工序?qū)W問概要在整個晶體內(nèi),原子都是周期性的規(guī)章排列,稱之為單晶.由很多取向不同的單晶顆粒雜亂的排列在一路的固體稱為多晶.工序流程::裝片-清洗-制絨-清洗-甩干-集中-等離子刻蝕-去磷硅玻璃-甩干-鍍膜-絲印-燒結(jié)-分類檢測清洗利用氫氧化鈉對多晶硅侵蝕的各向異性,爭取外表反射率較低的外表構(gòu)造.單晶主要化學(xué)品:NaOH NaSiO3 HF HCL 異丙醇多晶主要化學(xué)品：咯酸 HF HCL化學(xué)侵蝕的原理熱的NaOH溶液祛除硅片外表機械損傷層:Si+2NaOH+H 2O====Na2SiO3+2H2HF祛除硅片外表氧化層SiO2+6HF=====H 2[SiF6]+2H2OHCL祛除硅片外表金屬雜質(zhì)鹽酸具有酸和絡(luò)合劑的雙重作用,氯離子能與 Pt2+ Au3+ Ag+ Cu+Cd2+Hg2+等金屬離子形成可溶于水的絡(luò)合物現(xiàn)有多晶硅片是又長方體晶錠在多線切割鋸切成一片片多晶硅方片,由于切片是鋼絲在金剛砂溶液作用下屢次來回削切成硅片,金剛砂硬度很高,會在硅片外表帶來必定的機械損傷.假設(shè)是損傷不祛除,會影響太陽電池的填充因子.硅片集中前的清洗侵蝕工序標(biāo)準(zhǔn)工時:44分鐘絨面的作用為了提高單晶硅太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率,工業(yè)生產(chǎn)中通常承受堿與醇的混合溶液對晶面的單晶硅片的各項異蝕在外表形成類似”金字塔”狀的絨面,有效增加硅片對入射太陽光的吸取,從而提高光生電流密度.異丙醇在制絨液中起兩點作用:一異丙醇在制絨液中起兩點作用:一. 幫助氫氣泡的釋放;二.可以減弱氫氧化鈉對硅片的侵蝕力度.氫氧化鈉.硅酸鈉與異丙醇的混合溶液對晶體硅進展侵蝕,可以制備出類似金字塔的構(gòu)造外表。理想的絨面應(yīng)是金字塔體積較小，大小均勻，覆蓋率高。NaOH 量過量，或溫度太高，造成初拋事后的大絨面沒有很好的取得修復(fù)。制絨進程中易消滅的問題有：絨面過大，或大小不均，絨面不良〔絨面色斑教多，主假設(shè)臟污沒有去掉，絨面雨點現(xiàn)象。絨面過大，可NaOH 量過量，或溫度太高，造成初拋事后的大絨面沒有很好的取得修復(fù)。過量。清洗甩干后的片子有時有甩不干的現(xiàn)象，主要有三個方面的影響：1.甩干機運行溫度。2.甩過量。清洗甩干后的片子有時有甩不干的現(xiàn)象，主要有三個方面的影響：1.甩干機運行溫度。2.甩干機運行速度 3.甩干機油溫。其中以油溫為主導(dǎo)因素，油溫大體上掌握在110-120 之間，假設(shè)是油溫上不去，其他兩個參數(shù)再怎么改，異丙醇不能過少也不能POCL3分解后的P2O5POCL3分解后的P2O5結(jié)合而提前形成偏磷酸，從而一方面降低了P的利用，更重要的是偏磷酸耐高溫且有強侵蝕性，會附在硅片外表侵蝕硅片，從而形成白色反映殘留物〔也就是后面所說的亮點色斑，也從而形成外表缺點，一方面大大降低效率，另一方面在外觀上也是一大禁忌。過量的水分會在集中時與集中工序?qū)W問PN結(jié)是不能簡潔地用兩塊不同類型的半導(dǎo)體接觸在一路就可以形成的,必需在晶體內(nèi)部實現(xiàn)P型和N型半導(dǎo)體的接觸.咱們制造PN結(jié)，實質(zhì)上是想方法使受主雜質(zhì)在半導(dǎo)體晶體內(nèi)的一個區(qū)域中占優(yōu)勢〔P型，而使施主雜質(zhì)在半導(dǎo)體的另一個區(qū)域中占優(yōu)勢〔N型，這樣就在一塊完整的半導(dǎo)體晶體中實現(xiàn)了P型和N型半導(dǎo)體的接觸。