追蹤檢測(cè)（六十六）教材基礎(chǔ)（4）——晶體構(gòu)造與性質(zhì)1．以下晶體分類中正確的一組是()選項(xiàng)離子晶體原子晶體分子晶體ANaOHArSO2BHSO石墨S24C3水晶CHCOONaDBa(OH)2金剛石玻璃分析：選CA項(xiàng)中固態(tài)Ar為分子晶體；B項(xiàng)中H2SO4為分子晶體，石墨是混淆型晶體；D項(xiàng)中玻璃是非晶體。2．以下各組晶體物質(zhì)中，化學(xué)鍵種類同樣，晶體種類也同樣的是()SiO2和SO3②晶體硼和HCl③CO2和SO2④晶體硅和金剛石⑤晶體氖和晶體氮⑥硫黃和碘A．①②③

B．④⑤⑥C．③④⑥

D．①③⑤分析：選C于原子晶體的有3．氮氧化鋁

屬于分子晶體的有SO3、HCl、CO2、SO2、晶體氖、晶體氮、硫黃、碘，屬SiO2、晶體硼、晶體硅、金剛石，但晶體氖中不存在化學(xué)鍵。(AlON)屬原子晶體，是一種超強(qiáng)透明資料，以下描繪錯(cuò)誤的選項(xiàng)是()A．AlON和石英的化學(xué)鍵種類同樣B．AlON和石英晶體種類同樣C．AlON和Al2O3的化學(xué)鍵種類不一樣D．AlON和Al2O3晶體種類同樣分析：選DAlON與石英

(SiO2)均為原子晶體，所含化學(xué)鍵均為共價(jià)鍵，故

A、B項(xiàng)正確；Al2O3是離子晶體，晶體中含離子鍵，不含共價(jià)鍵，故

C項(xiàng)正確、

D項(xiàng)錯(cuò)誤。4．以下說(shuō)法中正確的選項(xiàng)是()A．離子晶體中每個(gè)離子四周均吸引著6個(gè)帶相反電荷的離子B．金屬導(dǎo)電的原由是在外電場(chǎng)作用下金屬產(chǎn)生自由電子，電子定向運(yùn)動(dòng)C．分子晶體的熔、沸點(diǎn)很低，常溫下都呈液態(tài)或氣態(tài)D．原子晶體中的各相鄰原子都以共價(jià)鍵相聯(lián)合分析：選D

A項(xiàng)，離子晶體中每個(gè)離子四周不必定吸引

6個(gè)帶相反電荷的離子，如

CsCl晶體中，每個(gè)

Cs＋吸引

8個(gè)

Cl－；B項(xiàng)，金屬晶體中的自由電子不是由于外電場(chǎng)作用產(chǎn)生的；C項(xiàng)，分子晶體在常溫下不必定是液態(tài)或氣態(tài)，可能為固態(tài)，如

I2、S8等。5．以下物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高低次序中，正確的選項(xiàng)是

(

)A．金剛石＞晶體硅＞二氧化硅＞碳化硅B．C．MgO＞H2O＞O2＞Br2D．金剛石＞生鐵＞純鐵＞鈉分析：選BA項(xiàng)，同屬于原子晶體，熔、沸點(diǎn)高低由共價(jià)鍵的強(qiáng)弱即鍵能大小決定，鍵能由小到大也是熔、沸點(diǎn)由低到高的次序?yàn)榫w硅＜碳化硅＜二氧化硅<金剛石，錯(cuò)誤；B項(xiàng)，形成分子間氫鍵的物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高于形成分子內(nèi)氫鍵的物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)，正確；C項(xiàng)，熔、沸點(diǎn)高低次序?yàn)镸gO＞H2O＞Br2＞O2，錯(cuò)誤；D項(xiàng)，生鐵為鐵合金，熔點(diǎn)低于純鐵，錯(cuò)誤。6．以下數(shù)據(jù)是對(duì)應(yīng)物質(zhì)的熔點(diǎn)

