1技能訓(xùn)練1.2電容基本特性的測(cè)試訓(xùn)練目標(biāo)（1）了解電容的基本特性、結(jié)構(gòu)與符號(hào)等。（2）了解電容的分類(lèi)及主要參數(shù)。訓(xùn)練內(nèi)容（1）電容的分類(lèi)、測(cè)試與結(jié)果記錄。（2）電容的基本特性與選用。訓(xùn)練工具、儀表、器材（1）儀表：萬(wàn)用表。（2）器材：電容。21．電容基礎(chǔ)電容器通常稱(chēng)為電容，是組成電路的基本元件之一，是一種儲(chǔ)能元件，在電路中有隔直、旁路和耦合等作用，用符號(hào)C表示。電容按是否有極性，可分為有極性電容和無(wú)極性電容兩類(lèi)；按其介質(zhì)材料不同，可分為空氣介質(zhì)電容、固體介質(zhì)（云母、紙介、陶瓷、滌綸、聚苯乙烯等）電容、電解電容；按容量是否可調(diào)節(jié)，可分為固定式電容和可變式電容兩大類(lèi)。可變式電容有可變電容和半可變電容（包括微調(diào)電容）兩類(lèi)。

（a）滌綸電容（d）瓷片電容（b）密封可變電容（c）微調(diào)可變電容（e）電解電容（f）貼片電容圖形符號(hào)32．電容型號(hào)命名方法電容的型號(hào)由四部分組成，第一部分：主稱(chēng)，用C表示，說(shuō)明是電容；第二部分；材料，用字母表示；第三部分：分類(lèi)，用數(shù)字表示，個(gè)別也用字母表示；第四部分：序號(hào)，用字母表示。例如，CCW1型圓形微調(diào)瓷介電容的命名如下：4材

料分

類(lèi)字母意義字母意義數(shù)字意義字母意義瓷介云母有機(jī)介質(zhì)電解C高頻瓷Q漆膜1圓形非密封非密封箔式G高功率T低頻瓷H復(fù)合2管形非密封非密封箔式W微調(diào)I玻璃釉D鋁電解質(zhì)說(shuō)明：新型產(chǎn)品的分類(lèi)根據(jù)發(fā)展情況予以補(bǔ)充O玻璃膜A鉭電解質(zhì)3疊片密封密封燒結(jié)粉液體Y云母N鈮電解質(zhì)V云母紙G合金電解質(zhì)4獨(dú)石密封密封燒結(jié)粉固體Z紙介L(zhǎng)聚酯膜J金屬化紙5穿心

穿心

B聚苯乙烯等有機(jī)膜LS聚碳酸脂有機(jī)薄膜6支柱

7

無(wú)極性BF聚四氟乙烯有機(jī)膜E其他材料電解質(zhì)8高壓高壓高壓

9

2．電容型號(hào)命名方法電容型號(hào)各組成部分所用字母或數(shù)字的意義53．電容的主要參數(shù)（1）電容的標(biāo)稱(chēng)容量標(biāo)在電容外殼上的電容量數(shù)值稱(chēng)為電容的標(biāo)稱(chēng)容量。它應(yīng)符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《電阻器和電容器優(yōu)先數(shù)系》（GB/T2471—1995）的規(guī)定。系

列允

許

偏

差標(biāo)

稱(chēng)

容

量E24±5%1.0、1.1、1.2、1.3、1.5、1.6、1.8、2.0、2.2、2.4、2.7、3.0、3.3、3.6、3.9、4.3、4.7、5.1、5.6、6.2、6.8、7.5、8.2、9.1E12±10%1.0、1.2、1.5、1.8、2.2、2.7、3.3、3.9、4.7、5.6、6.8、8.2E6±20%1.0、1.5、2.2、2.3、4.7、6.8部分系列電容的標(biāo)稱(chēng)容量及允許偏差容量的單位法拉用字母F表示，有關(guān)的電容量單位符號(hào)、換算關(guān)系及名稱(chēng)為：毫法用mF表示，1

mF=10-3

F；微法用μF表示，1

μF=10-6

F；納法用nF表示，1

nF=10-9

F；皮法用pF表示，1

pF=10-12

F。6（2）額定工作電壓額定工作電壓是指電容在電路中長(zhǎng)期可靠地工作所允許加的最高直流電壓。如果電容工作在交流電路中，則交流電壓的峰值不得超過(guò)額定工作電壓。國(guó)家對(duì)電容的額定工作電壓系列進(jìn)行了規(guī)定，從幾伏到幾萬(wàn)伏，具體規(guī)格：1.6