液態(tài)磷集中原理POCL3是目前磷集中用的較多的一種雜質(zhì)源.它是無色透亮液體,具有刺激性氣味,假設(shè)是純度不高則呈紅黃色,其比重為,熔點2!C,沸點107C,在潮濕空氣中發(fā)煙,POCL3,很簡潔發(fā)生水解,POCLPOCL3是目前磷集中用的較多的一種雜質(zhì)源.它是無色透亮液體,具有刺激性氣味,假設(shè)是純度不高則呈紅黃色,其比重為,熔點2!C,沸點107C,在潮濕空氣中發(fā)煙,POCL3,很簡潔發(fā)生水解,POCL3極易揮發(fā),高溫下蒸汽壓很高,為了維持蒸汽壓的穩(wěn)定,一般是把源瓶放在的冰水混合物中.磷有極毒,換源時應(yīng)在抽風(fēng)櫥內(nèi)進展,且不要在尚未倒掉舊源時就用水沖,這樣易引發(fā)源瓶爆炸,POCL3在高溫下(>600)分解生成無氯化磷和五氧化二磷,其反映如下:5POCL5POCL3====3PCL 5+P2O5生成的P2O5在集中溫度下與硅反映,生成二氧化硅和磷原子,其反映式如下:2P2P2O5+5Si====5SiO 2+4P↓由上面的反映式可以看出.POCL3熱分解時,假設(shè)是沒有外來的氧參與其分解是不充分的,生成的PCL5是不易分解的,而且對硅片有侵蝕作用,破壞硅片的外表狀態(tài).但在外來氧的狀況下,PCL5會進一步分解成P2O5并放出氯氣其反映式如下:4PCL4PCL5+O2====2P 2O5+10CL2↗4POCL3+3O2===2P2O5+6CL2生成的P2O5又進一步與硅反映,生成SiO24POCL3+3O2===2P2O5+6CL2POCL3分解產(chǎn)生的P2O5沉積在硅片外表,P2O5與硅反映生成SiO2和磷原子,并在硅片外表形成磷硅玻璃,然后磷原子再向硅片中進展集中,反映式如下:2P2O5+5Si====5SiO 2+4PPOCL3液態(tài)源集中方式具有生產(chǎn)效率較高,取得POCL3液態(tài)源集中方式具有生產(chǎn)效率較高,取得PN結(jié)均勻,平坦和集中層外表良好等特長.這對于制作具有大的結(jié)面積的太陽能電池是超級重要的.集中進程中消滅集中不到現(xiàn)象,集中不到有什么表現(xiàn),其主要有那些緣由?在沒有來得及反映的狀況下都抽走了.沒有起到集中的效果,所以這種狀況大多出此刻爐口,2.集中管左右位置不平行,多出此刻爐口低的狀況,那么處于低位置的地方集中效果就有可能較差,或集中不到.3.爐口擋板壞掉,不能起到緩沖氣體的作用,那么源在到達爐口后沒有通過回流就直接順排風(fēng)口排掉.1.集中爐口排氣口太大,所處于爐口的源答:集中事后的硅片呈黑色,而未集中過的硅片為原始硅片顏色,即為灰色,集中不到有兩種狀況,一種是硅片邊緣集中不到,另一種是硅片全數(shù)集中不到,集中不到的硅片方塊電阻多在100歐姆左右,其主要緣由是集中管內(nèi)磷元素散布不均,這有兩種狀況,一種是管內(nèi)上下散布不均(即形成邊緣集中不到),這種主假設(shè)由于集中時管內(nèi)大氮氣流量小,沒起到平衡管內(nèi)氣體的作用,那么集中小氮氣攜源進入管子后易沉在管子下方,造成上部份集中不到現(xiàn)象.另一種是管內(nèi)左右散布不均在沒有來得及反映的狀況下都抽走了.沒有起到集中的效果,所以這種狀況大多出此刻爐口,2.集中管左右位置不平行,多出此刻爐口低的狀況,那么處于低位置的地方集中效果就有可能較差,或集中不到.3.爐口擋板壞掉,不能起到緩沖氣體的作用,那么源在到達爐口后沒有通過回流就直接順排風(fēng)口排掉.1.