ICS3310020

CCSL.06.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T1762612—2023/IEC61000-4-122017

.:

代替GB/T1762612—2013

.

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)

第12部分振鈴波抗擾度試驗(yàn)

:

Electromagneticcompatibility—Testingandmeasurementtechniques—

Part12Rinwaveimmunittest

:gy

IEC61000-4-122017ElectromaneticcomatibilitEMC—

[:,gpy()

Part4-12Testinandmeasurementtechniues—

:gq

RinwaveimmunittestIDT

gy,]

2023-03-17發(fā)布2023-10-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T1762612—2023/IEC61000-4-122017

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅴ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)定義和縮略語(yǔ)

3、………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3.1…………………………1

縮略語(yǔ)

3.2………………2

概述

4……………………3

現(xiàn)象描述

4.1……………3

相關(guān)參數(shù)

4.2……………4

試驗(yàn)等級(jí)

5…………………5

試驗(yàn)設(shè)備

6…………………5

振鈴波發(fā)生器

6.1………………………5

耦合去耦網(wǎng)絡(luò)

6.2/………………………7

的校準(zhǔn)

6.3CDN………………………13

試驗(yàn)布置

7…………………16

試驗(yàn)設(shè)備

7.1……………16

試驗(yàn)設(shè)備的驗(yàn)證

7.2……………………16

電源端口的試驗(yàn)布置

7.3EUT………………………16

非屏蔽不對(duì)稱(chēng)互連線的試驗(yàn)布置

7.4…………………17

非屏蔽對(duì)稱(chēng)互連線的試驗(yàn)布置

7.5……………………17

屏蔽線的試驗(yàn)布置

7.6…………………17

保護(hù)接地

7.7……………18

試驗(yàn)程序

8…………………18

概述

8.1…………………18

實(shí)驗(yàn)室參考條件

8.2……………………19

試驗(yàn)實(shí)施

8.3……………19

試驗(yàn)結(jié)果評(píng)定

9……………20

試驗(yàn)報(bào)告

10………………20

附錄資料性電磁環(huán)境信息安裝類(lèi)別和試驗(yàn)等級(jí)

A()、………………21

附錄資料性發(fā)生器和試驗(yàn)等級(jí)的選擇

B()……………23

概述

B.1…………………23

環(huán)境分類(lèi)

B.2……………23

Ⅰ

GB/T1762612—2023/IEC61000-4-122017

.:

端口類(lèi)型的定義

B.3……………………23

試驗(yàn)等級(jí)的選擇

B.4……………………23

附錄資料性注釋

C()……………………25

不同的源阻抗

C.1………………………25

試驗(yàn)的應(yīng)用

C.2…………………………25

附錄資料性測(cè)量不確定度的考慮

D()(MU)…………26

概述

D.1…………………26

振鈴波參數(shù)的說(shuō)明

D.2…………………26

振鈴波測(cè)量不確定度的影響因素

D.3…………………26

發(fā)生器輸出電壓和電流測(cè)量的不確定度

D.4…………27

不確定度在振鈴波標(biāo)準(zhǔn)符合性中的應(yīng)用

D.5…………30

參考文獻(xiàn)

……………………31

Ⅱ

GB/T1762612—2023/IEC61000-4-122017

.:

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)的第部分已經(jīng)發(fā)布了以下

GB/T17626《》12。GB/T17626

部分

:

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)抗擾度試驗(yàn)總論

———GB/T17626.1—2006;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.2—2018;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.3—2016;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.4—2018;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌沖擊抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.5—2019();

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度

———GB/T17626.6—2017;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)供電系統(tǒng)及所連設(shè)備諧波間諧波的測(cè)

———GB/T17626.7—2017、

量和測(cè)量?jī)x器導(dǎo)則

;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)工頻磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.8—2006;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)脈沖磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.9—2011;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)阻尼振蕩磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.10—2017;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電壓暫降短時(shí)中斷和電壓變化的抗

———GB/T17626.11—2008、

擾度試驗(yàn)

;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)第部分振鈴波抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.12—202312:;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)交流電源端口諧波諧間波及電網(wǎng)信

———GB/T17626.13—2006、

號(hào)的低頻抗擾度試驗(yàn)