V、4

V、6.3

V、10

V、25

V、32

V、40

V、50

V、63

V、100

V、125

V、160

V、250

V、300

V、400

V、450

V、500

V、630

V、1

000

V、160

V、2

000

V、2

500

V、3

000

V、4

000

V、5

000

V、8

000

V、10

000

V、15

000

V、20

000

V、25

000

V、30

000

V、35

000

V、40

000

V、45

000

V、50

000

V、60

000

V、80

000

V、100

000

V。（3）絕緣電阻絕緣電阻是指電容兩極之間的電阻值，也稱(chēng)為漏電阻，表明電容漏電的大小。絕緣電阻的大小取決于電容的介質(zhì)性能。（4）購(gòu)買(mǎi)電容購(gòu)買(mǎi)電容時(shí)，主要考慮電容的類(lèi)別（如電解、瓷片、滌綸等）、容量和額定工作電壓。3．電容的主要參數(shù)74．電容主要參數(shù)的標(biāo)注方法（1）色標(biāo)法色標(biāo)法是指用不同的色點(diǎn)或色帶在電容外殼上標(biāo)出電容量及允許偏差的標(biāo)注方法。顏色的含義原則上與電阻的色標(biāo)法相同，單位為pF。例如，某電容的色帶顏色依次為紅紅黑金則表示其電容量為（220±5%）pF。（2）直標(biāo)法直標(biāo)法是利用數(shù)字和文字符號(hào)在產(chǎn)品上直接標(biāo)出電容的標(biāo)稱(chēng)容量及允許偏差、額定工作電壓和制造日期等的標(biāo)注方法，有的電容由于體積小，習(xí)慣上省略其單位，但應(yīng)遵循如下規(guī)則：凡不帶小數(shù)點(diǎn)的整數(shù)，若無(wú)單位，則表示pF，如3

300表示3

300

pF。凡帶小數(shù)點(diǎn)的數(shù)值，若無(wú)單位，則表示μF，如0.47表示0.47

μF。許多小型固定電容，如瓷介電容等，其額定工作電壓均在100

V以上，由于體積小可以不標(biāo)注額定工作電壓。84．電容主要參數(shù)的標(biāo)注方法（3）文字符號(hào)法文字符號(hào)法是指用字母和數(shù)字有規(guī)律的組合起來(lái)將參數(shù)和技術(shù)性能標(biāo)注在電容上的方法。標(biāo)

稱(chēng)

容

量文

字

符

號(hào)標(biāo)

稱(chēng)

容

量文

字

符

號(hào)標(biāo)

稱(chēng)

容

量文

字

符

號(hào)0.1

pFp110

pF10p0.47

μF470n1

pF1p3

300

pF3n34.7

μF4μ74.7

pF4p747

000

pF47n4

700

μF4m7電容文字符號(hào)及其標(biāo)稱(chēng)容量（4）三位數(shù)碼表示法三位數(shù)碼表示法用三位數(shù)字表示電容量大小的方法，單位為pF。前兩位表示有效數(shù)字，后一位表示乘數(shù)。但第三位為9時(shí)表示有效數(shù)字乘以0.1。例如，102表示1

000

pF；101表示100

pF；479表示4.7

pF。（5）電容量在電路圖中的標(biāo)注電容量在電路圖中有3種標(biāo)注方法：①不帶小數(shù)點(diǎn)，也不帶單位的電容量，其單位為pF，如100表示電容量為100pF。②帶小數(shù)點(diǎn)，不帶單位的電容量，其單位為μF，如0.01表示電容量為0.01μF。③不帶小數(shù)點(diǎn)，但帶有單位的電容量，其單位為μF，如100

μF/50V表示電容量為100

μF，額定工作電壓為50

V。95．電容使用注意事項(xiàng)①電容外形應(yīng)完整，引線不應(yīng)松動(dòng)。②電解電容的極性不能接反，否則會(huì)引起爆炸。引腳長(zhǎng)的是正極，或者看外殼上標(biāo)有“-”號(hào)的引腳是負(fù)極，但有的電解電容無(wú)正、負(fù)極。③電容的額定工作電壓是指正向額定工作電壓，使用時(shí)應(yīng)符合要求。④溫度對(duì)電解電容的漏電流、電容量及壽命都有影響，一般的電解電容只能在50

