(LTSpice)以反相器為例學習仿真MOSFET_第1頁
(LTSpice)以反相器為例學習仿真MOSFET_第2頁
(LTSpice)以反相器為例學習仿真MOSFET_第3頁
全文預覽已結束

下載本文檔

版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權,請進行舉報或認領

文檔簡介

本文格式為Word版,下載可任意編輯——(LTSpice)以反相器為例學習仿真MOSFEThttp://wenku.http://.//link?url=AVcz6k7eeYd-D71yBY_aGbVgTYpVuwOVKu7AdnOZMCAfq14xIaR0KaKL32HSN_y-5LgplJ7xSBt4qLZhyQB2qAiuNZ_sYZcVNJLBgNy1pH_

/這個網(wǎng)站提供了一些電路仿真軟件的教程,可以看下。原理圖schematic

元件

LTSpice提供了nmos(pmos)和nmos4(pmos4)兩種nmos(pmos)。其中nmos(pmos)表示襯底(B)和源極(S)相連。

mos和mos4能調(diào)整的屬性不同,如圖:

本例中要設置mos管的W=0.18u,L=0.18u,選用nmos4和pmos4。布線

如圖:

1.其中,mos管Gate靠近的那一極好像是Source,所以PMOS要ctrl+R,ctrl+R,Ctrl+E。2.注意加電路名稱,功能(假使需要),參數(shù)設定。封裝

電路設計采用層次化的方式,為了上層電路的調(diào)用,往往把底層的電路做好后進行封裝,其實進行封裝不僅有利于上層電路調(diào)用,還有利于測試。

建一個NewSymbol,該Symbol里的pin的名稱必需和封裝電路中的一樣。ctrl+A(AttributeEditor)中SymbolType選Block,其他都保持不填。與.asc文件放入同一文件夾。注意:令.asy和.asc文件命名一致,并放在一個文件夾下即可,不需特別關聯(lián)。

仿真

仿真類型

(1)模擬電路仿真分析類型對于模擬電路,輸入正弦波信號進行分析,仿真分析類型主要有靜態(tài)工作點分析、小信號模型分析、噪聲分析等。

(2)數(shù)字電路仿真分析類型對于數(shù)字電路,輸入脈沖波形進行仿真分析,仿真分析類型主要有時序分析(采用瞬態(tài)分析控制)。接入信號源

用獨立電壓源Voltage做鼓舞信號源,信號源設為pulse,Von=5,Ton=1m,Tperiod=2m,其他為零。Simulation為Transient,starttime=5m,maximumtimestep=0.5m。

注意:Transient表示瞬態(tài)分析,ACAnalysis進行小信

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評論

0/150

提交評論