Page1首頁學習成長來到T學堂歡迎大家收看全民學技術系列課程。我是來自華光星點陣列技術開發(fā)部的，負責背板新技術開發(fā)和導入。先簡 ，2018年博士畢業(yè)于華技大學光電國家，畢業(yè)后在華星光電半導體從事新技術開發(fā)工作今天我和大家的 Array新技術介紹。Page課程內容主要包含LTPO技術和POL-LessPageLTPO技術課程內容主要包含LTPOPage首先來看下LTPOPage從技術開發(fā)及產品兩個方面來看。首先是技術開發(fā)，三星和LG的LTPO技術開發(fā)布局比較早，都已超過10年，國內面板廠于2018年開始追趕。國內面板廠BOE最早2018年涉獵LTPO技術，其次是天馬、維信諾，華星光電相對較晚，2020LG和三星供應LTPO背板的Watch產品面世然后是三星LTPO我們推測國產品牌如小米OPPO，VIVO等在會有LTPO面世，LTPO市占率將會不斷提升Page我們來看下目前市面上在售的LTPO，主要是10-120Hz20213月OPPOFindX3發(fā)布會提到其將支持5-120Hz驅動，系統(tǒng)升級后將支持1Hz驅動。未來我們的開發(fā)方向將是LTPO1-120Hz寬頻驅動技術。PageLTPS、IGZOLTPO。LTPS好，可以做到QHD，但是LTPS的漏電比較高，伴隨著產生的問題就是低頻驅PageLTPOLTPSLTPSLTPS和Oxide兩種TFT器件，這樣像素就具備了LTPSIGZOPage我們就來看下LTPS是如何與IGZOLTPOLTPS器件截面圖，其次是IGZO器件截面圖，分為Topgate（頂柵結構）、（蝕刻阻擋層結構）、BCE（背溝道蝕刻結構）。將LTPS和IGZO上進行器件疊加就構成了LTPO器件。目前使用較多是具有Top/Bottom構的IGZO與LTPS結合形成的LTPO器件。Page前面是LTPOLTPO技術介紹。LTPO技術主要分為4個方面：工藝器件、電路設計、驅動確保、配套資源。第一個是LTPO的工藝器件調試與LTPS差異還是比較大的；第二個是電路設計；第三個是LTPO技術的重中之重即驅動技術，包括DIC資源問題、10Hz閃屏的驅動對策、多組g DIC支援度&TT、頻率切換的閃屏問題、高低頻多組頻率下Demura問題不同頻率下整機的搭配性問題最后就是一些配套資源如WQHD混色、20umFMM供應問題、LTPOT&LAging條件對IGZO影響、量產良率問題、DF產品彎折對LTPO影響（中性面）。這里主要針對前三項做一些介紹PagePageLTPOLTPSIGZOIS的SLIGZOTFT器SS靠性等。還有一些就就是因為IGZO器件導入帶來的一些工藝問題，如GE3/Mo工藝&SL(層)/BSM（底部金屬層）工藝&CNT1深孔工藝等Page從Flow上來看的話，LTPO與LTPS主要相差 4Page既然LTPOIGZOIGZOIGZOIndium-Gallium-ZincOxide（銦鎵鋅氧In：IGZO材料導帶與In-5s軌道密切相關，5S軌道形成電子傳輸路徑；Ga：抑制載流子(氧空位),穩(wěn)定網狀結構，Zn：穩(wěn)定晶體結構。增加In的含量，電子遷移率提高；In含量增加導致體系其它元素減少，若Zn減少，會破壞晶體結構；若Ga減少，則增加氧空位，TFT特性趨向導體化，其穩(wěn)定性降低。PageIGZO因不耐水氧，在IGZOTFT器件 過程中需對制程中含H、O的制程特別關注，避免器件導體化或者Vth正偏。H/O對IGZO器件特性機理分析：器件結構中H多，導致IGZO氧空位增多，e-增多，Vth負偏；器件結構中O多，捕獲IGZO中e-，并會填補I氧空位，Vth正偏。