復(fù)習(xí)第一章晶體化學(xué)基礎(chǔ)一、 緊密堆積原理晶體中各離子間的相互結(jié)合，可以看作是球體的堆積。按照晶體中質(zhì)點(diǎn)的結(jié)合應(yīng)遵循勢(shì)能最低的原則，從球體堆積的幾何角度來看，球體堆積的密度越大，系統(tǒng)的勢(shì)能越低，晶體越穩(wěn)定。此即球體最緊密堆積原理。1、 等徑球體緊密堆積：晶體由一種元素構(gòu)成，如Cu、Ag、Au等單質(zhì)。2、 不等徑球體緊密堆積：晶體由兩種以上的元素構(gòu)成，如NaCl、MgO等化合物?？障缎问揭皇怯伤膫€(gè)球圍成的空隙，稱為四面體空隙。一是由六個(gè)球圍成的空隙，稱為八面體空隙?？障稊?shù)量如果晶胞為n個(gè)球組成，則四面體空隙的總數(shù)應(yīng)為8Xn/4=2n個(gè)；而八面體空隙的總數(shù)為6Xn/6=n6。所以，當(dāng)有n個(gè)等大的球體作最緊密堆積時(shí)，就會(huì)有2n個(gè)四面體空隙和n個(gè)八面體空隙球的數(shù)目：八面體數(shù)目：四面體數(shù)目=1：1：21、 等徑球體緊密堆積方式六方緊密堆積HexagonalClose-packedStructure(HCP)按ABABAB……的順序堆積，球體在空間的分布與空間格子中的六方格子相對(duì)應(yīng)。面心立方緊密堆積FaceCenteredCubicStructure(FCC)按ABCABC……的順序堆積，球體在空間的分布與空間格子中的立方格子相對(duì)應(yīng)。2、 不等徑球體緊密堆積不等徑球進(jìn)行堆積時(shí)，較大球體按等徑球體作緊密堆積，較小的球填充在大球緊密堆積形成的四面體空隙或八面體空隙中。離子晶體中：半徑較大的陰離子作緊密堆積，半徑小的陽離子則填充在四面體空隙或八面體空隙中。二、 鮑林規(guī)則鮑林第一規(guī)則一一配位體規(guī)則圍繞每個(gè)陽離子，形成一個(gè)陰離子配位多面體，陰、陽離子的距

離決定于它們的半徑之和，陽離子的配位數(shù)取決于它們的半徑比值，與電價(jià)無關(guān)。表明，陽離子的配位數(shù)并非決定于它本身或陰離子半徑，而是決定于它們的比值。鮑林第二規(guī)則——靜電價(jià)規(guī)則在一個(gè)穩(wěn)定的離子化合物結(jié)構(gòu)中，每一個(gè)陰離子的電價(jià)等于相鄰陽離子分配給這個(gè)陰離子的靜電鍵強(qiáng)度總和。靜電鍵強(qiáng)度S=陽離子電荷數(shù)靜電鍵強(qiáng)度S=陽離子電荷數(shù)陽離子配位數(shù)應(yīng)用一：判斷晶體結(jié)構(gòu)是否穩(wěn)定陰離子電荷數(shù)Z-=zSii如：NaCl晶體應(yīng)用二：確定共用一個(gè)頂點(diǎn)（即同一個(gè)陰離子）的配位多面體的數(shù)目如:0呻血0；|、岫］鮑林第三規(guī)則 一一多面體共頂、共棱和共面規(guī)則在一個(gè)配位結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)陰離子配位多面體共棱，特別是共面時(shí)，結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性便會(huì)降低。對(duì)于電價(jià)高、配位數(shù)小的陽離子，這個(gè)效應(yīng)特別顯著。鮑林第四規(guī)則不同配位多面體連接規(guī)則鮑林第四規(guī)則不同配位多面體連接規(guī)則在同一個(gè)晶體結(jié)構(gòu)中本質(zhì)上不同的結(jié)構(gòu)單元的數(shù)目趨向于最少數(shù)目。例：（1）在同一個(gè)晶體結(jié)構(gòu)中本質(zhì)上不同的結(jié)構(gòu)單元的數(shù)目趨向于最少數(shù)目。例：（1）SiO2（2）柘榴石（Ca3Al2Si30i2）在一個(gè)含有不同陽離子的晶體結(jié)構(gòu)中，電價(jià)高、配位數(shù)小的陽離子，趨向于不相互共享配位多面體要素。例島狀鎂橄欖石（Mg'SiOp節(jié)約規(guī)則鮑林第五規(guī)則節(jié)約規(guī)則其中：CN*=8,C、=6,C、=4第二章晶體結(jié)構(gòu)一、具有緊密堆積形式的晶體結(jié)構(gòu)分析步驟：1、 陰離子堆積方式一一陰離子以面心立方形式堆積，則構(gòu)成晶胞的陰離子占據(jù)立方體的八個(gè)角頂和六個(gè)面心的位置。2、 根據(jù)r+/r值，確定陽離子的配位數(shù)。r+/r=0.225~0.414之間，n=4r+/r=0.414~0.732之間，n=63、 陽離子在四面體或八面體空隙中的填充率（P）陽離子填充于全部八面體空隙，填充率P=1,即陽離子分布于晶胞的體心與12條棱的中心；陽離子填充于全部四面體空隙，填充率P=1/2，即陽離子分布于晶胞八個(gè)頂角的四面體空隙的四個(gè)位置。一、面心立方緊密堆積1、陰離子堆積方式一一陰離子以面心立方 形式堆積，則構(gòu)成晶胞的陰離子占據(jù)立方體的八個(gè)角頂和六個(gè)面心的位置。2、根據(jù)r+/r-值，確定陽離子的配位數(shù)。r+/r=0.225~0.414之間，n=r+/r=0.414~0.732之間，n=6第二節(jié)硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)一、島狀結(jié)構(gòu)在硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)中，［SiO4］以孤立狀態(tài)存在，［SiO4］之間通過

其他陽離子連接起來，這種結(jié)構(gòu)稱為島狀結(jié)構(gòu)。Si:O=1:4其他陽離子連接起來，這種結(jié)構(gòu)稱為島狀結(jié)構(gòu)。Si:O=1:4鎂橄欖石Mg2［SiO4］氧離子近似六方緊密堆積排列，硅離子填充于四面體空隙之中，填充率為1/8；鎂離子填充于八面體空隙之中，填充率為1/2。［SiO］是以孤立狀態(tài)存在，它們之間通過Mg2+連接起來。4二、 組群狀結(jié)構(gòu)由兩個(gè)、三個(gè)、四個(gè)或六個(gè)［SiO4］通過共用氧相連的硅氧四面體群體，分別稱為雙四面體、三節(jié)環(huán)、四節(jié)環(huán)、六節(jié)環(huán)，這些群體在結(jié)構(gòu)中單獨(dú)存在，由其他陽離子連接起來。雙四面體 Si:O=2:7三、四、六節(jié)環(huán)Si:O=1:3綠寶石Be3Al2［SiQj六個(gè)［SiO］通過共用氧相連形成的六節(jié)環(huán)，六節(jié)環(huán)之間是靠4A13+和Be2+相連。A13+的配位數(shù)為6,構(gòu)成Al-O八面體，Be2+的配位數(shù)為4,構(gòu)成Be-O四面體。