第一章半導體器件半導體二極管半導體三極管場效應管第一部分半導體二極管

半導體的基本知識PN結的形成及特性

半導體二極管

二極管基本電路及其分析方法

特殊二極管半導體二極管半導體的基本知識

什么叫半導體？通常稱電阻率在10-3～109Ω·cm范圍內的物質為半導體，其導電能力介于導體和絕緣體之間、常用的半導體材料是硅（Si）和鍺（Ge）。

半導體的特性光敏性——

半導體的導電能力隨光照的變化有顯著改變光電二極管和光敏電阻，就是利用光敏特性制成的熱敏性——

半導體的導電能力隨溫度提高迅速增加純凈的鍺從20℃升高到30℃時，它的電阻率幾乎減小為原來的1/2雜敏性——

半導體的導電能力因摻入適量雜質而發(fā)生很大的變化在硅中摻入億分之一的硼，電阻率就會下降到原來的幾萬分之一利用半導體的特性，可以制造出各種不同性能和用途的半導體器件！半導體的基本知識

半導體的共價鍵結構在電子器件中應用最多的半導體材料是硅和鍺，它們的簡化原子模型如圖1-1所示。由于硅和鍺都是四價元素，因此最外層原子軌道上具有四個電子，稱為價電子。半導體與金屬和絕緣體一樣，均具有晶體結構，它們的原子形成有序的排列，鄰近原子之間由共價鍵連接，如圖1-2所示。圖1-1硅和鍺的原子結構簡化模型

圖1-2硅和鍺的二維晶格結構圖，正離子核通過共價鍵與鄰近的核相連接半導體二極管半導體的基本知識

本征半導體本征半導體是一種完全純凈的、結構完整的半導體晶體。在絕對零度（－273℃）時，價電子不能脫離共價鍵的束縛，所以在半導體中沒有自由電子，半導體呈現(xiàn)不能導電的絕緣體特性。當溫度逐漸升高或在一定強度的光照下，價電子會獲得足夠的隨機熱振動能量而掙脫共價鍵的束縛，成為自由電子，如圖1-3所示，這種現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。圖1-3由于隨機熱振動致使共價鍵被打破而產(chǎn)生空穴—電子對半導體二極管半導體的基本知識

本征半導體當電子掙脫共價鍵的束縛成為電子后，共價鍵中就留下了一個空位，這個空位叫做空穴。空穴的出現(xiàn)是半導體區(qū)別于導體的一個重要特點。在外加電場作用下，鄰近的價電子就可以填補到這個空位上，而在這個電子原來的位置上又留下新的空位，以后其他電子又可轉移到新的空位，從而出現(xiàn)了一定的電荷遷移，如圖1-4所示。圖1-4電子與空穴的移動半導體二極管半導體的基本知識本征半導體共價鍵中空穴或束縛電子移動產(chǎn)生電流的根本原因是由于共價鍵中出現(xiàn)空穴引起的?？梢园芽昭闯墒且粋€帶正電的粒子，它所帶的電量與電子相等，符號相反，在外加電場作用下，可以自由地在晶體中運動，從而和自由電子一樣可以參與導電，因此空穴也是一種載流子。載流子：晶體中傳導電流的粒子。金屬中的載流子是電子，半導體的載流子是電子和空穴。在本征半導體內，自由電子和空穴總是成對出現(xiàn)的。半導體二極管半導體的基本知識

雜質半導體在本征半導體中摻入某些微量元素作為雜質，可使半導體的導電性發(fā)生顯著變化。摻入的雜質主要是三價或五價元素。摻入雜質的本征半導體稱為雜質半導體。

因摻入的雜質不同，雜質半導體又可以分為P型半導體（空穴型半導體）和N型半導體（電子型半導體）兩大類。

(1)P型半導體(2)N型半導體半導體二極管半導體的基本知識

雜質半導體(1)P型半導體（空穴型半導體）

在本征半導體中摻入三價雜質元素，如硼、鎵、銦等，硼原子只有三個價電子，它與硅原子組成共價鍵時，因缺少一個電子，在晶體中便產(chǎn)生一個空位,當相鄰共價鍵上的電子受到熱振動或在其他激發(fā)條件下獲得能量時，就有可能填補這個空位，使硼原子成為不能移動的負離子，而原來硅原子的共價鍵則因缺少一個電子，形成空穴，半導體呈中性，如圖1-5所示。圖1-5P型半導體的共價鍵結構半導體二極管半導體的基本知識

雜質半導體(2)N型半導體（電子型半導體）

在本征半導體中摻入五價雜質元素，如磷、砷、鏑等，因五價雜質原子中只有四個價電子能與周圍四個半導體原子中的價電子形成共價鍵，而多余的一個價電子因無共價鍵束縛而很容易形成自由電子，如圖1-6所示。自由電子參與傳導電流，但它移動后，原來的雜質原子位置上將留下一個固定的、不能移動的正離子，致使半導體仍然保持中性。

圖1-6N型半導體的共價鍵結構半導體二極管半導體的基本知識

雜質半導體

P型半導體N型半導體雜質原子多數(shù)載流子少數(shù)載流子+3價元素（硼、鎵、銦等）俘獲電荷，稱為受主雜質+5價元素（磷、砷、鏑等）提供電子，稱為施主雜質空穴，主要由摻雜形成電子，由熱激發(fā)形成電子，主要由雜質原子提供空穴，由熱激發(fā)形成半導體中正負電荷數(shù)是相等的，因此保持電中性半導體二極管PN結的形成及特性圖1-7PN結的形成過程空穴電子(a)擴散運動(b)漂移運動載流子從濃度高的地方向濃度低的地方擴散擴散運動P區(qū)N區(qū)留下帶負電的雜質離子留下帶正電的雜質離子形成很薄的空間電荷區(qū)，即PN結形成由N區(qū)指向P區(qū)的內電場，阻礙擴散運動

PN結的形成

半導體二極管PN結的形成及特性圖1-7PN結的形成過程空穴電子(a)擴散運動(b)漂移運動載流子在內電場作用下發(fā)生的運動漂移運動P區(qū)N區(qū)使空間電荷變少，內電場減小，又使擴散運動容易進行漂移運動和擴散運動相等時，便處于動態(tài)平衡狀態(tài)

