須解決射頻功率性能設(shè)計(jì)、可靠性設(shè)計(jì)、寬帶內(nèi)匹配電路設(shè)計(jì)問題；工藝必須解決精細(xì)線條加工、大面積橫向分布均勻的淺摻雜和一致性封裝等關(guān)鍵技術(shù)，才能得到符合要求的產(chǎn)品。射頻功率器件的技術(shù)發(fā)展方向主要是更大功率、更高效率、更高的頻率以及定制化的內(nèi)匹配方案，以滿足用戶在各種射頻應(yīng)用場(chǎng)景的需求。射頻功率器件廣泛應(yīng)用于通訊系統(tǒng)、人造衛(wèi)星、宇宙飛船等領(lǐng)域。目前，國(guó)內(nèi)射頻功率器件市場(chǎng)主要由國(guó)外廠商占據(jù)，包括美高森美、意法半導(dǎo)體、恩智浦、日本NEC、日本瑞薩、美國(guó)Polyfet等，國(guó)內(nèi)廠商在產(chǎn)品開發(fā)上逐漸取得突破并開始向國(guó)內(nèi)市場(chǎng)供貨，國(guó)內(nèi)廠商包括燕東微、蘇州華太電子技術(shù)等。對(duì)講機(jī)市場(chǎng)是射頻LDMOS的細(xì)分市場(chǎng)之一，中研網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，我國(guó)