薄膜沉積設(shè)備市場前景晶圓擴(kuò)產(chǎn)與驅(qū)動(dòng)，份額提升貢獻(xiàn)主要增量半導(dǎo)體設(shè)備市場空間廣闊。2019年-2021年，受到下游應(yīng)用需求的驅(qū)動(dòng)以及疫情對行業(yè)供需關(guān)系的影響，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場經(jīng)歷了一輪高景氣周期。2022年，半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模有望再創(chuàng)新高。根據(jù)SEMI的數(shù)據(jù)，2022年，全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額有望達(dá)1143．4億美元，同比增長11．24%，以2021年中國市場的占比測算，預(yù)估2022年中國半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模有望達(dá)329．48億美元，同比增長11．24%。半導(dǎo)體設(shè)備公司的增量將更多地來源于市場份額的提升。在半導(dǎo)體設(shè)備整體市場規(guī)模保持穩(wěn)定的過程中，產(chǎn)業(yè)鏈公司的增量將更多地來源于市場份額的提升。市場份額的提升主要由三個(gè)因素驅(qū)動(dòng)：產(chǎn)品的競爭力、所處細(xì)分市場的份額或空間、品類擴(kuò)張能力。其中，產(chǎn)品的競爭力是公司立足于市場獲取份額的基礎(chǔ)，所處市場的份額或空間將決定公司高速成長的持續(xù)性，而品類擴(kuò)張能力能夠持續(xù)拓展公司的成長邊界。在市場國家戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)自主可控等多重因素的驅(qū)動(dòng)下，中國大陸晶圓制造及其配套設(shè)備環(huán)節(jié)的加速發(fā)展勢在必行。中國大陸是全球最大的電子終端消費(fèi)市場和半導(dǎo)體銷售市場，吸引著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向大陸的遷移。從產(chǎn)業(yè)鏈配套層面來看，在中游晶圓制造環(huán)節(jié)，中國具備成為全球最大晶圓產(chǎn)能基地的潛力。特別是在中國打造制造強(qiáng)國的戰(zhàn)略下，政府在產(chǎn)業(yè)政策、稅收、人才培養(yǎng)等方面大力支持和推進(jìn)本土半導(dǎo)體制造的規(guī)?；透叨嘶?。近年來，中美貿(mào)易摩擦凸顯出供應(yīng)鏈安全和自主可控的重要性和急迫性，晶圓制造及其配套設(shè)備等產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基石，加速發(fā)展勢在必行。根據(jù)ICInsights的數(shù)據(jù)，2021年，全球晶圓產(chǎn)能約2160萬片/月（8寸約當(dāng)），同比增長3．78%，中國大陸晶圓產(chǎn)能350萬片/月（8寸約當(dāng)），同比增長9．92%，在全球的占比約16．2%。根據(jù)SIA的數(shù)據(jù)，伴隨著中國大陸晶圓產(chǎn)能的持續(xù)快速擴(kuò)張，2030年，大陸晶圓產(chǎn)能在全球的占比有望達(dá)24%，屆時(shí)將成為全球最大的晶圓產(chǎn)能區(qū)域市場。中國大陸晶圓產(chǎn)能的持續(xù)擴(kuò)張，有望持續(xù)拉動(dòng)上游配套半導(dǎo)體設(shè)備的市場需求。內(nèi)資晶圓產(chǎn)線產(chǎn)能距離規(guī)劃仍有較大的提升空間，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的訂單增量前景廣闊。目前，內(nèi)資晶圓產(chǎn)線仍然是國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的消費(fèi)主力，從遠(yuǎn)期內(nèi)資晶圓產(chǎn)線的建設(shè)情況來看，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的需求前景更為樂觀。根據(jù)各公司官網(wǎng)的不完全統(tǒng)計(jì)，目前，內(nèi)資晶圓產(chǎn)線的總產(chǎn)能約為162．5萬片/月（8寸約當(dāng)），而各條產(chǎn)線的規(guī)劃總產(chǎn)能約為454．5萬片/月（8寸約當(dāng)），現(xiàn)有產(chǎn)能距規(guī)劃產(chǎn)能仍有較大的擴(kuò)充空間，因此，內(nèi)資晶圓產(chǎn)能的大幅擴(kuò)張，有望為國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備公司帶來廣闊的訂單增量。