三、 鏈狀結(jié)構(gòu)［SiO］之間通過橋氧相連，在一維方向無限延伸的鏈狀結(jié)構(gòu)，4稱為單鏈。 在單鏈中，每個(gè)［SiO］中有兩個(gè)為橋氧，化學(xué)式4［Si2O6］n4n-，Si:O=1:3。 兩條相同的單鏈通過尚未公用的氧連起來向一維方向延伸的帶狀結(jié)構(gòu)稱為雙鏈。 雙鏈結(jié)構(gòu)中，一半［SiO4］有兩個(gè)橋氧，一半［SiO4］有三個(gè)橋氧，化學(xué)式［Si4O11］n6n-，Si:O=4:11四、 層狀結(jié)構(gòu)

［SiO］之間通過三個(gè)橋氧相連，在二維平面無限延伸構(gòu)成的4硅氧四面體層。在硅氧層中，通過三個(gè)橋氧相互連接，形成向二維方向無限發(fā)展的六邊形網(wǎng)絡(luò)，稱硅氧四面體層，其結(jié)構(gòu)基元為［Si4O10］。化學(xué)式［Si4O10］n4n-，Si:O=4:10。非橋氧一般由Al%、Mg3+、Fe3+等陽離子相連，它們的配位數(shù)為6,構(gòu)成［AlO］、［MgO］等，形成鋁氧八面體層或鎂氧八面體層。4 6五、架狀結(jié)構(gòu)硅氧四面體之間通過四個(gè)頂角的橋氧連起來，向三維空間無限發(fā)展的骨架狀結(jié)構(gòu)稱為架狀結(jié)構(gòu)。Si：O=1：2 石英晶體結(jié)構(gòu)第三章晶體結(jié)構(gòu)缺陷一、 熱缺陷的類型弗倫克爾缺陷在晶格內(nèi)原子熱振動(dòng)時(shí)，一些能量足夠大的原子離開平衡位置后，進(jìn)入晶格點(diǎn)的間隙位置，變成間隙原子，而在原來的位置上形成一個(gè)空位，這種缺陷稱為弗倫克爾缺陷。弗倫克爾缺陷特點(diǎn)： 1、間隙質(zhì)點(diǎn)與空位總是成對(duì)出現(xiàn)。2、晶體體積不變。NaCl型晶體中間隙較小，不易產(chǎn)生弗倫克爾缺陷；螢石型結(jié)構(gòu)中存在很大間隙位置，相對(duì)而言比較容易生成間隙離子。肖特基缺陷如果正常格點(diǎn)上的原子，熱起伏過程中獲得能量離開平衡位置，跳躍到晶體的表面，在原正常格點(diǎn)上留下空位，這種缺陷稱為肖特基缺陷。肖特基缺陷特點(diǎn)：肖特基缺陷的生成需要一個(gè)像晶界、位錯(cuò)或者表面之類的晶格排列混亂的區(qū)域；陽離子空位和陰離于空位按照分子式同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生，伴隨晶體體積增加。二、 熱缺陷濃度的計(jì)算若是單質(zhì)晶體形成熱缺陷濃度計(jì)算為:exp(若是單質(zhì)晶體形成熱缺陷濃度計(jì)算為:exp( )KT若是MX若是MX二元離子晶體的Schttky缺陷，因?yàn)橥瑫r(shí)出現(xiàn)正離子空位和負(fù)離子空位，熱缺陷濃度計(jì)算為:n/—E

子空位，熱缺陷濃度計(jì)算為:n/—E

