場效應(yīng)管的識(shí)別與檢測場效應(yīng)管的識(shí)別與檢測1場效應(yīng)管的識(shí)別與檢測場效應(yīng)管是電壓控制型半導(dǎo)體器件。特點(diǎn)：輸入電阻高（107～109歐）、噪聲小、功耗低、無二次擊穿，特別適用于高靈敏度和低噪聲的電路。場效應(yīng)管的識(shí)別與檢測2場效應(yīng)管外形圖場效應(yīng)管外形圖3場效應(yīng)管的類型、結(jié)構(gòu)、原理場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。FET

場效應(yīng)管JFET

結(jié)型MOSFET

絕緣柵型N溝道P溝道（耗盡型）增強(qiáng)型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道場效應(yīng)管的類型、結(jié)構(gòu)、原理場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。F4場效應(yīng)管的類型、結(jié)構(gòu)、原理（一）結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和工作原理（1）場效應(yīng)管的三個(gè)極：柵極（G）、源極（S）、漏極（D）【閘門、水庫、出水口】場效應(yīng)管的類型、結(jié)構(gòu)、原理（一）結(jié)型場效應(yīng)管(JF5結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)（2）N型溝道源極提供電子，電流從漏極→源極；P型溝道源極提供空穴，電流從源極→漏極；（3）N溝道結(jié)型場效應(yīng)管源極與漏極以N型半導(dǎo)體溝道連接，柵極則是P型半導(dǎo)體，分別由接點(diǎn)接到外圍電路。結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)（2）N型溝道源極提供電子，電流從漏6結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)（4）場效應(yīng)管工作時(shí)對偏置電壓要求如下：◆柵－源加負(fù)電壓（UGS＜0），柵－源間的PN結(jié)反偏，柵極電流（IG≈0），場效應(yīng)管呈現(xiàn)很高的輸入電阻?！袈礃O間加正電壓（UDS＞0），使N溝道中的多數(shù)載流子在電場作用下，由源極向漏極漂移，形成漏極電流（iD）?！袈O電流（iD）主要受柵－源電壓（UGS）控制，同時(shí)，也受漏——源電壓（UDS）的影響。結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)（4）場效應(yīng)管工作時(shí)對偏置電壓要求如7結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)工作過程分析：先假定UDS＝0。當(dāng)UGS＝0溝道較寬，電阻較??；當(dāng)UGS＜0，隨著值的增加，在這個(gè)反偏電壓作用下，兩個(gè)PN結(jié)耗盡層加寬，溝道將變窄，溝道電阻加大。當(dāng)UGS值大到一定值，耗盡層在夾道中合攏，－源電阻無窮大，iD=0，此時(shí)的UGS稱為夾斷電壓，用UP表示。上述分析表明：改變UGS的大小，可以有效控制溝道電阻的大??；同時(shí)加上UDS，漏極電流iD將受UGS控制，UGS值增加，溝道電阻增大，iD減??；結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)工作過程分析：先假定UDS＝0。8結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)UDS對iD的影響。假定UGS不變。當(dāng)UDS增加時(shí)，導(dǎo)電溝道呈稧形，溝道寬度不均勻，在預(yù)夾斷前，iD隨UDS的增加幾乎呈線性地增加。當(dāng)UDS增加到UDS＝UGS－UP，即UGD＝UGS－UDS＝UP（夾斷電壓），溝道預(yù)夾斷，漏極附近的耗盡層在A點(diǎn)處合攏，此時(shí)，與完全夾斷不同，iD≠0，但此后，UDS再增加，iD變化不大。結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)UDS對iD的影響。假定UGS不變。9結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)①結(jié)型場效應(yīng)管的柵極與溝道之間的PN結(jié)是反向偏置的，所以，柵極電流iG≈0，輸入電阻很高；②漏極電流受柵－源電壓UGS控制，所以，場效應(yīng)管是電壓控制電流器件；③預(yù)夾斷前，即UDS較小時(shí)，iD與UDS基本呈線性關(guān)系；預(yù)夾斷后，iD趨于飽和。結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)①結(jié)型場效應(yīng)管的柵極與溝道之間的PN10絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET)二、絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET)（一）N溝道增強(qiáng)型MOS管結(jié)構(gòu)四個(gè)電極：漏極D，源極S,柵極G和襯底B。絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET)二、絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS11絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET)（二）工作原理當(dāng)UGS=0V時(shí)，漏源之間相當(dāng)兩個(gè)背靠背的二極管，在d、s之間加上電壓也不會(huì)形成電流，即管子截止。當(dāng)UGS＞0V時(shí)→縱向電場，增加UGS→縱向電場↑→將P區(qū)少子電子聚集到P區(qū)表面→形成導(dǎo)電溝道，如果此時(shí)加有漏源電壓，就可以形成漏極電流ID。絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET)（二）工作原理12絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET)N溝道增強(qiáng)型MOS管的基本特性：UGS＜UT，管子截止；UGS＞UT，管子導(dǎo)通。UGS

越大，溝道越寬，在相同的漏源電壓UDS作用下，漏極電流ID越大。絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET)N溝道增強(qiáng)型MOS管的基本特13場效應(yīng)管的主要參數(shù)三、場效應(yīng)管的主要參數(shù)（1）開啟電壓VT(MOSFET)通常將剛剛形成導(dǎo)電溝道、出現(xiàn)漏極電流ID時(shí)對應(yīng)的柵－源電壓稱為開啟電壓，用VGS(th)或VT。開啟電壓VT是MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)。當(dāng)柵－源電壓VGS小于開啟電壓的絕對值時(shí)，場效應(yīng)管不能導(dǎo)通。場效應(yīng)管的主要參數(shù)三、場效應(yīng)管的主要參數(shù)14場效應(yīng)管的主要參數(shù)（2）夾斷電壓VP(JFET)

當(dāng)VDS

為某一固定值（如10V），使iD

等于某一微小電流（如50mA）時(shí)，柵－源極間加的電壓即為夾斷電壓。當(dāng)VGS＝VP

時(shí)，漏極電流為零。（3）飽和漏極電流IDSS(JFET)

飽和漏極電流IDSS

是在VGS＝0的條件下，場效應(yīng)管發(fā)生預(yù)夾斷時(shí)的漏極電流。IDSS

是結(jié)型場效應(yīng)管所能輸出的最大電流。場效應(yīng)管的主要參數(shù)（2）夾斷電壓VP(JFET)15場效應(yīng)管的主要參數(shù)（4）直流輸入電阻RGS

漏－源短路，柵－源加電壓時(shí)，柵－源極之間的直流電阻。 結(jié)型：RGS

＞107Ω；MOS管：RGS

＞109～1015Ω；（5）跨導(dǎo)gm：漏極電流的微變量與柵－源電壓微變量之比，即gm＝△ID/△VGS。它是衡量場效應(yīng)管柵－源電壓對漏極電流控制能力的一個(gè)參數(shù)。gm相當(dāng)于三極管的hFE。（6）最大漏極功耗PDPD=