影響IGZO特性主要工藝：IGZOdepo、GI3、 TAnn.Page之前有提到，LTPOIGZOTiMo工藝&SL/BSM工藝&CNT1深孔工藝等，接下來我們來看下CNTIGZO器件的加入使得LTPO中CNTonPoly的由LTPS的0.76μm增加到1.34μm，CNTDRY難度增加，需要控制Taper角~85°，孔內刺，GE1/GE2 Page3部分LTPOPageLTPO是在LTPS基礎上精進的設計，所以這里對比了LTPO與LTPS各電路設計差異。首先是像素電路，LTPS多使用7T1C設計，而LTPO在此基礎上增加了一個電容設計即采用了7T2C的設計。在GOA電路設計方面，最主要的差異LTPONSCAN驅動。EMLTPS中也有使用13T3C的。在檢測AT/CTLTPS30Hz就會出現閃頻，而LTPO可以支持1Hz低頻驅動。Page7T1C電路發(fā)展到應用到上的7T2C并且將T4/T7復位線獨立。針對像素電路方面我們華星也開發(fā)了一些自主設計并且進行專利布局我們也會對這些Page在LTPS中T3/T4使用dualTFT設計來降低Q點漏電，LTPO直接使用漏電低IGZOTFT，這樣單顆IGZOTFT2LTPSTFT的防漏電作用。在LTPS像素電路中在如同A點有增加一個小鐮刀設計，連接VDD訊號，用來消弱T3開關對Q點位的影響。LTPO使用7T2C，用增加的Cboost電容來穩(wěn)定Q點電位，電容的下極板接PSCAN訊號，上極板接Q點。當IGZOT3從開到NSCAN從高到低切換，QNSCANCouple作用拉低點位，導致發(fā)光電流變化。此時Cboost電容就開始起作用，T3關閉時T2也關閉，T2是PMOS，所以其關態(tài)勢PSCAN是高電位，這樣Cboost電容就會感應一個高電位用來中和T3IGZO關態(tài)點位對Q點的影響。還要提到的一點是，因為IGZO的Mob低，所以Q點采用了（n-7）級的復位方式，用以降低IGZO-T4Mob降PageLTPOPage首先是DIC規(guī)格選型、驅動電路設計，包括WOA設計、NSCANGOAOutputCH的確定、VI_Gate選擇ICOutputpad，FPC電路設計：2VGH/VGLVREF2/VREF4預留電路設計，然后是EE調試等。Page接下來我們就來介紹下LTPOPageLTPO最主要的技術優(yōu)勢就是省功耗。panel功耗又分為EL功耗和IC功耗與panelLTPS還是LTPO關系不EL功耗與panelEL與IC功耗占比水果圖因為是彩色的而網頁圖相對所以網頁圖是EL功耗高。所以評價IC功耗時需要固定EL功耗，即在同樣亮度畫面下通過頻率差異來區(qū)分IC功耗。LTPO的技術優(yōu)勢主要在于panel可以工作在更低的頻率，Page結合客戶的一些數據我們對比了LTPO與LTPS通過計算，預計LTPO整機功耗節(jié)省約5%~7%。PageLTPOPage6Page首先就是IGZOIGZO特性和LTPS特性平衡和制程。之前提到過LTPO背板是將T3/T4換成IGZO器件，其他是維持LTPS器件，而OLED又是電流控制亮度的顯示技術所以Q點電位就尤為重要T3/T4TFT的信賴性就顯得更為重要。在RA過程中IGZO特性漂移易造成panel失效。如果IGZOVth正偏就容易造成data寫入不足黑畫面漏光問題如果水汽 IGZO溝道生成氧空位，載流子增多，造成IGZOTFTVth負偏，T4關不住，VI漏電，拉低Q點電位，造成亮點。