晶圓的制備方法有哪幾種？各有什么優(yōu)劣？宜拉法（CZ）,成本低；含氧量高（影響少子壽命）；含少量碳（來源于石英鍋）液體掩蓋直拉法，在直拉法的過程中加入液封，主要針對含As半導(dǎo)體區(qū)熔法，成本高，含氧量低Wafer表面拋光的方法？輸運過程中怎樣防止劃傷？拋光方法：磨片+化學(xué)機械拋光（12寸一般都雙面拋光）Substrate一般都背面處理，也即消除背損傷，通過吸雜技術(shù)，俘獲制造工藝中的可移動金屬寓子污染（MIC）（Na+為最常見的MIC）對于Si基wa能r，一般利用Si的自氧化形成SiO2膜防止劃傷。Wafer表面可能存在的幾種污染物（Surfaceissue）？自身的氧化（nativeoxide）微粒（particle）微觀粗糙（micro-roughness）金屬污染物（metal-contamination）有機污染物（organic-contamination）Si/Ge/GaAs三種半導(dǎo)體各有什么優(yōu)劣？Si熔點高，易氧化成SiO2M（簡化隔離，界面態(tài)相似），天然優(yōu)勢，Si成本低，Ge熔點低，無天然氧化物GaAs器件效應(yīng)快，電子遷移率大；易脆裂；有As具毒MOS器件為什么稱為“功率”器件？為什么（100）wafer+notch多用于功率器件，而（111）多用于雙極型器件，砷化鎵晶體只能沿（100）晶面切割？功率器件中，（100）晶向wafer更有利于電子的遷移運輸；7.測量中的MCV法是什么？汞探針C-V測試儀是利用肖特基勢壘電容的C-V特性來測試重摻襯底上同型Si外延層摻雜濃度即電阻率的測試方法。但MCV法測試需要對wafer表面先進行請冼處理，且容易形成Hg污染。8.電阻測量中的fourprobing(4PP)法是什么？一般情況下的萬用表測量電阻時不能避免接觸電阻，而四探針法，利用外側(cè)兩電流，內(nèi)測兩電壓，有效避免了接觸電阻；另外，四探針法還可以測試薄膜厚度(利用方塊電阻)。9.Substrate為什么必須對電阻進行把控？Substrate本身的電阻會影響到后續(xù)WAT(wa能raccepttesting)肘Rds(on)，其實不僅對于電阻，還有厚度，彎曲等。純substrate本身是不導(dǎo)電的，只有經(jīng)過摻雜，改變半導(dǎo)體形態(tài)，Substrate的摻雜類型有哪些？N+/N/N-：As/PP+/P/P-:BN型半導(dǎo)體中摻As和P有什么區(qū)別？各有什么特點？不同的摻雜元素有不同的原子質(zhì)量，在摻雜時所需的條件不同，后期激活也需不同激活條件，另外，As有毒，且兩的成本不同。14.Substrate上為什么需要一層EPI?而不是直接從substrate開始。EPI類似做了一個可控制的電阻，起分壓作用的。EPI的厚度有什么影響？EPIthicknessT,BVT,Rds(on)T;EPIresistivityT,BVI,Rds(on)I,VtfBV/Vt分別指什么？BV指breakdownvoltage，Vt指閾值電壓Rds(on)是什么？Rds(on)指器件中所有電阻的總和，如Rsubstrate，Repi Rds(on)=R$(cont)+R(N+region)+Rh(channel)+R(accumulationlayer)+RJFET(parasiticJFET)+Rdf(EPI)+R/substrate)EPI相對于substrate輕摻雜有什么作用？從EPI作用出發(fā)，相當(dāng)于要做一個分壓器，一個串聯(lián)電阻，且通過摻雜濃度來改變電阻大小、，也即能承受電壓的大小。常用CVD有哪些？各有什么應(yīng)用？CVD/應(yīng)用常壓CVDAPCVD偏壓CVDLPCVD等離子增強CVDPECVD高密度等離子CVDHDPCVD?低溫氧化物?無摻雜硅玻璃?摻雜氧化物-屋間介質(zhì)中?阻擋層與刻蝕終止屋?薄膜間墊層應(yīng)力釋放?高溫淀積-氧化物?金屬上的絕緣體?氮化物鈍化?低k介質(zhì)?PMOS柵電極鈍化?成槽隔離填充?高深寬比縫隙填充?金屬前介質(zhì)?金屬間介質(zhì)

-平坦化中-SiN?源/漏終止注入-縫隙填充