(℃)：BCl3－107

Al2O32073

Na2O920

NaClAlF38011291

AlCl190

3

干冰－57

SiO21723據(jù)此做出的以下判斷中錯(cuò)誤的選項(xiàng)是()A．鋁的化合物的晶體中有的是離子晶體B．表中只有BCl3和干冰是分子晶體C．同族元素的氧化物可形成不一樣種類的晶體D．不一樣族元素的氧化物可形成同樣種類的晶體分析：選BA項(xiàng)，氧化鋁的熔點(diǎn)高，屬于離子晶體，則鋁的化合物的晶體中有的是離子晶體，正確；B項(xiàng)，表中BCl3、AlCl3和干冰均是分子晶體，錯(cuò)誤；C項(xiàng)，同族元素的氧化物可形成不一樣種類的晶體，如CO2是分子晶體，SiO2是原子晶體，正確。7．以下對(duì)于

CaF2的表述正確的選項(xiàng)是

(

)A．Ca2＋與

F－間僅存在靜電吸引作用B．F－的離子半徑小于

Cl－，則

CaF2的熔點(diǎn)低于

CaCl2C．陰、陽(yáng)離子數(shù)之比為

2∶1的物質(zhì)，均與

CaF2晶體構(gòu)型同樣D．CaF2中的化學(xué)鍵為離子鍵，所以

CaF2在熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電分析：選DCa2＋與F－之間既有靜電吸引作用，也有靜電排擠作用，－－電荷同樣，F(xiàn)的離子半徑小于Cl，所以CaF2晶體的晶格能大，熔點(diǎn)高，