PN結的形成

半導體二極管PN結的形成及特性

PN結的單向導電性

(1)外加正向電壓將PN結的P區(qū)接較高電位，N區(qū)接較低電位，稱為給PN結加正向偏置電壓，簡稱正偏，如圖1-8所示。圖1-8PN結外加正偏電壓

外電場方向與內電場方向相反，擴散運動增強，漂移運動幾乎減弱為零。正向電流IF為了防止較大的IF將PN結燒壞，應串接限流電阻R。

當E增加到一定值后，擴散電流隨正偏電壓的提高呈指數(shù)規(guī)律上升正向偏置時PN結的電阻很小，稱之為正偏導通狀態(tài)。內電場半導體二極管PN結的形成及特性

PN結的單向導電性

(2)外加反向電壓將PN結的P區(qū)接較低電位，N區(qū)接較高電位，稱為給PN結加反向偏置電壓，簡稱反偏，如圖1-9所示。圖1-9PN結外加反偏電壓

外電場方向與內電場方向相同，擴散運動幾乎減弱為零，漂移運動增強。反向電流IR內電場

在一定溫度下，反向電流IR就是反向飽和電流IS。

反向飽和電流IS與溫度密切相關。反向偏置時PN結呈現(xiàn)出一個很大的電阻，基本不導電。半導體二極管為什么？PN結的形成及特性

PN結的單向導電性

PN結加正向電壓時，呈現(xiàn)低電阻，具有較大的正向擴散電流；PN結加反向電壓時，呈現(xiàn)高電阻，具有很小的反向漂移電流。由此可以得出結論：PN結具有單向導電性。半導體二極管PN結的形成及特性

PN結反向擊穿

在測量PN結的V—I特性時，如果加到PN結兩端的反向電壓增大到一定數(shù)值時，反向電流突然增加，這個現(xiàn)象就稱為PN結的反向擊穿（電擊穿）。發(fā)生擊穿所需的反向電壓VBR稱為反向擊穿電壓。雪崩擊穿：當反向電壓足夠高時，PN結中內電場較強，使參加漂移的載流子加速，與中性原子相碰，使之價電子受激發(fā)產(chǎn)生新的電子空穴對，又被加速，而形成連鎖反應，使載流子劇增，反向電流驟增。半導體二極管PN結的形成及特性

PN結反向擊穿

齊納擊穿：對摻雜濃度高的半導體，PN結的耗盡層很薄，只要加入不大的反向電壓，耗盡層可獲得很大的場強，足以將價電子從共價鍵中拉出來，而獲得更多的電子空穴對，使反向電流驟增。

電擊穿的過程是可逆的。但它有一個前提條件，就是反向電流和反向電壓的乘積不超過PN結容許的耗散功率，超過了就會因為熱量散不出去而使PN結溫度上升，直到過熱而燒毀，這種現(xiàn)象就是熱擊穿。熱擊穿是不可逆的。半導體二極管PN結的形成及特性

PN結的V—I特性

IS：反向飽和電流e：自然對數(shù)底

VT：溫度的電壓當量在常溫(300K)下，VT

26mV

二極管加反向電壓，即V<0，且|V|

>>VT，則I

-IS。

二極管加正向電壓，即V>0，且V>>VT

，則，說明電流I與電壓V基本上成指數(shù)關系。PN結的V—I特性可表達為半導體二極管半導體二極管

半導體二極管的結構

在PN結上加上引線和封裝，就成為一個二極管。二極管按結構分有點接觸型、面接觸型和平面型三大類。圖1-10半導體二極管的典型結構點接觸型二極管PN結面積小，結電容小，用于檢波和變頻等高頻電路。面接觸型二極管PN結面積大，用于工頻大電流整流電路。平面型二極管集成電路中常用的一種形式。半導體二極管半導體二極管

二極管的V—I特性

圖1-11二極管V—I特性曲線(1)正向特性（外加正偏電壓）當0＜V＜Vth時

外電場還不足以克服PN結的內電場，正向擴散電流仍幾乎為零。正向電流為零，Vth稱為死區(qū)電壓（Ge:約0.1V，Si:約0.5V）。當V>Vth時外加電場足以克服內電場，擴散運動迅速增加，開始產(chǎn)生正向電流，并按指數(shù)規(guī)律增加。半導體二極管半導體二極管

二極管的V—I特性

圖1-11二極管V—I特性曲線(2)反向特性（外加反偏電壓）當VBR＜V＜0時反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱反向飽和電流

。當V>Vth時

反向電流急劇增大，這種現(xiàn)象稱為反向擊穿。發(fā)生擊穿時的電壓稱作擊穿電壓VBR。半導體二極管半導體二極管

二極管的參數(shù)

(1)最大整流電流IFM

二極管允許通過的最大正向平均電流。

(2)反向擊穿電壓VBR

指管子反向擊穿時的電壓值。一般手冊上給出的最高反向工作電壓VRM為擊穿電壓的一半。

(3)最大反向電流IRM

指二極管加最大反向工作電壓時的反向電流，其值越小，管子的單向導電性越好。

(4)最高工作頻率fM

fM反映了PN結電容的影響。當工作電壓超過fM

后，二極管的單向導電性變壞。半導體二極管二極管基本電路及其分析方法

二極管正向V—I特性的建模

(1)理想模型：相當于一個理想開關，正偏時二極管導通管壓降為0V，反偏時電阻無窮大，電流為零。vDiD0D圖1-12理想模型(a)V—I特性(b)代表符號vDiD+-半導體二極管二極管基本電路及其分析方法

二極管正向V—I特性的建模

(2)恒壓降模型：二極管導通后，其管壓降認為是恒定的，且不隨電流而變，典型值為0.7V。該模型提供了合理的近似，用途廣泛。注意：二極管電流近似等于或大于1mA正確。vDiD0D圖1-13恒壓降模型(a)V—I特性(b)代表符號vDiD+-半導體二極管二極管基本電路及其分析方法

二極管正向V—I特性的建模

（3）折線模型：認為二極管的管壓降不是恒定的，模型中用一個電池和電阻rD來作進一步的近似，電池電壓選定為二極管的門坎電壓Vth，約為0.5V，rD的值為(管壓降-Vth)/二極管的導通電流。vDiD0D圖1-14折線模型(a)V—I特性(b)代表符號vDiD+-VthrD半導體二極管二極管基本電路及其分析方法