;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電壓波動(dòng)抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.14—2005;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)閃爍儀功能和設(shè)計(jì)規(guī)范

———GB/T17626.15—2011;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)共模傳導(dǎo)騷擾抗擾度

———GB/T17626.16—20070Hz~150kHz

試驗(yàn)

;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)直流電源輸入端口紋波抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.17—2005;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)阻尼振蕩波抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.18—2016;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)第部分交流電源端口

———GB/T17626.19—202219:2kHz~

差模傳導(dǎo)騷擾和通信信號(hào)抗擾度試驗(yàn)

150kHz;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)橫電磁波波導(dǎo)中的發(fā)射和抗擾

———GB/T17626.20—2014(TEM)

度試驗(yàn)

;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)混波室試驗(yàn)方法

———GB/T17626.21—2014;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)全電波暗室中的輻射發(fā)射和抗擾度

———GB/T17626.22—2017

測(cè)量

;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)

———GB/T17626.24—2012HEMP

方法

;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)三相電壓不平衡抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.27—2006;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)工頻頻率變化抗擾度試驗(yàn)

———GB/T17626.28—2006;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)直流電源輸入端口電壓暫降短時(shí)中

———GB/T17626.29—2006、

Ⅲ

GB/T1762612—2023/IEC61000-4-122017

.:

斷和電壓變化的抗擾度試驗(yàn)

;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電能質(zhì)量測(cè)量方法

———GB/T17626.30—2012;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)第部分交流電源端口寬帶傳導(dǎo)騷

———GB/T17626.31—202131:

擾抗擾度試驗(yàn)

;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)主電源每相電流大于的設(shè)備的

———GB/T17626.34—201216A

電壓暫降短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度試驗(yàn)

、。

本文件代替電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)振鈴波抗擾度試驗(yàn)與

GB/T17626.12—2013《》,

相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性改動(dòng)外主要技術(shù)變化如下

GB/T17626.12—2013,,:

增加了關(guān)于振鈴波波形的數(shù)學(xué)模型見(jiàn)

———(4.1);

增加了高速見(jiàn)

———CDN(6.2.3);

增加了的校準(zhǔn)程序見(jiàn)

———CDN(6.3)。

本文件等同采用電磁兼容第部分試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)振鈴波

IEC61000-4-12:2017《(EMC)4-12:

抗擾度試驗(yàn)

》。

本文件做了下列最小限度的編輯性改動(dòng)

:

為與現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)協(xié)調(diào)將標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)修改為電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)第部分振鈴波抗擾

———,《12:

度試驗(yàn)

》;

增加了附錄發(fā)生器和試驗(yàn)等級(jí)的選擇

———B;

增加了附錄注釋

———C;

增加了附錄測(cè)量不確定度的考慮

———D。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專(zhuān)利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC246)。

本文件起草單位中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第三研究所上海市計(jì)量測(cè)試技術(shù)研究院廈門(mén)光莆電子

:、、

股份有限公司北京中認(rèn)檢測(cè)技術(shù)服務(wù)有限公司上海電器科學(xué)研究所集團(tuán)有限公司

、、()。

本文件主要起草人徐嵬陳慶梅田禾箐趙文暉霍宏艷丁少華邢琳張曉剛付兆豐

:、、、、、、、、。

本文件于年首次發(fā)布年第一次修訂本次為第二次修訂

1998,2013,。

Ⅳ

GB/T1762612—2023/IEC61000-4-122017

.:

引言

電磁兼容性是電氣和電子設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中能正常工作且不對(duì)該環(huán)境中任何事物構(gòu)成不

能承受的電磁騷擾的能力電磁兼容問(wèn)題是影響環(huán)境及產(chǎn)品質(zhì)量的重要因素之一其標(biāo)準(zhǔn)化工作已引

。,

起國(guó)內(nèi)外的普遍關(guān)注在這方面國(guó)際電工委員會(huì)制定的系列出版物是制造業(yè)信息

。,(IEC)IEC61000、

產(chǎn)業(yè)電工電氣工程及能源交通運(yùn)輸業(yè)社會(huì)事業(yè)及健康消費(fèi)品質(zhì)量安全等領(lǐng)域中的通用標(biāo)準(zhǔn)分為

