會(huì)切場(chǎng)約束ICP增強(qiáng)非平衡磁控濺射放電及應(yīng)用研究的開(kāi)題報(bào)告開(kāi)題報(bào)告題目：會(huì)切場(chǎng)約束ICP增強(qiáng)非平衡磁控濺射放電及應(yīng)用研究一、研究背景隨著微電子、信息技術(shù)領(lǐng)域的飛速發(fā)展，對(duì)高性能、高精度材料的需求日益增加，其中高品質(zhì)金屬膜是制造半導(dǎo)體器件、光電器件的基礎(chǔ)材料，而非平衡磁控濺射技術(shù)作為一種革命性的薄膜制備方法，具有無(wú)污染、簡(jiǎn)單易懂、適用于多種材料等優(yōu)點(diǎn)，在微電子、光電、化學(xué)、生物和醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。雖然目前的濺射技術(shù)已經(jīng)很成熟，但在一些高靈敏度光電器件制備過(guò)程中，常常需要高精度薄膜，而一般濺射技術(shù)制備的膜層表面平整度較差，影響器件的光電性能。為此，研究如何改善濺射技術(shù)制備的膜層質(zhì)量已成為當(dāng)前磁控濺射技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的關(guān)鍵問(wèn)題之一。二、研究目的本課題的研究目的是通過(guò)會(huì)切場(chǎng)約束的形式，探究一種新型非平衡ICP(inductivelycoupledplasma)增強(qiáng)磁控濺射技術(shù)，以提高薄膜的平整度和成膜速率。具體研究?jī)?nèi)容如下：1、分析探究ICP等離子體和磁控濺射過(guò)程的特點(diǎn)和原理。2、實(shí)現(xiàn)會(huì)切場(chǎng)的約束作用，改善等離子體氣氛，進(jìn)而提高薄膜的成膜速率和平整度。3、根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果，研究?jī)?yōu)化這種新型非平衡ICP增強(qiáng)磁控濺射技術(shù)，探索其在金屬膜等方面的應(yīng)用價(jià)值。三、主要研究?jī)?nèi)容1、ICP等離子體和磁控濺射的特點(diǎn)和原理-ICP等離子體技術(shù)的原理和特點(diǎn)-磁控濺射技術(shù)的原理和特點(diǎn)-ICP增強(qiáng)磁控濺射的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)分析2、會(huì)切場(chǎng)的約束作用和膜層表面改善-會(huì)切場(chǎng)構(gòu)成和作用機(jī)理分析-會(huì)切場(chǎng)的約束作用如何改善等離子體氣氛-會(huì)切場(chǎng)的約束作用如何提高薄膜的平整度和成膜速率3、非平衡ICP增強(qiáng)磁控濺射技術(shù)的應(yīng)用價(jià)值分析-對(duì)比分析新型非平衡ICP增強(qiáng)磁控濺射技術(shù)與傳統(tǒng)技術(shù)-研究應(yīng)用價(jià)值，探索優(yōu)化新型非平衡ICP增強(qiáng)磁控濺射技術(shù)的技術(shù)路線四、研究意義通過(guò)研究新型非平衡ICP增強(qiáng)磁控濺射技術(shù)，探索會(huì)切場(chǎng)約束技術(shù)對(duì)制備高精度金屬膜層的改善效果，將對(duì)制造半導(dǎo)體、光電器件等高精度器件的研究和開(kāi)發(fā)具有重要意義。同時(shí)，優(yōu)化改進(jìn)后的技術(shù)可進(jìn)一步提高該技術(shù)在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用效率和成本效益。五、研究方法在磁控濺射裝置中加入會(huì)切場(chǎng)，探索會(huì)切場(chǎng)在ICP增強(qiáng)非平衡磁控濺射中的作用機(jī)理。1、實(shí)驗(yàn)條件使用金屬膜濺射工藝設(shè)備，選擇銅、鋁等金屬樣品作為實(shí)驗(yàn)材料進(jìn)行濺射，探究地襯材料、高電壓、輝光放電參數(shù)等對(duì)薄膜性能的影響。2、實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)和步驟2.1設(shè)計(jì)會(huì)切場(chǎng)布置方案，對(duì)其進(jìn)行模擬和優(yōu)化2.2制備基底材料和薄膜樣品2.3裝置實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，采集薄膜制備過(guò)程中濺射功率、離子能量、氣體壓力等參數(shù)信息2.4對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行分析及評(píng)估，設(shè)計(jì)并優(yōu)化金屬膜制備過(guò)程參數(shù)2.5對(duì)金屬膜的性能進(jìn)行測(cè)試，檢測(cè)膜層厚度、表面形貌、耐腐蝕性能、機(jī)械性能等六、預(yù)期效果通過(guò)對(duì)新型非平衡ICP增強(qiáng)磁控濺射技術(shù)的實(shí)驗(yàn)研究，預(yù)計(jì)能夠得出以下結(jié)論：1、會(huì)切場(chǎng)的約束作用能夠改善等離子體氣氛和提高薄膜的平整度和成膜速率。2、新型非平衡ICP增強(qiáng)磁控濺射技術(shù)相對(duì)于傳