—=exp( N 2KT濃度是溫度的函數(shù)隨著溫度升高，缺陷濃度呈指數(shù)上升，對(duì)于某一特定材料，在一定溫度下，熱缺陷濃度是恒定的。三非化學(xué)計(jì)量缺陷定義:指組成上偏離化學(xué)計(jì)量而產(chǎn)生的缺陷。它是由基質(zhì)晶體與介質(zhì)中的某些組分發(fā)生交換而產(chǎn)生。如Fe1O、Zn1+O等晶體中的缺陷。特點(diǎn):其化學(xué)組成隨周圍氣氛的性質(zhì)及其分壓大小而變化。是一種半導(dǎo)體材料。非化學(xué)計(jì)量化合物可分為四種類型：1、 陰離子缺位型 TiO2—xTiO2晶體在缺02條件下，在晶體中會(huì)出現(xiàn)氧空位。缺氧的TiO2可以看作Ti4+和Ti3+氧化物的ss,缺陷反應(yīng)為：2Ti+4。 >2Ti'+V??+30+—0fTi0 Ti0 0 2 2色心的形成：Ti4++etTi3+,電子e并不固定在一個(gè)特定的Ti4+上，可把e看作在負(fù)離子空位周圍。因?yàn)?是帶正電的，在電場作用下e可以遷移，形成電子導(dǎo)電，易形成色心。（NaCl在Na蒸汽下加熱呈黃色2、 陽離子填隙型Zn0在Zn蒸汽中加熱，顏色加深， 缺陷反應(yīng)為:Zn0oZn?+e'+^/0個(gè)（測定Zn1+*的電導(dǎo)率證明單電子Zn：處于間隙位）1TOC\o"1-5"\h\z[Zn?][e'][P]2 1K=—i °2—, [Zn?]注[e'],[Zn0]注1,K=[Zn?]2[P]2,[Zn0] i i02i故[Zn?]泛[P:-4i 023、陰離子間隙型只有U02+x可以看作U308（2U03.U02）在U02中的SS。由于結(jié)構(gòu)中有間隙陰離子，為保持電中性，結(jié)構(gòu)中出現(xiàn)電子空穴，反應(yīng)式為:U闿—U??+0’-F0U0Ui0?同樣，也不局限于特定的正離子，它在電場下運(yùn)動(dòng)，?所以是P型半導(dǎo)體。4、陽離子空位型如Fe1-x0

為了保持電中性在正離子空位周圍捕獲，是P型半導(dǎo)體。缺陷反應(yīng)為:2Fe +1O(g)02Fe?+V"+OFe2 2 FeFe O2Fe；e為Fe3+取代Fe2+可寫成2Fe￡=ZFe^+2h?即得2o2(g)02h?+V；+Oo形成一種 V一色心[h./w形成一種 V一色心[h./w電導(dǎo)率相應(yīng)增加 。Fe用質(zhì)量作用定律可得為保持電中性，兩個(gè)隨PO增大’偵增大，「■礦虱兩缺蓿冠式;I1(1)MgCl：固溶在功以晶體中(產(chǎn)生正離子空位.生成置換型SS)I(2)SrQ固溶在1^0晶體中(產(chǎn)生正高子空位，生成置換型SS)Ii(3)A12O3EI溶在MgQ晶體中(產(chǎn)生正離子空位.生成置換型SS)I*4)YF,固溶在CaF?晶體中(產(chǎn)生正離子空位，生成置換型SS)](5)0Q固溶在ZrQ晶體中(產(chǎn)生負(fù)離于空位，生成置換型SS)J Q 第四章固溶體一、固溶體：將外來組元引入晶體結(jié)構(gòu)，占據(jù)基質(zhì)晶體質(zhì)點(diǎn)位置或進(jìn)入間隙位置的一部分，仍保持一個(gè)晶相，這種晶體稱為固溶體。(二)置換型固溶體中的“組分缺陷”

組分缺陷一一即在原來的結(jié)點(diǎn)位置產(chǎn)生空位或者在間隙位置嵌入新的質(zhì)點(diǎn)。