當(dāng)前半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率仍處于非線性提升區(qū)間，驅(qū)動(dòng)的份額提升，將為行業(yè)貢獻(xiàn)可觀的成長速度和空間。對于國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商而言，其驅(qū)動(dòng)力除了行業(yè)規(guī)模的自然擴(kuò)張，還包括在國內(nèi)市場的。根據(jù)中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì)的數(shù)據(jù)，2021年，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額為385．5億元，同比增長58．71%，占中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額的比例為20．02%。以半導(dǎo)體晶圓制造設(shè)備為例，當(dāng)前的國產(chǎn)設(shè)備對28nm及以上制程的工藝覆蓋度日趨完善，并積極推進(jìn)14nm及以下制程的工藝突破，產(chǎn)品正處于驗(yàn)證密集通過、開啟規(guī)?；鹆康某砷L階段。并且，各大半導(dǎo)體設(shè)備廠商基于產(chǎn)品上線量產(chǎn)的契機(jī)，也在與客戶密切開展工藝設(shè)備的合作研發(fā)、已有產(chǎn)品的迭代和細(xì)分新品類的擴(kuò)充，利于產(chǎn)品競爭力和市場拓展的繼續(xù)深入。所以，目前的半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率仍處于非線性增長區(qū)間，未來國產(chǎn)設(shè)備有望加速滲透。假設(shè)2025年，該統(tǒng)計(jì)口徑下的中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場的國產(chǎn)化率提升至50%，則2021-2025年，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額的CAGR近30%。并且，對于65-40nm等國內(nèi)配套較成熟的制程，本土半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商的單一供應(yīng)比例最高已達(dá)80%，足見設(shè)備國產(chǎn)化有較高的成長空間。豐富的半導(dǎo)體工序催生出眾多的半導(dǎo)體設(shè)備類型，從硅片制造、芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝和測試，配套的半導(dǎo)體設(shè)備品類多元，各個(gè)領(lǐng)域間具備較高的技術(shù)和市場壁壘。布局刻蝕、沉積等大賽道的設(shè)備廠商，具備更為廣闊的收入空間。通過對半導(dǎo)體設(shè)備市場競爭格局的分析可知，營收在百億美金量級的龍頭公司，其業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)基本覆蓋了半導(dǎo)體設(shè)備細(xì)分市場規(guī)模前三大的品類：刻蝕、光刻和沉積。鑒于此，對于本土半導(dǎo)體設(shè)備廠商而言，在刻蝕和沉積等大賽道深入布局的公司，具備更為廣闊的遠(yuǎn)期收入空間，未來的發(fā)展前景十分廣闊。在各類細(xì)分賽道布局領(lǐng)先的設(shè)備廠商，有望率先卡位供應(yīng)鏈優(yōu)勢位置。半導(dǎo)體設(shè)備市場細(xì)分品類眾多，目前，本土半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)仍處于成長早期，在各個(gè)細(xì)分賽道率先卡位并建立競爭優(yōu)勢的設(shè)備廠商，有望在下游客戶端搶占更優(yōu)勢的生態(tài)位-包括先發(fā)的研發(fā)驗(yàn)證機(jī)會(huì)、領(lǐng)先的供應(yīng)份額以及積累更豐富的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，從而在細(xì)分品類中建立起更高的競爭壁壘。在工藝技術(shù)方面，目前，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商在刻蝕、沉積、清洗、涂膠顯影、CMP、離子注入以及測試機(jī)、分選機(jī)、探針臺等核心工藝環(huán)節(jié)已取得長足進(jìn)步，并且與海外傳統(tǒng)廠商形成了初步的技術(shù)對標(biāo)。