新型高效晶硅電池技術第1頁，課件共13頁，創(chuàng)作于2023年2月三洋HIT電池的發(fā)展第2頁，課件共13頁，創(chuàng)作于2023年2月至2008年世界HIT電池的研究現狀第3頁，課件共13頁，創(chuàng)作于2023年2月三洋雙面HIT電池結構圖晶硅/非晶硅異質結結構增加開路電壓，提高轉換效率第4頁，課件共13頁，創(chuàng)作于2023年2月HIT電池工藝制程1.硅片清洗制絨2.正面用PECVD制備本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜3.背面用PECVD制備本征非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜4.在兩面用濺射法沉積透明導電氧化物薄膜5.絲網印刷制備電極第5頁，課件共13頁，創(chuàng)作于2023年2月第6頁，課件共13頁，創(chuàng)作于2023年2月HIT電池的優(yōu)點HIT電池具有較高的開路電壓VOC，三洋規(guī)?；a效率可超過20%。良好的溫度特性。室外使用溫度經常會達到70-80度，在同樣的高溫下，HIT電池比晶硅太陽電池性能衰減更少。HIT電池工藝均在200度以下，對于襯底硅材料的要求較低。熱能投入少，同時對環(huán)境潔凈程度要求較低。全部在線式設備，易于實現自動化效率可以做到19%，與17%的常規(guī)電池效率相比，相當于節(jié)省9%的成本溫度特性0.3%/Kvs.0.43%/K，增加4%的能量輸出，節(jié)省4%的成本。R&RHJT電池的優(yōu)點第7頁，課件共13頁，創(chuàng)作于2023年2月工藝對比第8頁，課件共13頁，創(chuàng)作于2023年2月三洋產能增長緩慢近年三洋的電池產能排名不斷降低，到2009年已經跌出前十。相似的壟斷技術企業(yè)FirstSolar和SunPower一直保持強勁的增長。第9頁，課件共13頁，創(chuàng)作于2023年2月HIT技術難點非晶硅太陽電池的研究，現在主要著重于改善非晶硅膜本身性質，以減少缺陷密度。嚴格控制a-Si/c-Si界面質量，不斷降低缺陷態(tài)密度。優(yōu)化光陷，降低反射率。提高透明導電膜的電導率，透射率。降低金屬柵線的接觸電阻。第10頁，課件共13頁，創(chuàng)作于2023年2月PECVD技術難點一等離子體的不穩(wěn)定性。等離子體的穩(wěn)定性是一個復雜的問題。等離子體本身是由電子、離子等帶電電荷組成的準中性氣體,因此,它的狀態(tài)容易受到外界條件的影響而發(fā)生變化。襯底表面的帶電狀態(tài)、反應器壁的薄膜附著、電源的波動、氣體的流速等都會改變等離子體的狀態(tài),改變其中活性粒子的種類及數量,從而改變所沉積薄膜的性質;另外在大規(guī)模生產中,在較大的面積上保持等離子體的均勻性也是一件困難的事。這種差異的原因往往是隱性的,解決這一問題需要精通等離子體的專業(yè)知識。第11頁，課件共13頁，創(chuàng)作于2023年2月PECVD技術難點二等離子體中電子及離子輻照對沉積薄膜結構及電子學特性損傷。等離子體加工過程中另一方面的問題是等離子體損傷,主要指離子轟擊及光子輻照,除了會降低沉積膜的質量外,還對晶體Si襯底帶來損傷。光譜響應的研究結果發(fā)現利用等離子體技術制備的HIT電池,在藍光區(qū),光譜響應提高,而在紅光區(qū),光譜響應降低,這一方面表明本征層的鈍化作用提高了藍光區(qū)的光量子效率,另一方面表明等離子體對器件的損傷深入到器件內部,造成主要在Si體內被吸收的紅光區(qū)的量子效率下降。為降低等離子體損傷,需要嚴格控制等離子體的放電功率,將其降低至最小,以能維持放電為準,這實際上降低了等離子