二極管正向V—I特性的建模

（4）小信號模型：如果二極管在它的V-I特性的某一小范圍內工作，例如Q點（此時有vD=VD、iD=ID）附近工作，則可把V-I特性看成一條直線，其斜率的倒數(shù)就是所求的小信號模型的微變電阻rd。vD0圖1-15小信號模型(a)V—I特性(b)代表符號iDvDiDiD+-vDrd半導體二極管VDIDQ特殊二極管

穩(wěn)壓管

穩(wěn)壓管一種特殊的面接觸型半導體硅二極管

穩(wěn)壓管工作于反向擊穿區(qū)(a)穩(wěn)壓管符號(b)穩(wěn)壓管伏安特性+I/mAU/VO+正向

+反向UI圖1-16穩(wěn)壓管的伏安特性和符號半導體二極管

穩(wěn)壓管的參數(shù)主要有以下幾項：1.穩(wěn)定電壓VZ穩(wěn)壓管被反向擊穿后，在規(guī)定電流值時，管子兩端的反向擊穿電壓。

4.動態(tài)電阻rZ穩(wěn)壓管處于反向擊穿時，管子兩端電壓變化量與電流變化量的比值。

3.穩(wěn)定電流IZ測定VZ時所規(guī)定的參考穩(wěn)定電流值。特殊二極管

穩(wěn)壓管

5.溫度系數(shù)V反映穩(wěn)定電壓VZ受溫度影響大小的參數(shù)半導體二極管rZ大好還是小好?2.額定功率PZM由最高允許結溫所限定的功率參數(shù)。半導體二極管1.若輸入電壓為正弦信號，請畫出以下電路的輸出電壓波形思考題2.當vi1和vi2的值為0V或5V時,求vi1和vi2的值不同組合情況下，輸出電壓vo的值。設二極管是理想的。理想模型恒壓模型5V6sinωtD1D2D1、D2為硅管3.二極管電路如圖所示，試判斷圖中的二極管是導通還是截止，并求出AO兩端電壓VAO。設二極管是理想的。(a)(b)(c)(d)4.穩(wěn)壓管DZ的穩(wěn)定電壓VZ=8V，限流電阻R=3kΩ，設vi=15sinωtV，試畫出vO的波形。半導體二極管半導體二極管內容回顧半導體本征半導體雜質半導體N型半導體P型半導體兩種載流子電子和空穴摻入5價元素施主雜質失去電子后留下帶正電的離子摻入3價元素受主雜質得到電子后留下帶負電的離子多子：空穴少子：電子多子：電子少子：空穴半導體二極管N型半導體P型半導體PN結1.擴散運動多子的運動，產(chǎn)生內電場，阻礙擴散運動。2.漂移運動少子在內電場作用下的運動，削弱內電場，使擴散運動容易進行無外加電場時擴散運動和漂移運動處于平衡狀態(tài)外加正向偏壓（PN）時PN結正向導通，由擴散運動產(chǎn)生正向電流IF外加反向偏壓（PN）時PN結反向截止，由漂移運動產(chǎn)生反向飽和電流ISI

-IS反向偏壓繼續(xù)增加電擊穿（可逆），熱擊穿（不可逆）半導體二極管N型半導體P型半導體二極管死區(qū)電壓反向擊穿電壓半導體二極管vDiD0vDiD0vDiD0vD0iDvDiDVDIDQ理想模型恒壓降模型折線模型小信號模型特殊二極管

穩(wěn)壓管工作于反向擊穿區(qū)I/mAU/VO+正向

+反向UI半導體二極管動態(tài)電阻rZ小的管子穩(wěn)壓性能較好第二部分半導體三極管BJT的結構簡介BJT的電流分配與放大作用BJT的特性曲線半導體三極管BJT的結構簡介

半導體三極管半導體三極管(BipolarJunctionTra-nsistor:BJT)是指通過一定的工藝，將兩個PN結結合在一起的器件。圖1-17半導體三極管器件PPNNNPNPN型BJT(2)PNP型BJT半導體三極管圖1-18NPN型BJT的結構示意圖發(fā)射區(qū)比集電區(qū)的摻雜濃度高集電區(qū)的面積比發(fā)射區(qū)大發(fā)射極基極集電極發(fā)射區(qū)基區(qū)集電區(qū)發(fā)射結正偏集電結反偏收集電子發(fā)射結集電結EBCBJT的結構簡介發(fā)射電子半導體三極管BJT的電流分配與放大作用管內載流子的傳輸半導體三極管BJT的電流分配與放大作用發(fā)射極基極集電極發(fā)射區(qū)基區(qū)集電區(qū)發(fā)射結正偏集電結反偏發(fā)射電子收集電子管內載流子的傳輸發(fā)射結集電結(1)

發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子由于發(fā)射結正偏，發(fā)射區(qū)內的多數(shù)載流子電子不斷通過發(fā)射結擴散到基區(qū)，形成發(fā)射級電流IE。另外，基區(qū)的空穴也擴散到發(fā)射區(qū)，但由于發(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠高于基區(qū)，這部分空穴流與電子流相比可忽略不計。VEEVCCIE半導體三極管BJT的電流分配與放大作用發(fā)射極基極集電極發(fā)射區(qū)基區(qū)集電區(qū)發(fā)射結正偏集電結反偏發(fā)射電子收集電子管內載流子的傳輸發(fā)射結集電結(2)

電子在基區(qū)中的擴散與復合由發(fā)射區(qū)來的電子注入基區(qū)后，就在基區(qū)靠近發(fā)射結的邊界積累起來，在基區(qū)中形成一定的濃度梯度。因此，電子就要向集電結方向擴散，在擴散過程中又會與基區(qū)中的空穴復合。VEEVCCIE半導體三極管BJT的電流分配與放大作用發(fā)射極基極集電極發(fā)射區(qū)基區(qū)集電區(qū)發(fā)射結正偏集電結反偏發(fā)射電子收集電子管內載流子的傳輸發(fā)射結集電結(2)

電子在基區(qū)中的擴散與復合同時，VEE的正端不斷從基區(qū)拉走電子。電子復合的數(shù)目與電源從基區(qū)拉走的電子數(shù)目相等，使基區(qū)的空穴濃度保持不變。這樣就形成了基極電流IB，所以基極電流就是電子在基區(qū)與空穴復合的電流。VEEVCCIEIB半導體三極管BJT的電流分配與放大作用發(fā)射極基極集電極發(fā)射區(qū)基區(qū)集電區(qū)發(fā)射結正偏集電結反偏發(fā)射電子收集電子管內載流子的傳輸發(fā)射結集電結(2)