具體到產(chǎn)品方面，在前道領(lǐng)域，28nm及以上的制程范圍，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商實(shí)現(xiàn)了工藝、技術(shù)和產(chǎn)品的大部分覆蓋；在新技術(shù)節(jié)點(diǎn)上，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商配套14nm及以下制程的邏輯工藝、128層3DD工藝以及17nmDRAM工藝開展產(chǎn)品驗(yàn)證和合作研發(fā)。同時(shí)，以北方華創(chuàng)、中微公司、盛美上海為代表的國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備公司不斷完善產(chǎn)品的平臺化布局，可服務(wù)市場規(guī)?？焖贁U(kuò)張，遠(yuǎn)期收入空間不斷打開。另一方面，以拓荊科技、華海清科、芯源微、萬業(yè)企業(yè)等為代表國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備公司在各自專長的領(lǐng)域內(nèi)已占據(jù)了領(lǐng)先的供應(yīng)份額，不斷夯實(shí)技術(shù)和市場壁壘。目前，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商的產(chǎn)品已在中芯國際、華虹半導(dǎo)體、長江存儲、合肥長鑫等晶圓產(chǎn)線快速起量，市場份額持續(xù)提升。在后道領(lǐng)域，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商在測試機(jī)、分選機(jī)、探針臺等設(shè)備方面的配套較前道更為完善，并且以長川科技、華峰測控為代表的國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商在SoC測試機(jī)、存儲測試機(jī)、探針臺等高端新品研發(fā)和市場拓展也快速推進(jìn)，整體已在后道設(shè)備市場具備一定的市場份額優(yōu)勢。根據(jù)國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備公司2021年的收入測算，目前，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備在清洗、CMP、刻蝕、測試機(jī)、分選機(jī)等設(shè)備市場的國產(chǎn)化率已突破雙位數(shù)，而在沉積、離子注入、探針臺等領(lǐng)域也取得一定的國產(chǎn)化突破。整體而言，隨著細(xì)分品類的市場份額提升，以及產(chǎn)品品類的多元擴(kuò)張，未來，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備公司的成長邊界有望不斷拓寬。（一）半導(dǎo)體設(shè)備發(fā)展基本情況及特點(diǎn)半導(dǎo)體設(shè)備主要包括前道工藝設(shè)備和后道工藝設(shè)備，前道工藝設(shè)備為晶圓制造設(shè)備，后道工藝設(shè)備包括封裝設(shè)備和測試設(shè)備，其他類型設(shè)備主要包括硅片生長設(shè)備等。其中晶圓前道工藝設(shè)備整體占比超過80%，是半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)最核心的組成部分。從晶圓廠的投資構(gòu)成來看，刻蝕設(shè)備、光刻設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備是集成電路前道生產(chǎn)工藝中最重要的三類設(shè)備。其中，薄膜沉積設(shè)備投資額占晶圓廠投資總額的16%，占晶圓制造設(shè)備投資總額的21%。（二）半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)發(fā)展情況2013年以來，隨著全球半導(dǎo)體行業(yè)整體景氣度的提升，半導(dǎo)體設(shè)備市場也呈增長趨勢。根據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額從2013年的約318億美元增長至2021年的1，026億美元，年均復(fù)合增長率約為15．77%。由于半導(dǎo)體專用設(shè)備行業(yè)對制造工藝和標(biāo)準(zhǔn)要求嚴(yán)格，行業(yè)進(jìn)入的技術(shù)壁壘、市場壁壘和客戶認(rèn)知壁壘較高，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場集中度較高。