數(shù)電課件多諧振蕩器第一頁(yè)，共十一頁(yè)，編輯于2023年，星期三開(kāi)關(guān)電路

RC延時(shí)環(huán)節(jié)多諧振蕩器的基本組成：開(kāi)關(guān)器件：產(chǎn)生高、低電平反饋延遲環(huán)節(jié)（RC電路）：利用RC電路的充放電特性實(shí)現(xiàn)延時(shí)，輸出電壓經(jīng)延時(shí)后,反饋到開(kāi)關(guān)器件輸入端，改變電路的輸出狀態(tài),以獲得所脈沖波形輸出。概述8.3多諧振蕩器第二頁(yè)，共十一頁(yè)，編輯于2023年，星期三8.3.1由CMOS門(mén)電路組成的多諧振蕩器

1.電路組成

vID1

D2

TP

TN

vO1

R

C

D4

D3

TP

TN

vOG1

G2

+VDD

VC組成的多諧振蕩器.υo1=1,υo=0時(shí),電容充電,υI增加;υo1=0,υo=1時(shí),電容放電,υI下降;υo1與υo2反相,電容接在υo與υI之間:第三頁(yè)，共十一頁(yè)，編輯于2023年，星期三2.工作原理假定電路初態(tài)：=1vO1=0vOvC=0V電容充電vCvIvI當(dāng)=VTH時(shí)，迅速使G1導(dǎo)通、G2截止電路進(jìn)入第二暫態(tài)vO2=1vO1=0=0vO1=1vO（1）第一暫穩(wěn)態(tài)（初態(tài)）電容充電，電路自動(dòng)翻轉(zhuǎn)到第二暫穩(wěn)態(tài)vIvO1vOvIVDDVTH0ttvOVDD0第四頁(yè)，共十一頁(yè)，編輯于2023年，星期三（2）第二暫穩(wěn)態(tài)電容放電，電路自動(dòng)翻轉(zhuǎn)到第一暫穩(wěn)態(tài)電容放電vCvIvI當(dāng)=VTH時(shí)，迅速使得G1截止、G2導(dǎo)通電路返回第一暫穩(wěn)態(tài)υO(shè)2=0υO(shè)1=1

2.工作原理vIvO1vO第五頁(yè)，共十一頁(yè)，編輯于2023年，星期三

T＝RC1n4≈1.4RC

由門(mén)電路組成的多諧振蕩器的振蕩周期T取決于R、C電路和VTH，頻率穩(wěn)定性較差。3.振蕩周期的計(jì)算vI(0+)0；vC()

VDD=RC,t=t2-t1T1:vI(0+)

VDD；vC()0

=RC,t=t3-t2T2:第六頁(yè)，共十一頁(yè)，編輯于2023年，星期三復(fù)習(xí)1、施密特觸發(fā)器的工作特性？用途？典型芯片CC401062、多諧振器的工作特性？門(mén)電路構(gòu)成的多諧振蕩器的振蕩周期計(jì)算公式？此種振蕩器的缺點(diǎn)？第七頁(yè)，共十一頁(yè)，編輯于2023年，星期三vovIVT+VT_VOLVOHT1T20t0tCvovIR18.3.2用施密特觸發(fā)器構(gòu)成波形產(chǎn)生電路占空比q：高電平占整個(gè)周期的百分比。第八頁(yè)，共十一頁(yè)，編輯于2023年，星期三8.3.3石英晶體振蕩器1、石英晶體電路符號(hào)和選頻特性電路符號(hào)阻特性fXf0電感性電容性電容性當(dāng)f=f0時(shí),電抗X=0第九頁(yè)，共十一頁(yè)，編輯于2023年，星期三2、石英晶體振蕩器R:使G1工作在線性區(qū)C1:耦合電容C2: