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金屬化與平坦化概述金屬化將晶片上制成的各種元器件用互連盒屬線連接起來枘成具有各種功能的杗成電路的工藝。是芯片制造過程中在絕緣介質(zhì)薄膜上淀積金屬薄膜,通過光刻形成互連金屬線和集成電路的孔填充塞的過程。互連金屬GlobalinterconnectstudLanlntercnuedt鈍化層壓點金屬DILDILD-3ID-I多晶杷L氧化石p-外延層P硅襯底圖7.41整個0.18Hm的cMOS剖面在集成電路中金屬薄膜主要用于1.歐姆接觸(OhmicContact2肖特基接觸(SchottkyBarrierContact3低阻柵電極(GateE|ectrode)4.器件間互聯(lián)(interconnect)金屬化的幾個術(shù)語接觸(contact):指硅芯片內(nèi)的器件與第一層金屬層之間在硅表面的連接互連(interconnect):由導(dǎo)電材料,(如鋁,多晶硅或銅)制成的連線將電信號傳輸?shù)叫酒牟煌糠滞?via):通過各種介質(zhì)層從某一金屬層到相鄰的另金屬層形成電通路的開口“填充薄膜”:是指用金屬薄膜填充通孔,以便在兩金屬層之間形成電連接。層間介質(zhì)(ILD:InnerLayerDielectric):是絕緣材料,它分離了金屬之間的電連接。ILD一旦被淀積,便被光刻刻蝕成圖形,以便為各金屬層之間形成通路。用金屬(通常是鎢W)填充通孔,形成通孔填充薄膜。對IC金屬化系統(tǒng)的主要要求(1)低阻互連(2)金屬和Highspeed(3)與下面Highreliability4)對臺階的Highdensity(5)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定(6)易刻蝕(7)制備工藝簡單為了將半導(dǎo)體器件與外部有效地聯(lián)系起來,必須首先在半導(dǎo)體和互連線之間制作接觸。AluminumOxide早期結(jié)構(gòu)是簡單的AL/Si接觸Earlystructuresweresimpleal/sicontacts.金屬層和硅襯底形成什么接觸?金屬層和硅襯底的接觸,既可以形成整流接觸也可以形成歐姆接觸,主要取決于半導(dǎo)體的摻雜濃度及金一半接觸的勢壘高度OhmicSchottymetalmetalContactContactHeavilydopedN-SiN+S金屬/半導(dǎo)體的

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