發(fā)生在不等價(jià)置換的固溶體中，其濃度取決于摻雜量（溶質(zhì)數(shù)量）和固溶度。＞高價(jià)置換低價(jià)陽離子出現(xiàn)空位（空位型固溶體）陰離子進(jìn)入間隙（間隙型固溶體）＞低價(jià)置換高價(jià)陽離子進(jìn)入間隙（間隙型固溶體） 陰離子出現(xiàn)空位（空位型固溶體）間隙型固溶體：當(dāng)外來的雜質(zhì)質(zhì)點(diǎn)比較小而進(jìn)入晶格的間隙位置。（三）形成間隙型固溶體的條件1、雜質(zhì)質(zhì)點(diǎn)大小即添加的原子越小，易形成固溶體，反之亦然。2、基質(zhì)晶體結(jié)構(gòu) 基質(zhì)晶體中空隙越大，結(jié)構(gòu)越疏松，易形成固溶體。3、電價(jià)因素外來雜質(zhì)離子進(jìn)人間隙時(shí)，必然引起晶體結(jié)構(gòu)中電價(jià)的不平衡，這時(shí)可以通過形成空位，不等價(jià)離子置換來保持電價(jià)平衡。YF一——CaF2一Y?+2F+F'例如YF3加入到CaF2中：3 ——CaFi- 3+ 2+當(dāng)F進(jìn)入間隙時(shí)，產(chǎn)生負(fù)電荷，由Y進(jìn)入Ca位置來保持位置關(guān)系和電價(jià)的平衡。間隙式固溶體的生成，一般都使晶格常數(shù)增大，增加到一定的程度，使固溶體變成不穩(wěn)定而離解，所以間隙型固溶體不可能是連續(xù)的固溶體。晶體中間隙是有限的，容納雜質(zhì)質(zhì)點(diǎn)的能力W10%。四要會(huì)寫出相應(yīng)的缺陷反應(yīng)房程第五章熔體與玻璃體第一節(jié)熔體的結(jié)構(gòu)一一聚合物理論-61、硅酸鹽熔體中有多種負(fù)離子團(tuán)同時(shí)存在：如Na2O—SiO2熔體中有：［Si2O7］（單-8 -（2n+2）體）、［Si3O10］（二聚體） ［SinO3n+1］；2、此外還有“三維晶格碎片”［SiO2］n，其邊緣有斷鍵，內(nèi)部有缺陷。聚合體的種類、大小和數(shù)量隨熔體組成和溫度而變化。3、聚合物理論要點(diǎn)（1）硅酸鹽熔體是由不同級(jí)次、不同大小、不同數(shù)量的聚合物組成的混合物。所謂的聚合物是指由［SiO4］連接起來的硅酸鹽聚離子。（2）聚合物的種類、大小、分布決定熔體結(jié)構(gòu)，各種聚合物處于不斷的物理運(yùn)動(dòng)和化學(xué)運(yùn)動(dòng)中，并在一定條件下達(dá)到平衡。（3） 聚合物的分布決定熔體結(jié)構(gòu)，分布一定，結(jié)構(gòu)一定。（4） 熔體中聚合物被R*，；+結(jié)合起來，結(jié)合力決定熔體性質(zhì)。（5）聚合物的種類、大小、數(shù)量隨溫度和組成而發(fā)生變化。第三節(jié)玻璃的通性第三節(jié)玻璃的通性一、各向同性

二、介穩(wěn)性f 凝固的漸變性和可逆性四.由粉融態(tài)向玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化時(shí)，物理、化學(xué)姓質(zhì)隨溫度變化的連緩性四.TOC\o"1-5"\h\z\o"CurrentDocument"［一、各向同性 I! 均質(zhì)玻璃其各方向的性質(zhì)如折射率、硬度*彈；［性模量、熱膨脹系數(shù)、導(dǎo)熱系數(shù)等都相同（非均質(zhì);［玻璃中存在應(yīng)力除外）O I■ 玻璃的各向同性是其內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)無序排列而呈現(xiàn)!〔統(tǒng)計(jì)均質(zhì)結(jié)構(gòu)的外在表現(xiàn)。 ;:“j\o"CurrentDocument":二、介穩(wěn)性 Ii熱力學(xué)——高能狀態(tài)，有析晶的趨勢(shì) ：；動(dòng)力學(xué)——高粘度，析晶不可能，長期保持介穩(wěn)態(tài)」I H三、凝固的漸變性和可逆性由熔融態(tài)向玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變的過程是可逆的與漸變的，這與熔體的結(jié)晶過程有明顯區(qū)別。Tg：玻璃形成溫度（脆性溫度）TM：析晶溫度冷卻速率會(huì)影響Tg大小，快冷時(shí)Tg較慢冷時(shí)高，K點(diǎn)在F點(diǎn)前。當(dāng)組成一定時(shí)，其形成溫度是一個(gè)隨冷卻速度而變化的溫度范圍。由熔融態(tài)向玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化時(shí)，物理、化學(xué)性質(zhì)隨溫度變化的連續(xù)性件.虞件.虞TeT-瘋既第一類性質(zhì)；玻璃的電導(dǎo).比容.粘度等第二類性質(zhì)二玻璃的熱容、膨脹系數(shù),密度、折射率等、晶子學(xué)說玻璃由無數(shù)的〃晶子"組成。所謂“晶子”不同于一般微晶，而是帶有晶格變形的有序區(qū)域，它分散于無定形的介質(zhì)中，并且“晶子”到介質(zhì)的過渡是逐漸完成的，兩者之間無明顯界線。二、無規(guī)則網(wǎng)絡(luò)學(xué)說1、 形成玻璃的物質(zhì)與相應(yīng)的晶體類似，形成相似的三維空間網(wǎng)絡(luò)。2、 這種網(wǎng)絡(luò)是由離子多面體通過橋氧相連，向三維空間無規(guī)律的發(fā)展而構(gòu)筑起來的。3、 電荷高的網(wǎng)絡(luò)形成離子位于多面體中心，半徑大的變性離子，在網(wǎng)絡(luò)空隙中統(tǒng)計(jì)分布，對(duì)于每一個(gè)變價(jià)離子則有一定的配位數(shù)。4、 氧化物要形成玻璃必須具備四個(gè)條件：A、每個(gè)。最多與兩個(gè)網(wǎng)絡(luò)形成離子相連。B、多面體中陽離子的配位數(shù)W4。C、多面體共點(diǎn)而不共棱或共面。 D、多面體至少有3個(gè)角與其它相鄰多面體共用。三、晶子學(xué)說和網(wǎng)絡(luò)學(xué)說比較相同觀點(diǎn)：玻璃是具有近程有序、遠(yuǎn)程無序結(jié)構(gòu)特點(diǎn)的無定形物質(zhì)。不同點(diǎn)：晶子假說著重于玻璃結(jié)構(gòu)的微不均勻和有序性。無規(guī)則網(wǎng)絡(luò)學(xué)說著重于玻璃結(jié)構(gòu)的無序、連續(xù)、均勻和統(tǒng)計(jì)性。四粘度?第五章固體表面與界面一、潤濕 按潤濕程度 附著潤濕 鋪展?jié)櫇?浸漬潤濕潤濕與液滴的形狀潤濕，0<90&不潤濕，0>90°完全潤濕，0=0°一、潤濕 按潤濕程度 附著潤濕 鋪展?jié)櫇?浸漬潤濕潤濕與液滴的形狀潤濕，0<90&不潤濕，0>90°完全潤濕，0=0°t液體鋪開潤濕張力二COS0=F=cosflO =■ O丫?鋪展?jié)櫇? —— —-由此可看出，在潤濕系統(tǒng)中(Ysa^Ysl)?Yiv減小會(huì)使0縮小，而左不潤濕系統(tǒng)中五強(qiáng)減小會(huì)使。增IVV?浸漬潤濕[!|% 廿一浸澳潤*指固體浸入液體中的過程。例；生坯的浸釉口浸漬潤濕自由能的變化：—AG=yLVcose=7SV-ySL討論i若Tsv>Ysl測"90。，浸漬潤濕過程將自發(fā)進(jìn)行十此時(shí)AGV)若Tsvv腿，則。>9。*\要將固體浸入液體之中業(yè)須做功.此時(shí)AGaO,附著潤濕液_氣界面(L?固一氣界面(S—g)固體d滿侏 附著潤濕的吉布斯自由靖變化為:-zd我悴AG]=Ysl—C/lv+Ysv)附著功:W=yLV+Ysv—ySL日 W愈大表示固液界面結(jié)合愈牢，三 即附著潤濕愈強(qiáng)。第六章 相平衡與相圖第七章擴(kuò)散