目前全球前十大半導(dǎo)體設(shè)備制造商主要集中在美國、日本和荷蘭。根據(jù)VLSIResearch數(shù)據(jù)，2020年全球半導(dǎo)體設(shè)備前十名廠商合計(jì)實(shí)現(xiàn)銷售收入708億美元，市占率為76．63%。中國半導(dǎo)體設(shè)備廠商因發(fā)展起步較晚，目前尚未進(jìn)入全球行業(yè)前列。從需求端分析，根據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2013-2021年半導(dǎo)體設(shè)備在大陸銷售額的年復(fù)合增長率達(dá)到31．07%。2021年，中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備的銷售額達(dá)到296．2億美元，同比增長58．23%，發(fā)展勢頭強(qiáng)勁。已經(jīng)投產(chǎn)的有27條，在建未完工、開工建設(shè)或簽約項(xiàng)目有29條。其中宣布投產(chǎn)的項(xiàng)目合計(jì)裝機(jī)月產(chǎn)能約118萬片，在建未完工、開工建設(shè)或簽約項(xiàng)目的規(guī)劃月產(chǎn)能總計(jì)132萬片。受益于中國大陸地區(qū)晶圓廠建設(shè)加速推進(jìn)，中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場需求快速增長。2020年、2021年，中國大陸市場約占全球半導(dǎo)體設(shè)備市場比例分別為26．30%、28．87%。中國大陸已成為全球第一大半導(dǎo)體設(shè)備需求市場。太陽能電池片行業(yè)（一）太陽能電池片行業(yè)基本情況太陽能電池片技術(shù)的發(fā)展對光伏設(shè)備技術(shù)提升和應(yīng)用拓展有重要推動(dòng)作用。從太陽能電池片的生產(chǎn)技術(shù)來看，近幾年可分為三個(gè)階段：第一個(gè)階段是2015年以前，光伏電池市場主要采取多晶Al-BSF技術(shù)，單晶PERC電池處于技術(shù)驗(yàn)證階段，以試驗(yàn)產(chǎn)能為主，增長迅速但總量較小，隨著單晶PERC電池成功量產(chǎn)，其商業(yè)化的可行性得到確認(rèn)；第二階段是2015-2017年，單晶PERC電池投資吸引力凸顯，國內(nèi)廠商開始加碼PERC電池生產(chǎn)，但從整個(gè)光伏電池市場來看，主要還是采取多晶Al-BSF技術(shù)，Al-BSF技術(shù)電池因性能穩(wěn)定，生產(chǎn)成本較低，此階段仍占據(jù)著市場主要份額；第三階段是2018年至今，PERC電池產(chǎn)能實(shí)現(xiàn)爆發(fā)式增長，根據(jù)中國光伏行業(yè)協(xié)會(huì)的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2019年至2021年的新建量產(chǎn)產(chǎn)線以PERC電池產(chǎn)線為主，PERC電池片在2021年的市場占比進(jìn)一步提升至91．2%。太陽能電池片技術(shù)路線主要包括鋁背場電池（Al-BSF）、PERC、TOPCon、異質(zhì)結(jié)（HJT）、背接觸（IBC）及鈣鈦礦等。P型電池以P型硅片為原材料，技術(shù)路線包括傳統(tǒng)的鋁背場技術(shù)以及目前非常成熟的PERC技術(shù)；N型電池以N型硅片為原材料，技術(shù)路線包括TOPCon、HJT等，近年來已有廠商陸續(xù)開始布局，屬于下一代高效電池技術(shù)路線的潛在方向，而IBC和鈣鈦礦為未來技術(shù)，尚處于實(shí)驗(yàn)和驗(yàn)證階段。Al-BSF電池是指在晶硅太陽能電池P-N結(jié)制備完成后，通過在硅片的背光面沉積一層鋁膜，制備P+層，從而形成鋁背場。其既可以減少少數(shù)載流子在背面復(fù)合的概率，同時(shí)也可以作為背面的金屬電極，因此能夠提升太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。PERC技術(shù)采用的是在現(xiàn)有Al-BSF工藝上增加背面介質(zhì)鈍化層然后用激光在背表面進(jìn)行打孔或開槽露出硅基體。背面介質(zhì)鈍化層通過背面鈍化工藝是在硅片背面沉積Al2O3和SiNX，Al2O3由于具備較高的負(fù)電荷密度，可以對P型表面提供良好的鈍化，SiNX主要作用是保護(hù)背部鈍化膜，并保證電池正面的光學(xué)性能。背面鈍化可實(shí)現(xiàn)兩點(diǎn)價(jià)值，一是顯著降低背表面少數(shù)載流子的復(fù)合速度，從而提高少子的壽命，增加電池開路電壓；二是在背表面形成良好的內(nèi)反射機(jī)制，增加光吸收的幾率，減少光損失。