電子在基區(qū)中的擴散與復合也就是說，注入基區(qū)的電子有一部分未到達集電結，如復合越多，則到達集電結的電子越少，對放大是不利的。所以為了減小復合，通常把基區(qū)做的很薄（微米量級），并使基區(qū)的摻雜濃度很低，使大部分電子都能到達集電極。VEEVCCIEIB半導體三極管BJT的電流分配與放大作用發(fā)射極基極集電極發(fā)射區(qū)基區(qū)集電區(qū)發(fā)射結正偏集電結反偏發(fā)射電子收集電子管內載流子的傳輸發(fā)射結集電結(3)

集電極收集擴散過來的電子由于集電結反偏，集電結的勢壘很高，集電區(qū)的電子和基區(qū)的空穴很難通過集電結。但是這個勢壘對基區(qū)擴散到集電結邊緣的電子卻有很強的吸引力，可使電子很快地漂移過集電結為集電區(qū)所收集，形成集電極電流IC。VEEVCCIEIBIC發(fā)射電子思考：PNP型BJT應該如何連接？半導體三極管BJT的電流分配與放大作用NPN型VC>VB>VEVC<VB<VEIE的方向由管內流向管外IE的方向由管外流進管內

|VB-VE|的值較小，一般硅管取0.5~0.7V，鍺管取0.2~0.3V

發(fā)射結正偏，集電結反偏PNP型半導體三極管BJT的電流分配與放大作用電流分配關系(2)

根據(jù)KCL，iE=iC+iB，因此，基極電流可表示為(1)

集電結收集的電子流是發(fā)射結發(fā)射的總電子流的一部分，常用系數(shù)表示，有(3)

由此可導出集電極與基極電流的關系為其中，和為兩種放大系數(shù)，它們之間存在如下轉換關系<1>1半導體三極管BJT的電流分配與放大作用電流分配關系

當BE之間的正向電壓加大時，將會有更多的電子從射區(qū)擴散到基區(qū)（iE

增大），同時到達集電極的電子也會增加（iC增大），基區(qū)內復合的電子數(shù)也會增加（iB增大）。iE

、iC和iB三者之間的比例基本不變。故對于一只特定的三極管，和的值可以近似地看為不變的常數(shù)。常用的三極管，值在數(shù)十到數(shù)百之間。半導體三極管BJT的電流分配與放大作用放大作用圖1-19簡單的放大電路

BJT最基本的一種應用，是把微弱的電信號加以放大。一簡單的放大電路如圖2-3所示。

PN結的正向電壓對電流的控制作用很靈敏，因此ΔvI

的微小變化就可以引起IE很大的變化。

IC=αIE，若α=0.98，ΔIC=0.98mA

ΔIC通過集電極的負載電阻RL產(chǎn)生一個變化電壓ΔvO,若RL取1kΩ，則ΔvO=ΔIC×RL=0.98V。

ΔvO隨時間的變化規(guī)律與ΔvI

相同，但幅度卻大了許多倍。所增大的倍數(shù)稱為電壓增益，即半導體三極管BJT的特性曲線

BJT的特性曲線是指各電極電壓與電流之間的關系曲線，它是BJT內部載流子運動的外部表現(xiàn)。工程上最常用到的是它的輸入特性曲線和輸出特性曲線。圖1-20共射極放大電路以發(fā)射極作為共同端，以基極作為輸入端，集電極作為輸出端。輸入特性：指當集電極與發(fā)射極之間的電壓vCE為某一常數(shù)時，輸入回路加在BJT基極與發(fā)射極之間的電壓vBE與基極電流iB之間的關系曲線。iB=f(vBE)|vCE=常數(shù)輸出特性：指在基極電流iB一定的情況下，BJT的輸出回路中，集電極與發(fā)射極之間的電壓vCE與集電極電流iC之間的關系曲線。iC=f(vCE)|iB=常數(shù)半導體三極管BJT的特性曲線圖1-21NPN型硅BJT共射極接法的輸入特性曲線(1)輸入特性

vCE=1V的輸入特性較vCE=0V的特性向右移動了一段距離，這是由于當vCE=1V時，集電結吸引電子的能力加強，使得從發(fā)射區(qū)進入基區(qū)的電子更多地流向集電區(qū)，因此對應于相同的vBE，流向基極的電流iB比原來vCE=0時減小了。當vCE>1V以后，只要vBE保持不變，則從發(fā)射區(qū)發(fā)射到基區(qū)的電子一定，而集電結所加的反向電壓大到1V以后已能把這些電子中的絕大部分拉到集電結來，以至vCE再增加，iB也不再明顯減小，故vCE≥1V后的輸入特性基本重合。半導體三極管BJT的特性曲線(2)輸出特性

輸出特性的起始部分很陡。這是由于在vCE很小時，集電結的反向電壓很小，對到達基區(qū)的電子吸引力不夠，這時vCE稍有增加，從基區(qū)到集電區(qū)的電子也增加，故iC隨之增大。當vCE超過某一數(shù)值后（約1V），特性曲線變得平坦。這是因為這時集電結的電場已經(jīng)足夠強，能使發(fā)射區(qū)擴散到基區(qū)的電子絕大部分都到達集電區(qū)。由于iC=βiB，在vCE大于約1V后，輸出特性是一組間隔基本均勻，比較平坦的平行直線。圖1-22NPN型硅BJT共射極接法的輸出特性曲線飽和區(qū)截止區(qū)放大區(qū)iB=0半導體三極管BJT的特性曲線(2)輸出特性由于vCE=vCB+vBE，當vCE增加時，由于vBE變化較少（例如硅管的vBE≈0.7V），因此vCB（集電結反向偏壓）隨之增加。vCB的增加使集電結的空間電荷區(qū)的寬度增加，致使基區(qū)有效寬度減小，這樣在基區(qū)內載流子的復合機會減少，使電流放大系數(shù)β增大，在iB不變的情況下，iC將隨vCE增大，特性曲線向上傾斜，這種現(xiàn)象稱為基區(qū)寬度調制效應。圖1-23NPN型硅BJT共射極接法的輸出特性曲線飽和區(qū)截止區(qū)放大區(qū)半導體三極管思考題1.測得某放大電路中BJT的三個電極A、B、C的對地電位分別為VA=-9V,VB=-6V，VC=-6.2V，試分析A、B、C中哪個是基極b，發(fā)射極e、集電極c，并說明此BJT是NPN管還是PNP管。2.某放大電路中BJT三個電極A、B、C的電流如圖所示，用萬用表直流電流檔測得IA=-2mA,IB=-0.04mA，IC=2.04mA，試分析A、B、C中哪個是基極b，發(fā)射極e、集電極c，并說明此BJT是NPN管還是PNP管。半導體三極管內容回顧PNPNPN三個極、三個區(qū)和兩個結發(fā)射結正偏，集電結反偏發(fā)射區(qū)發(fā)射電子，形成iE；電子在基區(qū)中的擴散與復合，則形成iB；集電區(qū)收集電子，形成iC。iE=iB+iC；iC=α

