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第二節(jié)直接帶隙與間接帶隙躍遷

編輯ppt

一.豎直躍遷與非豎直躍遷半導(dǎo)體中電子的能量E和波矢量K是一個(gè)非常復(fù)雜的關(guān)系。豎直躍遷：電子躍遷的初態(tài)、終態(tài)對(duì)應(yīng)著布里淵的同一波矢K。GaAs,Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物。非豎直躍遷：電子躍遷的初態(tài)、態(tài)終不對(duì)應(yīng)著布里淵區(qū)的同一波矢K，其差值大于晶格常數(shù)的倒數(shù)。

Ge、Si中。編輯ppt二.躍遷的K選擇定則以上兩種躍遷均滿(mǎn)足：

①能量守恒②動(dòng)量守恒編輯ppt

三.直接帶隙躍遷光子的波數(shù)很小直接帶隙躍遷（豎直躍遷）參與者：光子、電子、空穴躍遷幾率大，屬一級(jí)微擾過(guò)程。

四.間接帶隙躍遷電子躍遷初、終態(tài)的值不相等，有聲子參與（）編輯ppt

有聲子參加才滿(mǎn)足動(dòng)量守恒的躍遷稱(chēng)為間接帶隙躍遷。

有四種量子參與的躍遷編輯ppt編輯ppt

二.躍遷幾率首先確定包括微擾在內(nèi)的描述能量的哈密頓量和該系統(tǒng)的波函數(shù),再求解薛定諤方程.三.電子在淺雜質(zhì)能級(jí)和與其相對(duì)的能帶之間躍遷編輯ppt

四.重?fù)诫s下帶-帶躍遷當(dāng)摻雜濃度↑→外層電子的波函數(shù)交疊形成雜質(zhì)能帶→進(jìn)入本征拋物線能

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