℃以下的環(huán)境中使用。⑤用于脈沖電路中的電容，應(yīng)選用頻率特性和耐穩(wěn)性能較好的電容，一般為滌綸、云母、聚苯乙烯等電容。⑥可變電容的動(dòng)片應(yīng)接地，這樣調(diào)節(jié)時(shí)不會(huì)干擾電路。⑦可變電容長(zhǎng)時(shí)間使用后，動(dòng)片與定片之間會(huì)有灰塵，應(yīng)定期清潔處理。⑧滌綸電容的電容量相對(duì)穩(wěn)定，但不能用于高頻場(chǎng)景；而瓷片電容可以用于高頻場(chǎng)景。106．電容測(cè)試步驟（1）檢測(cè)10

pF以下的電容因10

pF以下電容的電容量太小，用萬(wàn)用表進(jìn)行測(cè)量只能定性地檢查其是否有漏電、內(nèi)部短路或擊穿現(xiàn)象。測(cè)量時(shí)，可選用萬(wàn)用表的“R×10

k”擋，用兩表筆分別接電容的兩個(gè)引腳，阻值應(yīng)為無(wú)窮大。若測(cè)出電阻值（指針向右擺動(dòng)）或電阻值為零，則說(shuō)明電容漏電或內(nèi)部擊穿。（2）檢測(cè)10

pF～0.01

μF的電容方法與檢測(cè)10

pF以下的電容相同，其區(qū)別是萬(wàn)用表測(cè)得的電容兩端的電阻值很大，大于20

MΩ，但不是無(wú)窮大。對(duì)于小容量電容最好使用電容表進(jìn)行測(cè)量。目前好一點(diǎn)的萬(wàn)用表有電容擋，可以通過(guò)電容擋進(jìn)行測(cè)量。普通磁片電容的允許偏差比較大，測(cè)得的數(shù)值有偏差也正常。116．電容測(cè)試步驟（3）檢測(cè)0.01

μF以上的電容先用兩表筆任意觸碰電容的兩引腳，然后調(diào)換表筆再觸碰一次，如果電容完好，萬(wàn)用表指針會(huì)向右擺動(dòng)一下，隨即向左迅速返回?zé)o窮大位置。電容量越大，指針擺動(dòng)的幅度越大。如果反復(fù)調(diào)換表筆觸碰電容的兩引腳，萬(wàn)用表指針始終不向右擺動(dòng)，說(shuō)明該電容的電容量已低于0.01μF或者該電容已經(jīng)失效。在測(cè)量過(guò)程中，若指針向右擺動(dòng)后不能再向左回到無(wú)窮大位置，說(shuō)明電容漏電或已經(jīng)擊穿短路。用500型萬(wàn)用表的“R×10

k”擋實(shí)測(cè)0.01～1

μF電容的電容量，其指針向右擺動(dòng)位置對(duì)應(yīng)的電阻值如下表所示。電容量（μF）0.010.0220.0470.0680.10.220.330.471萬(wàn)用表指針向右擺動(dòng)位置對(duì)應(yīng)的電阻值20

MΩ10

MΩ4.5

MΩ4

MΩ3

MΩ1.4

MΩ850

kΩ400

kΩ45

kΩ實(shí)測(cè)電容量與萬(wàn)用表指針向右擺動(dòng)位置對(duì)應(yīng)的電阻值126．電容測(cè)試步驟（4）電解電容的檢測(cè)①需正確選擇萬(wàn)用表的電阻擋，因電解電容的電容量較大，所以在測(cè)量時(shí)，應(yīng)根據(jù)不同的電容量選用合適的量程。一般情況下，1～47

μF的電容，可用萬(wàn)用表的“R×1

k”擋測(cè)量，大于47

μF的電容可用萬(wàn)用表的“R×100”擋測(cè)量。②將萬(wàn)用表紅表筆接負(fù)極，黑表筆接正極，在剛接觸的瞬間，萬(wàn)用表指針立即向右偏轉(zhuǎn)較大幅度，接著逐漸向左回轉(zhuǎn)，直到停在某一位置。此時(shí)的電阻值便是電解電容的正向漏電阻。此值越大，說(shuō)明漏電流越小，電容性能越好。然后將紅、黑表筆對(duì)調(diào)，萬(wàn)用表指針將重復(fù)上述擺動(dòng)現(xiàn)象，但此時(shí)所測(cè)得的電阻值為電解電容的反向漏電阻，此