iE;iC=β

iB<1(接近1)>>1電流分配關系VC>VB>VEVC<VB<VE第三部分場效應管

結型場效應管

金屬—氧化物—半導體場效應管場效應管場效應管是一種利用電場效應來控制其電流大小的半導體器件。這種器件不僅兼有體積小、重量輕、壽命長和省電的特點，而且還有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強和制造工藝簡單等優(yōu)點，在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應用。根據(jù)結構不同，場效應管可以分為兩大類。(1)結型場效應管(JFET)(2)金屬—氧化物—半導體場效應管(MOSFET)利用半導體內的電場效應進行工作，也稱為體內場效應器件利用半導體表面的電場效應進行工作，也稱為表面場效應器件場效應管結型場效應管

JFET利用半導體內的電場效應進行工作，也稱為體內場效應器件。圖1-23實際N溝道JFET的結構剖面圖

JFET的結構

在一塊N型半導體材料兩邊擴散出高濃度的P型區(qū)，形成兩個PN結.兩邊P+型區(qū)引出兩個歐姆接觸電極并連在一起稱為柵極g，在N型本體材料的兩端各引出一個歐姆接觸電極,分別稱為源極s和漏極d。它們分別相當于BJT的基極b、射極e和集電極c。兩個PN結中間的N型區(qū)域稱為導電溝道。這種結構成為N溝道型JFET。圖1-24JEFT的代表符號N溝道P溝道場效應管結型場效應管

JFET利用半導體內的電場效應進行工作，也稱為體內場效應器件。工作原理圖1-25N溝道JFET的結構示意圖vDS>0vGS<0

N溝道JFET工作時，在柵極與源極間需加一負電壓，使柵極、溝道間的PN結反偏，柵極電流iG≈0，場效應管呈現(xiàn)很高的輸入電阻。在漏極與源極間加一正電壓，使N溝道中的多數(shù)載流子（電子）在電場作用下由源極向漏極運動，形成電流iD。iD場效應管結型場效應管工作原理(1)vGS對iD的控制作用圖1-26vDS=0時，柵源電壓vGS改變對導電溝道的影響(a)vGS=0(b)VP<vGS<0(c)vGS≤VP

在反偏電壓vGS

作用下，兩個PN結的耗盡層加寬，導電溝道變窄，溝道電阻增大。隨著vGS幅值的加大，最終導致兩側的耗盡層將在中間合攏，溝道全部被夾斷，此時漏源極間的電阻趨于無窮大，相應的柵源電壓稱為夾斷電壓VP。場效應管結型場效應管圖1-27vGS=0時，漏源電壓vDS改變對導電溝道的影響工作原理(2)vDS對iD的控制作用(a)vDS=0(b)vDS<|VP|(b)vDS=|VP|(d)vDS>|VP|(b)

隨著vDS逐漸增加，一方面溝道電場強度加大，有利于漏極電流iD增加；另一方面，有了vDS，就在由源極經(jīng)溝道到漏極的N型半導體區(qū)域中，產(chǎn)生了一個沿溝道的電位梯度。離源極越遠，柵極與溝道之間的電位差越大，加到該處PN結的反向電壓也

場效應管結型場效應管圖1-27vGS=0時，漏源電壓vDS改變對導電溝道的影響工作原理(2)vDS對iD的控制作用(a)vDS=0(b)vDS<|VP|(b)vDS=|VP|(d)vDS>|VP|(b)越大，耗盡層也越向N型半導體中心擴展，使靠近漏極處的導電溝道比靠近源極處要窄，導電溝道呈楔形。從這方面說，增加vDS，又產(chǎn)生了阻礙漏極電流iD提高的因素。但在vDS較小時，導電溝道靠近漏端區(qū)域仍較寬，阻礙因素是次要的。故iD迅速增大。場效應管結型場效應管圖1-27vGS=0時，漏源電壓vDS改變對導電溝道的影響工作原理(2)vDS對iD的控制作用(a)vDS=0(b)vDS<|VP|(b)vDS=|VP|(d)vDS>|VP|(c)繼續(xù)增加vDS，當耗盡層在A點相遇時，稱為預夾斷。(d)溝道在A點預夾斷后，隨著vDS上升，夾斷長度會略有增加。但由于夾斷處場強也增大，仍能將電子拉過夾斷區(qū)。在從源極到夾斷處的溝道上，溝道內電場基本上不隨vDS改變而變化。所以，iD飽和。

場效應管結型場效應管特性曲線(1)輸出特性(vGS一定時，vDS對iD的影響)圖1-28N溝道JFET的輸出特性場效應管結型場效應管特性曲線(2)轉移特性(vDS

一定時，vGS對iD的影響)圖1-29N溝道JFET的轉移特性場效應管結型場效應管思考題1.一個JFET的轉移特性曲線如圖所示，試問(1)它是N溝道還是P溝道的FET?(2)它的夾斷電壓VP和飽和漏極電流IDSS各是多少？

iD/mA-43vGS/V0場效應管金屬—氧化物—半導體場效應管圖1-30N溝道MOSFET

N溝道MOSFET的結構MOSFET從導電溝道的類型上分為：

1)n溝道管，由電子導電。

2)p溝道管，由空穴導電。從開啟電壓的極性上又可以分為：

1)增強型管。柵壓為零時不能導電。

2)耗盡型管。柵壓為零時管子能導電。以一塊摻雜濃度較低、電阻率較高的P型硅半導體薄片作為襯底，在P型硅中擴散兩個高摻雜的N+區(qū)。然后在P型硅表面上生長一層很薄的二氧化硅絕緣層，并在二氧化硅的表面及N+區(qū)的表面上分別安置三個鋁電極——柵極g、源極s和漏極d，就形成了N溝道MOS管。由于柵極與源極和漏極均無電接觸，故稱為絕緣柵極。表示由P襯底指向N溝道。對于P溝道情況，箭頭方向正好相反。虛線表示實線表示場效應管金屬—氧化物—半導體場效應管工作原理場效應管金屬—氧化物—半導體場效應管工作原理(a)

