2023屆二輪復習 專題十三 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 學案_第1頁
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專題十三物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)核心素養(yǎng)宏觀辨識與微觀探析考情預測預計2023年高考仍會借助新科技、新能源為背景,圍繞某一主題考查原子核外電子排布式(圖)、電離能、電負性、σ鍵、π鍵、雜化方式、分子或離子的空間構(gòu)型(價層電子對互斥理論)、化學鍵及氫鍵、晶體結(jié)構(gòu)特點及微粒間作用力、晶體的熔、沸點比較及晶胞的計算,特別是對空間想象能力和計算能力的考查,是近幾年的考查重點,復習時加以重視!考法1、基態(tài)原子的核外電子排布1、排布規(guī)律能量最低原理原子核外電子先占有能量最低的原子軌道泡利原理每個原子軌道中最多只能容納2個自旋狀態(tài)不同的電子洪特規(guī)則原子核外電子在能量相同的各個軌道上排布時,電子盡可能分占不同的原子軌道,且自旋狀態(tài)相同【注意】能量相同的原子軌道在全充滿、半充滿和全空狀態(tài)時,體系能量較低,原子較穩(wěn)定。2、表示形式(1)核外電子排布式,如Cr:1s22s22p63s23p63d54s1,可簡化為[Ar]3d54s1。(2)價層電子排布式:如Fe:3d64s2。(3)電子排布圖又稱軌道表示式:如O:3、基態(tài)原子核外電子排布表示方法中的常見誤區(qū)(1)在寫基態(tài)原子的電子排布圖時,常出現(xiàn)以下錯誤:①(違反能量最低原理)②(違反泡利原理)③(違反洪特規(guī)則)④(違反洪特規(guī)則)(2)當出現(xiàn)d軌道時,雖然電子按ns、(n-1)d、np的順序填充,但在書寫電子排布式時,仍把(n-1)d放在ns前,如Fe:1s22s22p63s23p63d64s2正確,F(xiàn)e:1s22s22p63s23p64s23d6錯誤。(3)注意元素電子排布式、簡化電子排布式、元素價電子排布式的區(qū)別與聯(lián)系。如Fe的電子排布式:1s22s22p63s23p63d64s2;簡化電子排布式:[Ar]3d64s2;價電子排布式:3d64s2??挤?、原子結(jié)構(gòu)與元素性質(zhì)(1)各區(qū)元素分布及價電子排布與性質(zhì)特點分區(qū)元素分布價電子排布元素性質(zhì)特點s區(qū)ⅠA、ⅡA族ns1~2除氫外都是活潑金屬元素;通常是最外層電子參與反應p區(qū)ⅢA族~ⅦB族、0族ns2np1~6(He除外)通常是最外層電子參與反應d區(qū)ⅢB族~ⅦB族、Ⅷ族(n-1)d1~9ns1~2(Pd除外)d軌道可以不同程度地參與化學鍵的形成ds區(qū)ⅠB、ⅡB族(n-1)d10ns1~2金屬元素f區(qū)鑭系、錒系(n-2)f0~14(n-1)d0~2ns2(2)第一電離能的遞變規(guī)律①每個周期的第一種元素(氫和堿金屬)第一電離能最小,稀有氣體元素原子的第一電離能最大,同周期中從左到右元素的第一電離能呈增大的趨勢。②同主族元素原子的第一電離能從上到下逐漸減小。③同一周期中,第ⅡA族元素的第一電離能比第ⅢA族元素的第一電離能要大,第ⅤA族元素的第一電離能比第ⅥA族元素的第一電離能要大,這是因為第ⅡA族元素的最外層p軌道全空,第ⅤA族元素的最外層p軌道半滿,全空和半滿狀態(tài)相對穩(wěn)定。(3)電負性變化規(guī)律同一周期:從左到右,元素的電負性逐漸增大。同一主族:從上到下,元素的電負性逐漸減小。考法3、共價鍵(1)(2)配位鍵:形成配位鍵的條件是成鍵原子一方(A)能夠提供孤電子對,另一方(B)具有能夠接受孤電子對的空軌道,可表示為A→B?!九浜衔锏慕M成特點】(3)σ鍵和π鍵的判斷方法共價單鍵全為σ鍵,雙鍵中有一個σ鍵和一個π鍵,三鍵中有一個σ鍵和兩個π鍵??挤?、雜化軌道理論1.雜化軌道方法:判斷分子或離子中心原子的雜化軌道類型①看中心原子有沒有形成雙鍵或三鍵。如果有1個三鍵,則其中有2個π鍵,用去了2個p軌道,則為sp雜化;如果有1個雙鍵則其中有1個π鍵,則為sp2雜化;如果全部是單鍵,則為sp3雜化。②由分子的空間構(gòu)型結(jié)合價層電子對互斥理論判斷。沒有填充電子的空軌道一般不參與雜化,1對孤電子對占據(jù)1個雜化軌道。如NH3為三角錐形,且有一對孤電子對,即4條雜化軌道應呈四面體形,為sp3雜化。2.