由于PERC電池具有結(jié)構(gòu)簡單、工藝流程短、設(shè)備成熟度高等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)替代Al-BSF電池并成為成熟電池工藝。TOPCon是一種基于選擇性載流子原理的隧穿氧化層鈍化接觸電池技術(shù)，與常規(guī)電池最大的不同在于，其在電池的背面采用了接觸鈍化技術(shù)，結(jié)構(gòu)包括超薄二氧化硅隧穿層和摻雜多晶硅層（晶硅基底與摻雜多晶硅在背面形成異質(zhì)結(jié)），二者共同形成了鈍化接觸結(jié)構(gòu)，為電池的背面提供了優(yōu)異的表面鈍化。TOPCon電池制備過程較PERC電池要復(fù)雜，但我國光伏企業(yè)在TOPCon電池技術(shù)上已取得一定積累，很多量產(chǎn)工藝瓶頸和設(shè)備瓶頸也獲得了突破，未來存在將TOPCon技術(shù)與IBC技術(shù)相融合升級為TBC電池的可能性。HJT技術(shù)即異質(zhì)結(jié)太陽能電池，電池片中同時(shí)存在晶體和非晶體級別的硅，非晶硅的存在能夠更好地實(shí)現(xiàn)鈍化。HJT電池的制備工藝步驟簡單，且工藝溫度較低，可避免高溫工藝對硅片的損傷，并有效降低排放，但是工藝難度大，且產(chǎn)線與傳統(tǒng)電池技術(shù)不兼容，需要重新購置主要生產(chǎn)設(shè)備，產(chǎn)線投資規(guī)模較大。目前異質(zhì)結(jié)電池市場滲透率相對較低，僅在部分企業(yè)中實(shí)現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn)。IBC電池最大的特點(diǎn)是P-N結(jié)和金屬接觸都處于電池的背面，正面沒有金屬電極遮擋的影響，因此具有更高的短路電流，同時(shí)背面可以容許較寬的金屬柵線來降低串聯(lián)電阻從而提高填充因子，加上電池前表面場以及良好鈍化作用帶來的開路電壓增益，使得這種正面無遮擋的電池就擁有了高轉(zhuǎn)換效率。相比于PERC、TOPCon和HJT，IBC電池的工藝流程和設(shè)備要復(fù)雜很多，并且投資較高，國內(nèi)尚未實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。鈣鈦礦太陽能電池是以鈣鈦礦晶體為吸光材料的一種新型太陽能電池技術(shù)。與其它太陽能電池材料相比，有機(jī)無機(jī)雜化鈣鈦礦材料的吸光系數(shù)高、載流子傳輸距離長、缺陷容忍度高、帶隙可調(diào)，非常適合制備高效太陽能電池。但由于電池本身受溫度及濕度影響，化學(xué)鍵合作用弱，易形變，光致衰退明顯，因此穩(wěn)定性問題仍未解決，尚處于小規(guī)模試驗(yàn)階段。（二）太陽能電池片行業(yè)發(fā)展情況2011年至2021年，全球電池片產(chǎn)量持續(xù)增長，2021年全球電池片總產(chǎn)量為223．9GW，同比增長37%。2010年至2021年，我國太陽能電池片產(chǎn)量逐年上升，2021年我國電池片產(chǎn)量為197．9GW，較2020年同比增長約46．8%。我國電池片生產(chǎn)規(guī)模自2007年開始已連續(xù)14年居全球首位，全球電池片產(chǎn)業(yè)繼續(xù)向我國集中。從各類電池的市場占有率看，2018年傳統(tǒng)的BSF電池依然占領(lǐng)半數(shù)市場，2019年P(guān)ERC電池技術(shù)迅速反超BSF電池，占據(jù)了超過65%的市場份額，2020年，PERC電池片市場占比達(dá)到86．4%，2021年進(jìn)一步提升至91．2%。（三）太陽能電池片行業(yè)發(fā)展趨勢TOPCon和HJT是繼PERC電池之后的主要新興技術(shù)，TOPCon電池升級迭代的最大優(yōu)勢在于其與PERC產(chǎn)線兼容度高，可從PERC產(chǎn)線改造升級，是目前初始投資成本最低的N型高效電池之一。HJT技術(shù)的核心優(yōu)勢是電池結(jié)構(gòu)相對簡單，然而目前設(shè)備成本依舊較高，經(jīng)濟(jì)性不足，在材料端和設(shè)備端均存在降本空間。雖然TOPCon電池、HJT電池可以獲得較高的電池光電轉(zhuǎn)換效率，但因其各有的限制性因素的存在導(dǎo)致目前規(guī)模量產(chǎn)偏少。TOPCon技術(shù)目前尚未取代PERC技術(shù)的主要原因?yàn)椋海?）工藝步驟增加，導(dǎo)致技術(shù)成熟度和產(chǎn)品良率有待進(jìn)一步提高；（2）工藝設(shè)備成本和雙面銀漿帶來的成本上升。HJT技術(shù)目前尚未取代PERC技術(shù)的主要原因?yàn)椋海?）HJT電池產(chǎn)線的投資成本較高，是PERC電池產(chǎn)線投資的2-3倍以上；（2）HJT技術(shù)路線采用透明電極和低溫銀漿，技術(shù)成熟度不高，運(yùn)營成本相對較高。