(a)當柵源短接時，源區(qū)、襯底和漏區(qū)形成兩個背靠背的PN結。當vDS<0時，漏極和襯底間的PN結反偏，此時漏源間的電阻很大，沒有形成導電溝道，基本沒有電流流過，iD=0。場效應管金屬—氧化物—半導體場效應管工作原理(b)

(b)在正的vGS作用下，介質中產(chǎn)生一個垂直于半導體表面的由柵極指向P型襯底的電場，這個電場排斥空穴而吸引電子。因此，P型襯底中的電子被吸引到P型硅表面，形成一個N形的薄層。顯然，vGS正的越多，作用于半導體表面的電場越強，吸引到P型硅表面的電子越多，感生溝道越厚。一旦出現(xiàn)了感生通道，原來被P型襯底隔開的兩個N+區(qū)便連在了一起。因此，在正的vDS作用下，便有漏極電流iD產(chǎn)生。一般把在vDS作用下開始導電時的vGS稱為開啟電壓VT。場效應管金屬—氧化物—半導體場效應管工作原理(c)(d)當vGS≥VT

，外加較小的vDS時，漏極電流iD將隨vDS上升迅速增大，但由于溝道存在電位梯度，因此溝道的厚度是不均勻的；靠近源端厚，靠近漏端薄。當vDS增大到一定數(shù)值后，靠近漏端被夾斷，vDS繼續(xù)增加，將形成一夾斷區(qū)。溝道被夾斷后，vDS上升，iD趨于飽和。場效應管金屬—氧化物—半導體場效應管特性曲線圖1-32N溝道增強型MOSFET的輸出特性曲線(1)輸出特性曲線：測量當vGS恒定時，iD和vDS之間的變化關系。當vGS<VT時，無溝道形成，MOS管不導通，處于截止區(qū)。

vGS≥VT后，若vDS較小，iD隨vDS的增加迅速上升，處于可變電阻區(qū)。

vDS進一步增大，溝道被夾斷，iD不隨vDS變化，處于恒流區(qū)。場效應管金屬—氧化物—半導體場效應管特性曲線(2)轉移特性曲線：測量當vDS恒定時，iD和vGS之間的變化關系。由輸出特性曲線畫出轉移特性曲線的作法與JFET相同。理論分析表明，當vGS>>VT時，iD與vDS的關系也是二次函數(shù)，即式中，K為溝道系數(shù)，單位為mA/V2或μA/V2。K的大小由溝道的長、寬和單位面積的柵電容等因素決定。當vGS=2VT對應的電流值為ID2時，則K=ID2/V2T場效應管結型場效應管思考題1.如圖所示為MOSFET的轉移特性，請分別說明各屬于何種溝道。如是增強型，說明它的開啟電壓VT=？如是耗盡型，說明它的夾斷電壓VP=?（圖中iD的正向為假定流入漏極。）謝謝觀看/歡迎下載BYFAITHIMEANAVISIONOFGOODONECHERISHESANDTHEENTHUSIASMTHATPUSHESONETOSEEKITSFULFILLMENTREGARDLESSOFOBSTACLES.BYFAITHIBYFAITH76歐債危機3解救方案1歐債危機簡介4近年動態(tài)聚焦2危機原因深究5歐債危機與中國歐債危機的全面觀歐債危機77相關概念主權債務：指一國以自己的主權為擔保向外，不管是向國際貨幣基金組織還是向世界銀行，還是向其他國家借來的債務主權債務違約:現(xiàn)在很多國家，隨著救市規(guī)模不斷的擴大，債務的比重也在大幅度的增加主權信用評價:體現(xiàn)一國主權債務違約的可能性，評級機構依照一定的程序和方法對主權機構（通常是主權國家）的政治、經(jīng)濟和信用等級進行評定，并用一定的符號來表示評級結果。1歐債危機簡介78歐債危機，全稱歐洲主權債務危機，是指自2009年以來在歐洲部分國家爆發(fā)的主權債務危機。歐債危機是美國次貸危機的延續(xù)和深化，其本質原因是政府的債務負擔超過了自身的承受范圍。歐債危機簡介79開端三大評級機構的卷入發(fā)展比利時，西班牙陷入危機蔓延龍頭國受到影響升級7500億穩(wěn)定機制達成歐債危機簡介發(fā)展過程801歐債危機簡介歐豬五國PIIGS（PIIGS—歐債風險最大的五個國家英文名稱第一個字母的組合）希臘——債務狀況江河日下

葡萄牙——債務將超經(jīng)濟產(chǎn)出西班牙——危險的邊緣意大利——債務狀況嚴重愛爾蘭——債務恐繼續(xù)增加81目前，希臘屬歐盟經(jīng)濟欠發(fā)達國家之一，經(jīng)濟基礎較薄弱，工業(yè)制造業(yè)較落后。海運業(yè)發(fā)達，與旅游、僑匯并列為希外匯收入三大支柱。農(nóng)業(yè)較發(fā)達，工業(yè)主要以食品加工和輕工業(yè)為主。希臘已陷入經(jīng)濟衰退5年，債務危機持續(xù)2年多，已經(jīng)給希臘經(jīng)濟、政治和社會帶來了極大的破壞。嚴重經(jīng)濟衰退帶來的直接后果是，失業(yè)率高企，民眾生活每況愈下。與此同時，政府收入銳減，償債目標一再被推遲。2011年11月，希臘失業(yè)率高達21%，超過100萬人待業(yè)。。目前，希臘社會階層情緒對立嚴重，普通民眾認為，正是當權者無所作為，才將這個國家引向了目前這種災難性局面。而政府官員普遍存在的貪污腐敗和無所作為，更是加重了民眾的不滿。希臘債務危機82葡萄牙是發(fā)達國家里經(jīng)濟較落后的國家之一，工業(yè)基礎較薄弱。紡織、制鞋、旅游、釀酒等是國民經(jīng)濟的支柱產(chǎn)業(yè)。軟木產(chǎn)量占世界總產(chǎn)量的一半以上，出口位居世界第一。經(jīng)濟從2002年起有所下滑，2003年經(jīng)濟負增長1.3%。2004年國內生產(chǎn)總值為1411.15億歐元，經(jīng)濟增長1.2%。2005年國內生產(chǎn)總值為1472.49億歐元，人均國內生產(chǎn)總值為13800歐元，經(jīng)濟增長率為0.3%。葡萄牙債務危機832010年1月11日，穆迪警告葡萄牙若不采取有效措施控制赤字將調降該國債信評級。

