半導(dǎo)體物理第四章載流子的輸運(yùn)現(xiàn)象第1頁，共24頁，2023年，2月20日，星期一在半導(dǎo)體中電子和空穴的凈流動(dòng)產(chǎn)生電流，把載流子的這種運(yùn)動(dòng)稱為輸運(yùn)。本章介紹半導(dǎo)體晶體中兩種基本輸運(yùn)機(jī)制：

1、漂移運(yùn)動(dòng)：由電場引起的載流子運(yùn)動(dòng)。

2、擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)：由濃度梯度引起的載流子運(yùn)動(dòng)。

此外半導(dǎo)體的溫度梯度也引起載流子的運(yùn)動(dòng)，但是由于半導(dǎo)體器件尺寸越來越小，這一效應(yīng)可以忽略。學(xué)習(xí)的目的：最終確定半導(dǎo)體器件I-V特性的基礎(chǔ)。本章所作的假設(shè)：雖然輸運(yùn)過程中電子和空穴凈流動(dòng)，但是熱平衡狀態(tài)不受到干擾。第2頁，共24頁，2023年，2月20日，星期一4.1載流子的漂移運(yùn)動(dòng)一、電導(dǎo)微觀理論（劉恩科書p106）單位:西門子/米1S=1A/V=1/Ω第3頁，共24頁，2023年，2月20日，星期一第4頁，共24頁，2023年，2月20日，星期一二、半導(dǎo)體的電導(dǎo)率和遷移率第5頁，共24頁，2023年，2月20日，星期一一、4.2載流子的散射第6頁，共24頁，2023年，2月20日，星期一1、第7頁，共24頁，2023年，2月20日，星期一第8頁，共24頁，2023年，2月20日，星期一第9頁，共24頁，2023年，2月20日，星期一二、第10頁，共24頁，2023年，2月20日，星期一第11頁，共24頁，2023年，2月20日，星期一第12頁，共24頁，2023年，2月20日，星期一第13頁，共24頁，2023年，2月20日，星期一小結(jié)：第14頁，共24頁，2023年，2月20日，星期一4.3遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系一、第15頁，共24頁，2023年，2月20日，星期一第16頁，共24頁，2023年，2月20日，星期一第17頁，共24頁，2023年，2月20日，星期一二、第18頁，共24頁，2023年，2月20日，星期一第19頁，共24頁，2023年，2月20日，星期一4.4強(qiáng)電場下的輸運(yùn)一、歐姆定律的偏離和熱載流子第20頁，共24頁，2023年，2月20日，星期一第21頁，共24頁，2023年，2月20日，星期一第22頁，共24頁，2023年，2月20日，星期一第