我國光伏企業(yè)在TOPCon、HJT等下一代高效晶硅電池生產(chǎn)技術(shù)的研發(fā)上先后取得突破，轉(zhuǎn)換效率不斷刷新世界記錄，效率更高的N型TOPCon電池、HJT電池等則最有望成為P型PERC電池后的產(chǎn)業(yè)化主流技術(shù)。圖形刻畫：光刻機(jī)必不可少光刻是將設(shè)計(jì)好的電路圖從掩膜版轉(zhuǎn)印到晶圓表面的光刻膠上，通過曝光、顯影將目標(biāo)圖形印刻到特定材料上的技術(shù)，可以簡單理解為畫圖過程，是晶圓制造中最重要的技術(shù)。光刻工藝包括三個(gè)核心流程：涂膠、對準(zhǔn)和曝光以及光刻膠顯影，整個(gè)過程涉及光刻機(jī)，涂膠顯影機(jī)、量測設(shè)備以及清洗設(shè)備等多種核心設(shè)備，其中價(jià)值量最大且技術(shù)壁壘最高的部分就是光刻機(jī)。光刻機(jī)經(jīng)過多年發(fā)展，已經(jīng)演化出五代產(chǎn)品，由光源波長進(jìn)行區(qū)分可以分為可見光（g-line），紫外光（i-line），深紫外光（KrF、ArF）以及極紫外（EUV）幾大類，從工作類型又可以分為接觸式、掃描式、步進(jìn)式、浸沒式等方式。不同類型的光刻機(jī)主要是為了滿足日益提升的制程需求，當(dāng)前最先進(jìn)的3nm制程只能通過EUV光刻機(jī)才能實(shí)現(xiàn)。全世界沒有任何一家公司可以獨(dú)立制造光刻機(jī)，其生產(chǎn)技術(shù)要求極高，可以分為十一個(gè)主要部件，包含超過十萬個(gè)零件，涉及上下游多家供應(yīng)商，具有極強(qiáng)的生態(tài)屬性。光刻機(jī)的主要部件有工件臺、激光源、光束矯正器、能量控制器、光束形狀設(shè)置、遮光器、能量探測器、掩模臺、物鏡、封閉框架與減震器。目前全球光刻機(jī)市場幾乎由ASML、尼康和佳能三家廠商壟斷，其中又以ASML一家獨(dú)大。由于光刻機(jī)需要超十萬個(gè)零部件，在各大晶圓廠不斷擴(kuò)產(chǎn)的背景下，光刻機(jī)的交貨時(shí)間一再推遲，EUV光刻機(jī)的交期已經(jīng)推遲到24個(gè)月以后。從銷量來看，2021年ASML占比65%，出貨量達(dá)到309臺，力壓尼康和佳能，其中EUV/ArFi/ArF高端光刻機(jī)占比分別為100%/95．3%/88%。從銷額來看，EUV光刻機(jī)單價(jià)超過1億歐元，最新一代0．55NA大數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)單價(jià)甚至超過4億歐元，全球僅有ASML可提供，使其占據(jù)市場絕對龍頭地位，2021年市場份額達(dá)到85．8%。目前國內(nèi)具備光刻機(jī)生產(chǎn)能力的企業(yè)主要是上海微電子裝備，主要致力于半導(dǎo)體裝備、泛半導(dǎo)體裝備、高端智能裝備的開發(fā)、設(shè)計(jì)、制造、銷售及技術(shù)服務(wù)。公司設(shè)備廣泛應(yīng)用于集成電路前道、先進(jìn)封裝、FPD面板、MEMS、LED、PowerDevices等制造領(lǐng)域。公司的光刻機(jī)產(chǎn)品有SSX600和SSB500兩個(gè)系列，其中SSX600系列主要應(yīng)用于IC前道光刻工藝，可滿足IC前道制造90nm、110nm、280nm關(guān)鍵層和非關(guān)鍵層的光刻工藝需求；SSB500系列光刻機(jī)主要應(yīng)用于IC后道先進(jìn)封裝工藝?？涛g機(jī)：微觀世界雕刻師作為半導(dǎo)體制造過程中三大核心工藝之一，刻蝕可以簡單理解為用化學(xué)或物理化學(xué)方法有選擇地在硅片表面去除不需要的材料的過程，可以分為干法刻蝕和濕法刻蝕，目前市場主流的刻蝕方法均為干法刻蝕，可將其分為CCP刻蝕和ICP刻蝕。CCP刻蝕主要是以高能離子在較硬的介質(zhì)材料上，刻蝕高深寬比的深孔、溝槽等微觀結(jié)構(gòu)；而ICP刻蝕主要是以較低的離子能量和極均勻的離子濃度刻蝕較軟的或較薄的材料。三星宣布將成為全球首家采用GAA工藝進(jìn)行3nm制程的生產(chǎn)，相較于FinFET工藝，GAA被譽(yù)為突破3nm制程的有力手段。每一代芯片新技術(shù)的突破，晶體管體積都會(huì)不斷縮小，同時(shí)性能不斷提升。從平面MOSFET結(jié)構(gòu)到FinFET晶體管架構(gòu)，再到后面的GAA結(jié)構(gòu)甚至MBCFET結(jié)構(gòu)，晶體管的復(fù)雜度不斷提升，對刻蝕和薄膜沉積等核心技術(shù)提出了更高的要求。隨著芯片制程的提升，受到光刻機(jī)