2010年4月，葡萄牙已經(jīng)呈現(xiàn)陷入主權債務危機的苗頭。葡萄牙當時的公共債務為GDP的77%，與法國處于相同水平；但是，企業(yè)以及家庭、人均的債務均超過了希臘和意大利，高達GDP的236%，葡萄牙債券已被投資者列為世界上第八大高風險債券。2011年3月15日，穆迪把對葡萄牙的評級從A1下調至A3。穆迪稱，葡萄牙將面對很高的融資成本，是否能夠承受尚難預料，該國財政緊縮目標能否如期實現(xiàn)也存在變數(shù)。再考慮到全球經(jīng)濟形勢仍不明朗、歐洲中央銀行可能提高利率以及高油價帶來更高經(jīng)濟運行成本，該機構決定下調該國主權信用評級。84惠譽2010年12月把葡萄牙主權信用評級從“AA－”調低至“A＋”2011年3月25日，標普宣布將葡萄牙長期主權信貸評級從“A-”降至“BBB”，3月29日，標普宣布將葡萄牙主權信用評級下調1級至BBB-2011年4月1日，惠譽下調葡萄牙評級，將其評級下調至最低投資級評等BBB-。稱債臺高筑的葡萄牙需要救援。2011年4月，葡萄牙10年期國債的預期收益率已經(jīng)升至9.127%，創(chuàng)下該國加入歐元區(qū)以來的新高。與此同時葡萄牙將至少有約90億歐元的債務到期，葡萄牙政府實在支撐不住了，既沒錢、沒法償還到期的債務，又沒有有效的融資途徑，不得不提出經(jīng)濟救援申請。85房地產(chǎn)泡沫是愛爾蘭債務危機的始作俑者。2008年金融危機爆發(fā)后，愛爾蘭房地產(chǎn)泡沫破滅，整個國家五分之一的GDP遁于無形。隨之而來的便是政府稅源枯竭，但多年積累的公共開支卻居高不下，財政危機顯現(xiàn)。更加令人擔憂的是，該國銀行業(yè)信貸高度集中在房地產(chǎn)及公共部門，任何一家銀行的困境都可能引發(fā)連鎖反應。愛爾蘭5大銀行都瀕臨破產(chǎn)。為了維護金融穩(wěn)定，愛爾蘭政府不得不耗費巨資救助本國銀行，把銀行的問題“一肩挑”，從而導致財政不堪重負。財政危機和銀行危機，成為愛爾蘭的兩大擔憂。史上罕見，公共債務將占到GDP的100%。消息一公布，愛爾蘭國債利率隨即飆升。愛爾蘭十年期國債利率已直抵9%，是德國同期國債利率的三倍。由此掀開了債務危機的序幕。房地產(chǎn)業(yè)綁架了銀行，銀行又綁架了政府，這就是愛爾蘭陷入主權債務危機背后的簡單邏輯。

愛爾蘭債務危機862011年9月19日，標普宣布，將意大利長期主權債務評級下調一級，從A+降至A，前景展望為負面。在希臘債務危機愈演愈烈之際，意大利評級下調對歐洲來說無疑是雪上加霜。2010年意政府債務總額已達1.9萬億歐元，占GDP比例高達119%，在歐元區(qū)內僅次于希臘。由于意大利債務總額超過了希臘、西班牙、葡萄牙和愛爾蘭四國之和，因此被視為是“大到救不了”的國家。意大利債務危機87

意大利和其他出現(xiàn)債務危機的歐洲國家所面臨的，并不是簡單收支失衡問題，而是根本性的經(jīng)濟擴張動能不足問題。這些南歐國家在享受高福利的同時，卻逐漸失去全球經(jīng)濟競爭力。其不同程度存在的用工制度僵化、創(chuàng)新能力低、企業(yè)活力不足、偷稅以及政治內耗劇烈等，是解決債務危機的重要障礙。然而，目前意政府乃至整個歐元區(qū)在應對債務危機上，還僅僅以緊縮開支、修復政府短期資產(chǎn)負債表為主攻方向，在體制性改革問題上卻重視不夠。倘若這些陷入危機的南歐國家不進行一番傷筋動骨的體制性改革，債務危機將無法獲得根本性解決。882011年10月7日，惠譽宣布將西班牙的長期主權信用評級由“AA+”下調至“AA-”，評級展望為負面。2011年10月18日，繼惠譽和標普之后，穆迪也宣布將西班牙的主權債務評級下調兩檔至A1，前景展望為負面經(jīng)濟疲軟、財政“脫軌”，加上超高的失業(yè)率和低迷的房地產(chǎn)市場讓西班牙已不堪重負。該國經(jīng)濟增長乏力、財政債臺高筑和房地產(chǎn)市場萎靡不振，以及這些問題之間不斷加深的負面反饋效應。西班牙債務危機891.影響歐元幣值的穩(wěn)定2.拖累歐元區(qū)經(jīng)濟發(fā)展3.延長歐元區(qū)寬松貨幣的時間4.歐元地位和歐元區(qū)穩(wěn)定將經(jīng)受考驗5.威脅全球經(jīng)濟金融穩(wěn)定1歐債危機簡介主要影響90crisis2整體經(jīng)濟實力不均1協(xié)調機制與預防機制的不健全3歐元體制天生弊端4.歐式社會福利拖累6歐洲一體化進程5民主政治的異化:2歐債危機形成原因911.歐元區(qū)內部機制：協(xié)調機制運作不暢，預防機制不健全,致使救助希臘的計劃遲遲不能出臺，導致危機持續(xù)惡化。

2.整體經(jīng)濟實力薄弱：遭受危機的國家大多財政狀況欠佳，政府收支不平衡在歐元區(qū)內部存在嚴重的結構失衡問題，地域經(jīng)濟水平的差異和經(jīng)濟結構差異導致債務危機國家的競爭力削弱；