集中爐口排氣口太大,所處于爐口的源查驗集中效果的依據(jù)是:方塊電阻如何計算方塊電阻不均勻度?答:方塊電阻不均勻度=最大電阻與最小電阻之差除于最大電阻與最小電阻之和再乘于100%測電阻時,電流校準(zhǔn)值調(diào)到,測電阻率:電流調(diào)到.PECVD的作用抗氧化和絕緣在太陽電池外表沉積深藍色減反射膜SiN膜,其具有卓越的抗氧化和絕緣性能,同時具有良好的阻擋離子,掩蔽金屬和水蒸氣集中那的力量.它的化學(xué)穩(wěn)定性也很好,除定性也很好,除氫氟酸和熱磷酸能緩慢侵蝕外,其他酸與它大體不起作用.除SiN膜外,TiO2.SiO2也可作為減反射膜.在在PECVD處,發(fā)紅,發(fā)黃,是由于片子鍍膜時間偏短膜薄.發(fā)白是由于鍍膜時間偏長膜厚.間偏長膜厚.工藝原點如何產(chǎn)生,什么作用?推斷標(biāo)準(zhǔn)是什么>?答:在PECVD 處第一為了卡位片子,其次是為了在鍍膜時形成電場.原點的標(biāo)準(zhǔn)在.假設(shè)是覺察超過標(biāo)準(zhǔn)時準(zhǔn)時通知PECVD 相關(guān)人員進展處置.反面被鍍到膜的不需要返工.可是必需單獨流出,嚴峻色差.色班的進展返工.鈍化膜(介質(zhì))的主要作用是保護半導(dǎo)體器件外表不受污染物的影響,半導(dǎo)體外表鈍化可降低半導(dǎo)體外表態(tài)密度.3SiH4+4NH3===SiN4+12H23SiH4====SIH3+SiH23SiH4+4NH3===SiN4+12H23SiH4====SIH3+SiH2+SIH3-+6H+2NH3===NH3+NH23-+3H+參數(shù)對氮化硅膜的作用:沉積腔壓力:超過降消沉積率;低壓增加H鈍化效果總氣體流量:沉積率隨著總氣體流量增加(在 1000sccm/ps 時飽和),但在高流量時等離子體割裂態(tài)少工作氣體:比較多的SIH4會致使較多的Si含量,更高的折射率(QNH3/QSiH4)承載框傳輸速度:速度的調(diào)整用作對膜厚的最終調(diào)整反映溫度:隨著溫度增加稍微削減沉積率微波功率(對一個微波源):調(diào)整P-PEAK可轉(zhuǎn)變等離子源的集中長度,沉積率隨著P-mean稍微增加(通過Tom,Toff掌握),假設(shè)是不均勻通過左/右微波功率調(diào)整左/右沉積率膜的厚度:對最大的光吸取為最正確的減反射膜參數(shù)(備注:在燒結(jié)后膜的光學(xué)特性有一些轉(zhuǎn)變)折射率:對最大的光吸取為最正確的減反膜參數(shù)(備注:在燒結(jié)后膜的光學(xué)特性有一些轉(zhuǎn)變)絲網(wǎng)印刷. 絲網(wǎng)印刷原理絲網(wǎng)印刷是通過刮條擠壓絲網(wǎng)彈性形變后將漿料漏印在需要印刷的材料上的一種印刷方式,這也是目前普遍承受的一種電池工藝絲網(wǎng)印刷常見故障及處置方式第一道印刷機漏漿解決方式:依據(jù)在硅片上漏漿的位置,確定網(wǎng)版漏漿的位置.查看網(wǎng)版漏漿洞的大小,假設(shè)是漏洞不大,選擇適合的膠帶在網(wǎng)版下面將漏漿的位置拈住,試做一片,查看是不是仍舊漏漿,假設(shè)是仍舊漏漿,從頭修補,假設(shè)是不漏,可以連續(xù)利用,假設(shè)是漏洞太大,無法用膠帶修補的話,請改換網(wǎng)版.虛印緣由:一般為咱們的印刷參數(shù)不好或印刷刮條不平,有時也可能是咱們的網(wǎng)版利用的時間太長而造成虛印.解決方式:咱們此時可以觀看印刷后刮條刮試的網(wǎng)版是不是干凈，試著舉高絲網(wǎng)間距，加大印刷的壓力，假設(shè)是仍舊不干凈的話，可以嘗試著改換刮條。