二、擴(kuò)散推動(dòng)力?不存在外場時(shí)，晶體中粒子遷移由熱振動(dòng)引起；?有外場作用時(shí)，晶體中粒子遷移形成定向擴(kuò)散流濃度梯度為其擴(kuò)散推動(dòng)力，更普遍情況下，系統(tǒng)的化學(xué)位梯度是擴(kuò)散推動(dòng)力

本征擴(kuò)散系數(shù)溫度足夠高時(shí)，則擴(kuò)散受本征缺陷所控制，此時(shí)：Do本征擴(kuò)散系數(shù)溫度足夠高時(shí)，則擴(kuò)散受本征缺陷所控制，此時(shí)：Do=t^02v0exp其中上0=竺上+A/T2<AS,)RQ\D-Dqexp-—\RT)非本征擴(kuò)散系廠溫度足夠低時(shí)，因擴(kuò)散受雜質(zhì)擴(kuò)散非本征擴(kuò)散系廠溫度足夠低時(shí)，因擴(kuò)散受雜質(zhì)擴(kuò)散或非本征擴(kuò)散所控制，此時(shí)其中：Q=W2D&=a%WcxpQD=D.exp \RT)AS*、作InD?1/r圖得直線，有:截距』二In況兩邊取對(duì)數(shù)，W：lnD=lnJDRT根據(jù):D-exp|—斜率"%則：Q^-kRJx.出現(xiàn)轉(zhuǎn)折的原因：由于兩種擴(kuò)散的活化能差異所致，其轉(zhuǎn)折相當(dāng)于從受雜質(zhì)控制的非本征擴(kuò)散向本征擴(kuò)散的變化曰高溫區(qū)，活化能大——本征擴(kuò)散；低溫區(qū)，活化能小——非本征擴(kuò)散，1IItI.I,I用1.20L4<l槌。微量CdCH摻雜的Ml單晶中N/自擴(kuò)散系數(shù)與溫度的關(guān)系第八章固相反應(yīng)設(shè)反應(yīng)產(chǎn)物AB密度為設(shè)反應(yīng)產(chǎn)物AB密度為p,分子量為Qd且為穩(wěn)定擴(kuò)散而實(shí)際通常以粉狀物料為原料,因而又作下列假設(shè),5、由加夜惠的兮類純固相反應(yīng)1)按物質(zhì)狀態(tài)分有液相參加的反應(yīng)有氣體參加的反應(yīng) ‘氧化反應(yīng)(2)按反應(yīng)性質(zhì)分＜還原反應(yīng)分解反應(yīng)化學(xué)反應(yīng)速率控制過程 置換反應(yīng)(3)按反應(yīng)機(jī)理晶體長大控制過程擴(kuò)散控制過程設(shè)以平板模式接觸反應(yīng)和擴(kuò)散設(shè)經(jīng)巾通過AB層單位截面的A質(zhì)量為血i由反戒第一定律得dxD(dC⑴r—J?―jcdxD(dC⑴r—J?―jc=>——=一dt￡⑴FJ(G)?t呈直線關(guān)系，通過斜率可求KJ,又由I=Cexp(-魯)可求反應(yīng)活化能。JX1(2)略與。、％峭關(guān)…徽(3)楊德爾方程的局限性假定的擴(kuò)散截面不變很小，因而僅適用于反應(yīng)初期，如果繼續(xù)反應(yīng)會(huì)出現(xiàn)大偏差。G<0.