3.歐元體制天生弊端：作為歐洲經(jīng)濟一體化組織，歐洲央行主導各國貨幣政策大權，歐元具有天生的弊端，經(jīng)濟動蕩時期，無法通過貨幣貶值等政策工具，因而只能通過舉債和擴大赤字來刺激經(jīng)濟,《穩(wěn)定與增長公約》沒有設立退出機制；2債務危機形成原因主要原因924.歐式社會福利拖累：高福利制度異化與人口老齡化，希臘等國高福利政策沒有建立在可持續(xù)的財政政策之上(凱恩斯主義財政政策的長期濫用)，歷屆政府為討好選民，盲目為選民增加福利，導致赤字擴大、公共債務激增，償債能力遭到質疑。

5.民主政治的異化:6.歐盟內部：德國堅定地致力于構建“一體化”歐洲的戰(zhàn)略，法國有相同的意向，但同時也希望通過“歐洲一體化”來遏制德國。德法有足夠的經(jīng)濟實力和雄厚的財力在歐債危機之初，甚至現(xiàn)在在很短時間內疚可遏制危機蔓延并予以解決。之所以久拖不決，其根本目的在于借歐債危機之“機”，整頓財政紀律（特別市預算權），迫使成員國部分讓出國家財政主權，以建立統(tǒng)一的歐洲財政聯(lián)盟，在救助基金及歐洲央行的配合下，行使歐元區(qū)“財政部”的職能，以便加速推進歐洲一體化進程2債務危機形成原因主要原因931評級機構2財務造假3積稅與就業(yè)4EU引起威脅2債務危機形成原因關于評級機構及其他94二、1.評級機構:美國三大評級機構則落井下石，連連下調希臘等債務國的信用評級。(2009年10月20日，希臘政府宣布當年財政赤字占國內生產(chǎn)總值的比例將超過12%，遠高于歐盟設定的3%上限。隨后，全球三大評級公司相繼下調希臘主權信用評級，歐洲主權債務危機率先在希臘爆發(fā)。)至此，國際社會開始擔心，債務危機可能蔓延全歐，由此侵蝕脆弱復蘇中的世界經(jīng)濟。2財務造假埋下隱患：希臘因無法達到《馬斯特里赫特條約》所規(guī)定的標準，即預算赤字占GDP3%、政府負債占GDP60%以內的標準，于是聘請高盛集團進行財務造假，以順利進入歐元區(qū)。3.稅基與就業(yè)不樂觀：經(jīng)濟全球化深度推進帶來稅基萎縮與高失業(yè)4．歐盟的威脅：馬歇爾計劃催生出的歐共體，以及在此基礎上形成的歐盟，超出了美國最初的戰(zhàn)略設定，一個強大的足以挑戰(zhàn)美元霸主地位的歐元有悖于美國的戰(zhàn)略目標。

2債務危機形成原因關于評級機構及其他951歐盟峰會成果（2011.10）2歐盟峰會成果（2011.12）3宋鴻兵3解救方案96一、銀行體系注資問題

3解救方案之10月峰會歐盟被迫采取一系列措施提供流動性，借以穩(wěn)定銀行體系：歐洲央行聯(lián)合美聯(lián)儲、英國央行、日本央行和瑞士央行在3個月內向歐洲銀行提供無限量貸款；歐洲央行重啟抵押資產(chǎn)債券的收購；歐洲央行重新發(fā)放12個月期銀行貸款。在此次峰會上，歐盟領導人達成一致，要求歐洲90家主要商業(yè)銀行在2012年6月底前必須將資本金充足率提高到9%。銀行國別資本補充額度（單位：億歐元）希臘300西班牙262意大利147葡萄牙78法國88德國52總計約1060973解救方案之10月峰會二、EFSF擴容問題實現(xiàn)“EFSF的杠桿化操作”，即以目前現(xiàn)有資金向高比例債券提供擔保，主要分為兩種方式：方式一：按20-25%的比例，用EFSF剩余資金額度為新發(fā)債券提供“信用增級”，投資者購買債券時可以購買“風險保險”，從而使債券獲得EFSF的擔保，當債券出現(xiàn)違約損失時，債權人可以從EFSF獲得至少20%的面值補償；方式二：依托EFSF成立“特別用途工具”（也有稱“特別用途投資工具”，縮寫為SPV/SPIV），吸納歐盟以外民間或主權基金以充實EFSF可用資金額度。983解救方案之10月峰會三、希臘主權債務減記問題歐盟和IMF：1090億歐元援助貸款銀行等私人投資者：自愿減記21%私人債僅減記幅度第二輪救助計劃所需資金21%252050%114060%1090私人債僅減記幅度與第二輪救助希臘計劃所需資金對比993解救方案之12月峰會一、達成“新財政協(xié)議”財政協(xié)議的主要內容包括：1.政府預算應實現(xiàn)平衡或盈余，年度結構性赤字不得超過名義GDP的0.5%；2.成員國超過歐盟委員會設定的3%的赤字上限，將受到歐盟制裁，除非多數(shù)歐元區(qū)成員國反對；3.債務占比超過60%的國家，其債務削減數(shù)量指標的細則必須依據(jù)新的規(guī)定；歐盟將加強對成員的財政監(jiān)督和評估，有權要求涉嫌違反《穩(wěn)定與增長公約》的成員國重新修改預算；4建立并落實各成員國政府債券發(fā)行計劃事先報告制度5.加強財政一體化；加強協(xié)調與管理，強化歐元區(qū)。1003解救方案之十二月峰會二、強化EFSF和ESM強化EFSF：迅速實施EFSF的杠桿化擴容方案；歡迎歐洲央行作為EFSF介入市場操作的代理機構；EFSF將繼續(xù)發(fā)揮作用，為已啟動的項目提供融資。調整ESM：ESM提前至2012年7月啟動；歐盟委員會和歐洲央行為維護金融和經(jīng)濟穩(wěn)定，可對金融援助做出緊急決定，達到85%多數(shù)同意即可；實繳資本和ESM已發(fā)放貸款的比率維持在15%以上。（同時運行，強化救助能力）

1013解救方案之12月峰會三、向IMF注資，提高救助資金的融資規(guī)?！半p邊貸款”：共注資2000億歐元歐元區(qū)國家央行：1500億歐元非歐元區(qū)國家：500億歐元