雜化軌道類型與分子構(gòu)型的關系雜化軌道類型雜化軌道數(shù)目分子構(gòu)型實例sp2直線形CO2、BeCl2sp23平面三角形BF3、BCl3、CH2Osp34等性雜化:正四面體CH4、CCl4不等性雜化:具體情況不同NH3(三角錐形)、H2S、H2O(Ⅴ形)考法5、分子間作用力與物質(zhì)的性質(zhì)范德華力氫鍵共價鍵作用微粒分子H與N、O、F原子強度比較共價鍵>氫鍵>范德華力影響因素組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì),相對分子質(zhì)量越大,范德華力越大形成氫鍵元素的電負性原子半徑對性質(zhì)的影響影響物質(zhì)的熔、沸點、溶解度等物理性質(zhì)分子間氫鍵使熔、沸點升高,溶解度增大鍵能越大,穩(wěn)定性越強考法6、晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)分子晶體原子晶體離子晶體金屬晶體構(gòu)成粒子分子原子陰、陽離子金屬陽離子、自由電子粒子間的相互作用范德華力共價鍵離子鍵金屬鍵硬度較小很大較大有大,有小熔、沸點較低很高一般較高有高,有低溶解性相似相溶不溶于常見溶劑大多易溶于水等極性溶劑難溶于水,有些可與水發(fā)生反應導電性或?qū)嵝砸话悴粚щ姟H苡谒笥械膶щ娨话悴痪哂袑щ娦跃w不導電,水溶液或熔融狀態(tài)下導電電和熱的良導體物質(zhì)類別及實例大多數(shù)非金屬單質(zhì)、氣態(tài)氫化物、酸、非金屬氧化物(除SiO2)、絕大多數(shù)有機物部分非金屬單質(zhì),部分非金屬化合物金屬氧化物、強堿、絕大多數(shù)鹽金屬單質(zhì)與合金【晶體類別的判斷方法】(1)依據(jù)構(gòu)成晶體的微粒和微粒間作用力判斷由陰、陽離子形成離子鍵構(gòu)成的晶體為離子晶體;由原子形成的共價鍵構(gòu)成的晶體為原子晶體;由分子依靠分子間作用力形成的晶體為分子晶體;由金屬陽離子、自由電子以金屬鍵形成的晶體為金屬晶體。(2)依據(jù)物質(zhì)的分類判斷①活潑金屬氧化物和過氧化物(如K2O、Na2O2等),強堿(如NaOH、KOH等),絕大多數(shù)的鹽是離子晶體。②部分非金屬單質(zhì)、所有非金屬氫化物、部分非金屬氧化物、幾乎所有的酸、絕大多數(shù)有機物的晶體是分子晶體。③常見的單質(zhì)類原子晶體有金剛石、晶體硅、晶體硼等,常見的化合物類原子晶體有SiC、SiO2、AlN等。④金屬單質(zhì)、合金是金屬晶體。(3)依據(jù)晶體的熔點判斷不同類型晶體熔點大小的一般規(guī)律:原子晶體>離子晶體>分子晶體。金屬晶體的熔點差別很大,如鎢、鉑等熔點很高,銫等熔點很低。(4)依據(jù)導電性判斷①離子晶體溶于水及熔融狀態(tài)時均能導電。②原子晶體一般為非導體。③分子晶體為非導體,但分子晶體中的電解質(zhì)(主要是酸和強極性非金屬氫化物)溶于水時,分子內(nèi)的化學鍵斷裂形成自由移動的離子,也能導電。④金屬晶體是電的良導體。考法7、晶胞及組成微粒計算1.晶胞中微粒數(shù)目的計算方法——均攤法熟記幾種常見的晶胞結(jié)構(gòu)及晶胞含有的粒子數(shù)目A.NaCl(含4個Na+,4個Cl-)B.干冰(含4個CO2)C.CaF2(含4個Ca2+,8個F-)D.金剛石(含8個C)E.體心立方(含2個原子)F.面心立方(含4個原子)2.晶胞求算(1)晶胞密度的計算(2)晶體微粒與M、ρ之間的關系若1個晶胞中含有x個微粒,則1mol晶胞中含有xmol微粒,其質(zhì)量為xMg(M為微粒的相對原子質(zhì)量);又1個晶胞的質(zhì)量為ρa3g(a3為晶胞的體積,a為晶胞邊長或微粒間距離),則1mol晶胞的質(zhì)量為ρa3NAg,因此有xM=ρa3NA。真題集訓:(2022·山東,高考)是一種鈉離子電池正極材料,充放電過程中正極材料立方晶胞(示意圖)的組成變化如圖所示,晶胞內(nèi)未標出因放電產(chǎn)生的0價原子。下列說法正確的是()A.每個晶胞中個數(shù)為xB.每個晶胞完全轉(zhuǎn)化為晶胞,轉(zhuǎn)移電子數(shù)為8C.每個晶胞中0價原子個數(shù)為D.當轉(zhuǎn)化為時,每轉(zhuǎn)移電子,產(chǎn)生原子答案:D真題集訓:(2022·江蘇,高考)工業(yè)上電解熔融和冰晶石的混合物可制得鋁。下列說法正確的是()A.半徑大小:B.電負性大?。篊.電離能大?。篋.堿性強弱:答案:A真題集訓:(2022·江蘇,高考)下列說法正確的是()A.金剛

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