IGZO對水氧的敏感性也是確保其電性穩(wěn)PageLTPOICIC合作開Page10HzLTPO低頻顯示及幀頻issueQTiming優(yōu)10Hz120Hz復位Page第五個是G 調試，LTPO支持多組頻點需分別匹配g 大，這就需要綜合顯示效果與TT平衡優(yōu)化。詳細內容將在別的課程中介紹。Page32第六個就是Demura。不同頻率下Mura形態(tài)及嚴重程度不一樣，而部分MuraDemura造成困擾，到底先針對哪個頻率優(yōu)先調試？這也是個點。5IGZOLTPOT3/T4換成點電位就尤為重要。T3/T4TFTRA過程中IGZOpanelIGZOVthdataIGZOIGZOTFTVth負偏，T4VIQ點電位，造成亮點。IGZO對Page最后我們來看LTPOPage不久的將來，我們會將屏下頭技術和LTPO結合，既然結合了屏下頭那就必然要疊加可以增加透過率的CPI技術。我們還會開發(fā)靶材，LTPOWQHD產品及中尺寸產品，折疊技術等、極致低功耗產品。Page下面介紹Plo-Less8PageAMOLED顯示器的截面示意圖與3D示意圖分別如圖所示；膜材結構從上之下依次是：蓋板（CoverLens,柔性蓋板，或者是剛性玻璃蓋管陣列（ThinFilmTransistorArray）、柔性基底（PI）、膠材（OCA）、以及背在AMOLED顯示器中，存在大量的金屬電極（如(Ag)/Cathode(Mg/Ag)）、金屬走線（如觸控金屬線、SDTi/Al/Ti）等，因提高顯示器的對比度，因此AMOLED顯示器需要使用圓偏光片（POL）。Page經過1/4Page38膜在使用的過程中被撕掉，然后粘著于OLED顯示器（Cell）上。（THK＞50μm），通過降低圓偏光片中保護膜、膠材等厚度，可AMOLED③PVA本身質地比較脆，使得圓偏光片不耐彎折，對于剛性OLED屏幕，（TPOL≈43%OLEDPageAMOLED稱統(tǒng)稱為“POL-less”，“去偏光片技術”。主要有兩大方向：一、開發(fā)低反射率、高對比度OLEDOLED中，AR因此存在著鍍膜材料的耐刮擦問題；而黑色電極往往以犧牲OLED的發(fā)光器件與CF透過光譜進行匹配，實現發(fā)光像素的高透過率，黑色矩陣（BlackMatrix）遮擋非像素區(qū)域降低反射率，這種技術也被稱為COE技術（ColorFilteronEncapsulation）。COE技術中使用BM/CF材料有如下特點：①其構造比較簡單，②BM/CF（一般總厚度＜5μm）、③CF與ELEL的透過率高，④黃光工藝技術相對成熟，適用于大面積生產制造，成熟后可大幅降低柔性顯示器的生產成本。因此，本課程提到的POL-less技術指代的是COE技術。PageAMOLED面板生產至薄膜封裝（包含柔性觸控基板經過CLN）涂布BM漿料（Coating），經過真空除溶劑（VCD）、預烘烤（Prebake）、（Exposure）、顯影（Develop）、后烘烤（Postbake）成膜，完成BM制程。同于AMOLED相對的紅、綠、藍子像素上，然后涂布平坦層（Overcoat）。由于OLED發(fā)光器件 受高溫的烘烤，要求上述工藝的烘烤溫度T≤90℃；Page41本頁，我們簡要地說明COE如左圖所示，實線圖案是紅、綠、藍-OLED電流密度下）?？梢钥吹礁采wCF則損失超過50%發(fā)光亮度。Page無論是圓偏光片技術還是COE技術，其目的是降低環(huán)境光的反射率，提高對比度。本頁我們簡要的分析一下，COE技術抗反射技術的原理；在COE①蓋板外表面反射光②BM③