、、、、,

綜述環(huán)境限值試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)安裝和減緩導(dǎo)則通用標(biāo)準(zhǔn)大類(lèi)我國(guó)已經(jīng)針對(duì)該系列出版物開(kāi)

、、、、、6。

展了國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)化工作并建立了相應(yīng)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)體系

,。

在該標(biāo)準(zhǔn)體系中電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)是關(guān)于電磁兼容領(lǐng)域試驗(yàn)和測(cè)量

,GB/T(Z)17626《》

技術(shù)方面的基礎(chǔ)性標(biāo)準(zhǔn)旨在描述傳導(dǎo)騷擾輻射騷擾等電磁兼容現(xiàn)象的抗擾度試驗(yàn)等內(nèi)容擬由個(gè)

,、,39

部分構(gòu)成

。

抗擾度試驗(yàn)總論目的在于提供電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)中有關(guān)試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)的使用性指導(dǎo)并對(duì)選

———。,

擇相關(guān)的試驗(yàn)提供通用的建議

。(GB/T17626.1)

靜電放電抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮⑼ㄓ玫暮涂芍噩F(xiàn)的基準(zhǔn)以評(píng)估電氣和電子設(shè)備遭受靜

———。,

電放電時(shí)的性能

。(GB/T17626.2)

射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮㈦姎怆娮釉O(shè)備受到射頻電磁場(chǎng)輻射時(shí)的抗擾度

———。、

評(píng)定依據(jù)

。(GB/T17626.3)

電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮⑼ㄓ玫暮涂芍噩F(xiàn)的基準(zhǔn)以評(píng)估電氣和電子設(shè)

———。,

備的供電電源端口信號(hào)控制和接地端口在受到電快速瞬變脈沖群干擾時(shí)的抗擾度性能

、、。

(GB/T17626.4)

浪涌沖擊抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮⑼ㄓ玫暮涂芍噩F(xiàn)的基準(zhǔn)以評(píng)估電氣和電子設(shè)備在受

———()。,

到浪涌沖擊時(shí)的抗擾度性能

()。(GB/T17626.5)

射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度目的在于建立通用的和可重現(xiàn)的基準(zhǔn)以評(píng)估電氣和電子設(shè)

———。,

備在收到由射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾時(shí)的抗擾度性能

。(GB/T17626.6)

供電系統(tǒng)及所連設(shè)備諧波間諧波的測(cè)量和測(cè)量?jī)x器導(dǎo)則目的在于規(guī)定可用于根據(jù)某些標(biāo)

———、。

準(zhǔn)給出的發(fā)射限值對(duì)設(shè)備逐項(xiàng)進(jìn)行試驗(yàn)對(duì)實(shí)際供電系統(tǒng)中諧波電流和電壓的測(cè)量的儀器

,。

(GB/T17626.7)

工頻磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮⑼ㄓ玫暮涂芍噩F(xiàn)的基準(zhǔn)以評(píng)估家用商業(yè)和工業(yè)用電氣

———。,、

和電子設(shè)備處于工頻連續(xù)和短時(shí)磁場(chǎng)中的抗擾度性能

()。(GB/T17626.8)

脈沖磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮⑼ㄓ玫暮涂芍噩F(xiàn)的基準(zhǔn)以評(píng)估居住商業(yè)和工業(yè)用電氣

———。,、

和電子設(shè)備處于脈沖磁場(chǎng)中的抗擾度性能

。(GB/T17626.9)

阻尼振蕩磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮⑼ㄓ玫暮涂芍噩F(xiàn)的基準(zhǔn)以評(píng)估中高壓變電站中電

———。,、

氣和電子設(shè)備處于阻尼振蕩磁場(chǎng)中的抗擾度性能

。(GB/T17626.10)

第部分對(duì)每相輸入電流小于或等于設(shè)備的電壓暫降短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度

———11:16A、

試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮⑼ㄓ玫暮涂芍噩F(xiàn)的基準(zhǔn)以評(píng)估電氣和電子設(shè)備在經(jīng)受電壓暫降短時(shí)中

