ICS29045

CCSH.83

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T31092—2022

代替GB/T31092—2014

藍(lán)寶石單晶晶棒

Monocrystallinesapphirebar

2022-12-30發(fā)布2023-07-01實(shí)施

國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T31092—2022

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替藍(lán)寶石單晶晶錠與相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編

GB/T31092—2014《》,GB/T31092—2014,

輯性改動(dòng)外主要技術(shù)變化如下

,:

更改了適用范圍見第章年版的第章

a)(1,20141);

更改了藍(lán)寶石單晶的定義見年版的增加了藍(lán)寶石單晶晶棒參考槽的

b)“”(3.1,20143.1),“”“”

定義見刪除了藍(lán)寶石晶錠總長(zhǎng)度的定義見年版的

(3.2、3.3),“”“”(20143.2、3.3);

更改了結(jié)晶質(zhì)量的要求見年版的

c)(4.2,20144.2);

刪除了圖見年版的圖見年版的

d)1(20144.4.1)、2(20144.4.2);

更改了棒料的尺寸及允許偏差的要求見年版的

e)(4.4.1,20144.5);

增加了參考槽的尺寸及允許偏差的要求見和參考槽的結(jié)構(gòu)圖見圖

f)(4.4.2)(1);

增加了塊料的尺寸要求見

g)(4.4.3);

更改了透過率的要求見年版的

h)(4.6,20144.7);

更改了總雜質(zhì)含量結(jié)晶質(zhì)量表面取向及主參考面取向尺寸及允許偏差鑲嵌孿晶及透過

i)、、、、、

率的試驗(yàn)方法見第章年版的第章

(5,20145);

更改了標(biāo)志的內(nèi)容見年版的

j)(7.1,20147.1);

增加了隨行文件的內(nèi)容見

k)(7.4)。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位天通銀廈新材料有限公司天通控股股份有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有

:、、

限責(zé)任公司浙江晶瑞電子材料有限公司雅波拓福建新材料有限公司中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)

、、()、

械研究所哈爾濱奧瑞德光電技術(shù)有限公司山東恒晶新材料有限公司山西華晶恒基新材料有限公司

、、、、

重慶四聯(lián)光電科技有限公司蘇州恒嘉晶體材料有限公司通遼精工藍(lán)寶石有限公司義烏力邁新材料

、、、

有限公司

。

本文件主要起草人康森魯雅榮滕斌邵峰李素青宋巖巖張芹賀東江杭寅石剛左洪波

:、、、、、、、、、、、

楊鑫宏許永賓鄺光寧趙偉徐永亮閆殿軍付萍黃德銀

、、、、、、、。

本文件于年首次發(fā)布本次為第一次修訂

2014,。

Ⅰ

GB/T31092—2022

藍(lán)寶石單晶晶棒

1范圍

本文件規(guī)定了藍(lán)寶石單晶晶棒的技術(shù)要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存隨行文件

、、、、、、、

及訂貨單內(nèi)容

。

本文件適用于襯底光學(xué)用途的藍(lán)寶石單晶晶棒以下簡(jiǎn)稱晶棒

、(“”)。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范幾何公差檢測(cè)與驗(yàn)證

GB/T1958(GPS)

無色光學(xué)玻璃測(cè)試方法第部分光譜內(nèi)透射比

GB/T7962.1212:

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

藍(lán)寶石晶錠應(yīng)力測(cè)試方法

GB/T31093

多晶硅痕量元素化學(xué)分析輝光放電質(zhì)譜法

GB/T33236

藍(lán)寶石單晶位錯(cuò)密度測(cè)量方法

GB/T33763

藍(lán)寶石單晶晶向測(cè)定方法

GB/T34210

藍(lán)寶石晶體射線雙晶衍射搖擺曲線測(cè)量方法

GB/T34612X

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

藍(lán)寶石單晶monocrystallinesapphire

人工生長(zhǎng)的有確定晶向的型氧化鋁單晶

α。

32

.

藍(lán)寶石單晶晶棒monocrystalli