A錯(cuò)誤；離子所帶B錯(cuò)誤；晶體構(gòu)型還與離子半徑的相對(duì)大小相關(guān)，所以陰、陽(yáng)離子數(shù)之比為

2∶1的物質(zhì)，不必定與

CaF2晶體構(gòu)型同樣，

C錯(cuò)誤；CaF2中的化學(xué)鍵為離子鍵，在熔融狀態(tài)下發(fā)生電離，所以

CaF2在熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電，D正確。8．有一種藍(lán)色晶體[可表示為MxFey(CN)6]，經(jīng)X-射線研究發(fā)現(xiàn)，它的構(gòu)造特點(diǎn)是Fe3＋2＋相互占有立方體互不相鄰的極點(diǎn)，而－位于和FeCN立方體的棱上。其晶體中陰離子的最小構(gòu)造單元以下圖。以下說(shuō)法不正確的選項(xiàng)是()A．該晶體的化學(xué)式為MFe2(CN)6B．該晶體屬于離子晶體，M呈＋1價(jià)C．該晶體屬于離子晶體，M呈＋2價(jià)D．晶體中與每個(gè)Fe3＋－距離近來(lái)且等距離的CN為6個(gè)分析：選C由題圖可推出晶體中陰離子的最小構(gòu)造單元中含F(xiàn)e2＋個(gè)數(shù)：4×1＝1，含823＋11－1－Fe個(gè)數(shù)：4×8＝2，含CN個(gè)數(shù)：12×4＝3，所以陰離子為[Fe2(CN)6]，則該晶體的化學(xué)式只好為MFe2(CN)6，由陰、陽(yáng)離子形成的晶體為離子晶體，M的化合價(jià)為＋1價(jià)，故A、B3＋－兩項(xiàng)正確，C項(xiàng)錯(cuò)誤。由圖可看出與每個(gè)Fe距離近來(lái)且等距離的CN為6個(gè)，故D項(xiàng)正確。9．(1)鈉、鉀、鉻、鉬、鎢等金屬晶體的晶胞屬于體心立方，則該晶胞中屬于1個(gè)體心立方晶胞的金屬原子數(shù)量是________。氯化銫晶體的晶胞如圖1，則Cs＋位于該晶胞的________，而Cl－位于該晶胞的________，Cs＋的配位數(shù)是________。銅的氫化物的晶體構(gòu)造如圖2所示，寫出此氫化物在氯氣中焚燒的化學(xué)方程式：________________________________________________________________________。(3)－2＋＋圖3為F與Mg、K形成的某種離子晶體的晶胞，此中“○”表示的離子是________(填離子符號(hào))。(4)實(shí)考證明：KCl、MgO、CaO、TiN這4種晶體的構(gòu)造與NaCl晶體構(gòu)造相像(如圖4所示)，已知3種離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)以下表：離子晶體NaClKClCaO晶格能/(kJ·mol－1)7867153401則這4種離子晶體(不包含NaCl)熔點(diǎn)從高到低的次序是________________________。此中MgO晶體中一個(gè)2＋四周和它最周邊且等距離的2＋有________個(gè)。MgMg分析：(1)體心立方晶胞中，1個(gè)原子位于體心，8個(gè)原子位于立方體的極點(diǎn)，故1個(gè)晶胞中金屬原子數(shù)為8×1＋1＝2；氯化銫晶胞中，Cs＋位于體心，Cl－位于極點(diǎn)，Cs＋的配位數(shù)8為8。(2)由晶胞可知，粒子個(gè)數(shù)比為1∶1，化學(xué)式為CuH，CuH與Cl2反響，產(chǎn)物為CuCl2和HCl，化學(xué)方程式為點(diǎn)燃1個(gè)，2CuH＋3Cl2=====2CuCl2＋2HCl。(3)由晶胞構(gòu)造可知，黑球有灰球有1個(gè)，白球有3個(gè)，由電荷守恒可知n(Mg2＋)∶n(K＋)∶n(F－)＝1∶1∶3，故白球?yàn)镕－。(4)從3種離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)知道，離子所帶電荷越多、離子半徑越小，離子晶體的晶格能越大，離子所帶電荷數(shù)：Ti3＋2＋2＋2＋，所以熔點(diǎn)：>Mg，離子半徑：Mg＜CaTiN>MgO>CaO>KCl；MgO晶體中一個(gè)2＋四周和它最周邊且等距離的2＋有12個(gè)。MgMg答案：(1)2體心極點(diǎn)8點(diǎn)燃(2)2CuH＋3Cl2=====2CuCl2＋2HCl(3)F－(4)TiN>MgO>CaO>KCl1210．(2017·海南高考)ⅣA族元素及其化合物在資料等方面有重要用途。回答以下問(wèn)題：(1)碳的一種單質(zhì)的構(gòu)造如圖原子間存在的共價(jià)鍵種類有

(a)所示。該單質(zhì)的晶體種類為_(kāi)_______，________，碳原子的雜化軌道種類為_(kāi)___________________。(2)SiCl4分子的中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為_(kāi)_______，分子的立體構(gòu)型為

________，屬于________分子(填“極性”或“非極性”)。四鹵化硅SiX4的沸點(diǎn)和二鹵化鉛PbX2的熔點(diǎn)如圖(b)所示。①SiX4的沸點(diǎn)依F、Cl、Br、I次序升高的原由是________________________________________________________________________________________________________________________________________________。②聯(lián)合SiX4的沸點(diǎn)和PbX2的熔點(diǎn)的變化規(guī)律，可推測(cè)：依F、Cl、Br、I序次，PbX2中的化學(xué)鍵的離子性________、共價(jià)性________。(填“加強(qiáng)”“不變”或“減弱”)分析：(1)該單質(zhì)為石墨，石墨屬于混淆型晶體，層內(nèi)碳原子之間形成σ鍵和π鍵；石墨中碳原子有3個(gè)σ鍵，無(wú)孤電子對(duì)，所以雜化種類為sp2；(2)SiCl4中心原子是Si，有4個(gè)σ鍵，孤電子對(duì)數(shù)為－＝0，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4，空間