假設(shè)是刮的干凈看看網(wǎng)版的總的印刷數(shù)量，假設(shè)是是由于網(wǎng)版利用的時間太長而造成虛印，咱們在加漿料的時候?qū)嵭猩偌訉掖渭?，順便可以加大印刷壓力。印刷圖形偏移緣由：印刷參數(shù)不正確。印刷臺面太臟，造成攝像頭進展待印刷硅片位置校正產(chǎn)生錯誤。解決方式：調(diào)整印刷參數(shù)，即印刷的縱橫軸的大小，即轉(zhuǎn)角的度數(shù)，改換印刷臺面的紙張。壓板緣由:當(dāng)某一個印刷臺面上不斷的碎片,而且碎片外形大同小異,印刷臺面上可能有雜物.解決方式:擦拭臺面,假設(shè)是還有碎片的話,改換印刷臺面的紙張.堵網(wǎng)緣由：有干的漿料將本該漏印的地方堵起來了。解決方式：選擇“先刮漿料后印刷”的印刷方式，將印刷頭停在靠近自己的地方，按下“F5”鍵向上抬起網(wǎng)版，利用帶酒精的抹布將堵網(wǎng)的地方擦干凈即可。以松油醇擦拭堵網(wǎng)處，然后以白紙試印。其次道印刷機彎曲緣由：硅片的背電場鋁漿漏印的太多。解決方式：調(diào)整印刷參數(shù)。如：減少絲網(wǎng)間距，同時加大印刷壓力。加大刮條的下降距離。同時進展印刷前和印刷后的稱重，看印刷是不是符合印刷工藝要求。如：125*125的印刷前后的重量差為克這個范圍內(nèi)。/鋁苞緣由：印刷的漿料有點薄，網(wǎng)版有破損解決方式：調(diào)整印刷參數(shù)使印刷符合工藝要求。網(wǎng)版破損，請改換網(wǎng)版。粘板緣由：絲網(wǎng)間距過小，印刷刮條不平，絲網(wǎng)刮不干凈，印刷臺面紙?zhí)K，硅片吸附不住。解決方式：加大絲網(wǎng)間距和印刷壓力。改換刮條。改換印刷臺面紙張。壓板〔同第一道問題的解決方式〕漏漿〔同第一道問題的解決方式〕印刷圖形偏移〔同第一道問題的解決方式〕第三道印刷機斷線緣由：有東西粘在網(wǎng)版上。堵網(wǎng)解決方式：利用干凈的抹布擦拭網(wǎng)版，或用干凈的抹布蘸松油醇擦拭網(wǎng)版，然后再用干凈的抹布擦拭網(wǎng)版。假設(shè)是是堵網(wǎng)的話，可以選擇“先刮漿料后印刷”的印刷方式，將印刷頭停在靠近自己的地方，按下“F5”鍵向上抬起網(wǎng)版，先利用帶酒精的抹布將堵網(wǎng)的地方擦拭干凈，再次利用干凈的抹布蘸松油醇擦拭網(wǎng)版，然后再用干凈的抹布擦拭網(wǎng)版即可。漏漿緣由：網(wǎng)版有破洞解決方式：依據(jù)在硅片上漏漿的位置，確定網(wǎng)版漏漿的位置，查看網(wǎng)版漏漿洞的大小，假設(shè)是漏洞不大，且不在細柵線上，可利用封網(wǎng)漿將小孔封住。假設(shè)是大的話，請改換網(wǎng)版。粗點緣由：細柵線上的粗點，網(wǎng)版受傷了，在細柵線上有一個小洞在漏漿。解決方式：改換網(wǎng)版正確挪用工藝文件確認或調(diào)整其他選項：攝像校正選項中應(yīng)選擇相應(yīng)的尺寸分類檢測Cycle 界面中輸入相應(yīng)的尺寸。直角片時應(yīng)將上料臺推桿的速度調(diào)低，以削減碎片。漿料的利用銀漿依照硅片的不同類型利用不同的型號單晶廣州儒興33-462。多晶：廣州儒興PV147，作用：搜集電流。鋁漿為15Q〔常常利用，抗彎曲〕和15L烘干爐。燒結(jié)爐的作用：烘干是為了祛除漿料中的有質(zhì)部份，燒結(jié)是為了讓上下電極形成歐姆接觸，提高轉(zhuǎn)換效率。第三道：A版其次道：B版第一道：C版150S/156M/156S 的網(wǎng)版利用壽命一樣：A版3萬。B版10萬。C版5萬125S的網(wǎng)版利用壽命為