。,、

斷和電壓變化的抗擾度性能

。(GB/T17626.11)

第部分振鈴波抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮⑼ㄓ玫暮涂芍噩F(xiàn)的基準(zhǔn)以評(píng)估在實(shí)驗(yàn)室中居

———12:。,

住商業(yè)和工業(yè)用電氣和電子設(shè)備的抗擾度性能同樣也適用于發(fā)電站和變電站的設(shè)備

、,。

(GB/T17626.12)

交流電端口諧波諧間波及電網(wǎng)信號(hào)低頻抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮⑼ㄓ玫暮涂芍噩F(xiàn)的基準(zhǔn)以

———、。,

Ⅴ

GB/T1762612—2023/IEC61000-4-122017

.:

評(píng)估電氣和電子設(shè)備對(duì)諧波間諧波和電網(wǎng)信號(hào)頻率的低頻抗擾度性能

、。(GB/T17626.13)

電壓波動(dòng)抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮⑼ㄓ玫暮涂芍噩F(xiàn)的基準(zhǔn)以評(píng)估電氣和電子設(shè)備在受到

———。,

正和負(fù)的低幅值電壓波動(dòng)時(shí)的抗擾度性能

。(GB/T17626.14)

閃爍儀功能和設(shè)計(jì)規(guī)范目的在于為所有實(shí)際的電壓波動(dòng)波形顯示正確的閃爍感知電平

———。。

(GB/T17626.15)

共模傳導(dǎo)騷擾抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮㈦姎夂碗娮釉O(shè)備經(jīng)受共模傳導(dǎo)騷擾

———0Hz~150kHz。

測(cè)試的通用和可重復(fù)性準(zhǔn)則

。(GB/T17626.16)

直流電源輸入端口紋波抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮⑼ㄓ玫暮涂芍噩F(xiàn)的基準(zhǔn)用以在實(shí)驗(yàn)室條

———。,

件下對(duì)電氣和電子設(shè)備進(jìn)行來(lái)自于如整流系統(tǒng)和或蓄電池充電時(shí)疊加在直流電源上的紋波

/

電壓的抗擾度試驗(yàn)

。(GB/T17626.17)

阻尼振蕩波抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮⑼ㄓ玫暮涂芍噩F(xiàn)的基準(zhǔn)以評(píng)估電氣和電子設(shè)備在受

———。,

到阻尼振蕩波時(shí)的抗擾度性能

。(GB/T17626.18)

第部分交流電源端口差模傳導(dǎo)騷擾和通信信號(hào)抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟?/p>

———19:2kHz~150kHz。

確認(rèn)電氣和電子設(shè)備在公用電網(wǎng)下工作時(shí)能承受來(lái)自諸如電力電子和電力線通信系統(tǒng)

(PLC)

等的差模傳導(dǎo)騷擾

。(GB/T17626.19)

橫電磁波波導(dǎo)中的發(fā)射和抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮o出波導(dǎo)的性能用于電磁兼

———(TEM)。TEM、

容試驗(yàn)的波導(dǎo)的確認(rèn)方法在波導(dǎo)中進(jìn)行輻射發(fā)射和抗擾度試驗(yàn)的試驗(yàn)布置步

TEM、TEM、

驟和要求

。(GB/T17626.20)

混波室試驗(yàn)方法目的在于建立使用混波室評(píng)估電氣和電子設(shè)備在射頻電磁場(chǎng)中的性能和確

———。

定電氣電子設(shè)備的輻射發(fā)射等級(jí)的通用規(guī)范

。(GB/T17626.21)

全電波暗室中的輻射發(fā)射和抗擾度測(cè)量目的在于規(guī)定在同一個(gè)全電波暗室內(nèi)進(jìn)行輻射發(fā)射

———。

和輻射抗擾度的通用確認(rèn)程序受試設(shè)備的試驗(yàn)布置要求和全電波暗室測(cè)量方法

、。

(GB/T17626.22)

第部分和其他輻射騷擾防護(hù)裝置的試驗(yàn)方法目的在于通過(guò)描述試驗(yàn)的

———23:HEMP。HEMP

基本原理以及防護(hù)元件試驗(yàn)的理論基礎(chǔ)試驗(yàn)概念試驗(yàn)配置所需設(shè)備試驗(yàn)程序數(shù)據(jù)處

,()、、、、

理等重要概念預(yù)計(jì)為第部分

。(23)

傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法目的在于規(guī)定傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方

———HEMP。HEMP

法包括電壓擊穿和電壓限制特性的試驗(yàn)以及電壓和電流快速變化時(shí)的殘余電壓的測(cè)量方

,,

法

。(GB/T17626.24)

第部分設(shè)備和系統(tǒng)抗擾度試驗(yàn)方法目的在于建立通用的和可重現(xiàn)的基準(zhǔn)用于

———25:HEMP。,

評(píng)估遭受輻射環(huán)境及其在電源天線信號(hào)線和控制線上產(chǎn)生的傳導(dǎo)瞬態(tài)騷擾時(shí)

HEMP、、I/O

的電氣和電子設(shè)備性能預(yù)計(jì)為第部分

。(25)

三相電壓不平衡抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟跒殡姎夂碗娮釉O(shè)備在受到不平衡的供電電壓時(shí)的抗擾

———。

度評(píng)價(jià)建立參考

。(GB/T17626.27)

工頻頻率變化抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟跒殡姎夂碗娮釉O(shè)備在受到工頻頻率變化時(shí)的抗擾度評(píng)價(jià)

———。

提供依據(jù)

。(GB/T17626.28)

直流電源輸入端口電壓暫降短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮⒃u(píng)價(jià)直流電氣

———、。、

電子設(shè)備在經(jīng)受電壓暫降短時(shí)中斷和電壓變化時(shí)的抗擾度的通用準(zhǔn)則

、。(GB/T17626.29)

電能質(zhì)量測(cè)量方法目的在于規(guī)定交流供電系統(tǒng)中電能質(zhì)量參數(shù)測(cè)量方法及測(cè)量結(jié)果

———。50Hz

的解釋

。(GB/T17626.30)

第部分交流電源端口寬帶傳導(dǎo)騷擾抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮⑼ㄓ玫幕鶞?zhǔn)以評(píng)估電氣

———31:。,

和電子設(shè)備交流電源端口在遭受有意和或無(wú)意寬帶信號(hào)源產(chǎn)生的傳導(dǎo)騷擾時(shí)的抗擾度

/。

(GB/T17626.31)

Ⅵ

GB/T1762612—2023/IEC61000-4-122017

.:

第部分高空核電磁脈沖模擬器概述目的在于提供國(guó)際上現(xiàn)有的系統(tǒng)級(jí)

———32:(HEMP)。HEMP

模擬器以及它們作為抗擾度試驗(yàn)與驗(yàn)證設(shè)備時(shí)所需要的相關(guān)信息預(yù)計(jì)為第部分

。(32)

第部分高功率瞬態(tài)參數(shù)測(cè)量方法目的在于給出高功率電磁瞬態(tài)響應(yīng)波形的測(cè)量方法和

———33:。

特征參數(shù)的信息

。(GB/Z17626.33)

主電源每相電流大于的設(shè)備的電壓暫降短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟诮?/p>

———16A、。

立評(píng)價(jià)電氣和電子設(shè)備在經(jīng)受電壓暫降短時(shí)中斷和電壓變化時(shí)的抗擾度的通用準(zhǔn)則

、。

(GB/T17626.34)

第部分高功率電磁模擬器概述目的在于提供國(guó)際上現(xiàn)有的系統(tǒng)級(jí)窄

———35:(HPEM)。HPEM

帶窄譜和寬帶寬譜亞超寬譜和超寬譜模擬器以及它們作為抗擾度試驗(yàn)與驗(yàn)證設(shè)備時(shí)所

()(、)

需要的相關(guān)信息預(yù)計(jì)為第部分

。(35)

第部分設(shè)備和系統(tǒng)的有意電磁干擾抗擾度試驗(yàn)?zāi)康脑谟跒樵u(píng)估設(shè)備和系統(tǒng)對(duì)有意電磁

———36:。

干擾源的抗擾度提供了確定試驗(yàn)水平的方法預(yù)計(jì)為第部分

。(36