MOS管導(dǎo)通損耗的計(jì)算方法_第1頁
MOS管導(dǎo)通損耗的計(jì)算方法_第2頁
MOS管導(dǎo)通損耗的計(jì)算方法_第3頁
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文檔簡介

第第頁MOS管導(dǎo)通損耗的計(jì)算方法

MOS管計(jì)算導(dǎo)通損耗時(shí),應(yīng)該用平均(電流)IAVG還是用電流有效I(RMS)值呢?

先定義下相關(guān)參數(shù),以便于后續(xù)的計(jì)算.

IO輸出電流

IH-AVG上MOS管平均電流

IL-AVG下MOS管平均電流

IRMS(H)上MOS管電流有效值

IRMS(L)下MOS管電流有效值

D上MOS管占空比

ΔI電感紋波電流

RON-H上MOS管導(dǎo)通電阻

RON-L下MOS管導(dǎo)通電阻

PON-H上MOS管導(dǎo)通損耗

PON-L下MOS管導(dǎo)通損耗

計(jì)算方法1:基于平均電流

計(jì)算方法2:基于電流有效值

下面是關(guān)于有效值和平均值的對(duì)比數(shù)據(jù),可以直觀的看出有效值比平均值大出很多.

所以兩種方法計(jì)算出來的導(dǎo)通損耗也會(huì)差別很大,那么哪種方式是正確的呢?

MOS管導(dǎo)通時(shí),等效為一個(gè)(電阻)RDS(ON),計(jì)算損耗時(shí)是通過積分來計(jì)算的,應(yīng)該用有效值來計(jì)算。

由此可見,I為有效值的計(jì)算公式,所以計(jì)算時(shí)應(yīng)用電流有效值來計(jì)算MOS管的導(dǎo)通損耗.

那么什么時(shí)候可以用平均電流來計(jì)算損耗呢?

其實(shí)輸出(整流二極管),MOS體(二極管)的導(dǎo)通損耗,則是用均值來計(jì)算的.

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