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文檔簡介

論文題目：Ce摻雜對PCrNi-4壓電陶瓷性能的影響班級：XXXXXXXX學生：XXXXXXXX指導教師：XXXXX本科畢業(yè)生論文答辯內容提要1、研究背景及意義PZT壓電陶瓷具有優(yōu)異的壓電、介電和光電等電學性能，廣泛地應用于電子、航天等高技術領域，用于制備傳感器、換能器、存儲器等電子元器件。因應用的場所和作用不同，對壓電陶瓷材料性能有著不同的要求。

發(fā)射型材料:“硬性”壓電陶瓷材料，其d大，g則不一定大；

接收型材料:“軟性”材料，其g大，d則不一定大；收發(fā)兼用材料：其d與g的乘積要大；

眾所周知，在大功率器件的應用中會產(chǎn)生眾多問題：例如，諧振頻率的漂移；發(fā)熱帶來的機電耦合系數(shù)的減小和熱穩(wěn)定性變差等。其中的熱量產(chǎn)生會帶來升溫，當溫度上升到一定值時，將使材料去極化，使材料的壓電介電體系完全失去功效。所以大功率壓電材料具有的損耗要小，承受的功率密度大，對穩(wěn)定性的要求也比較高。收發(fā)兼?zhèn)鋲弘娞沾赡軌驅崿F(xiàn)機械能和電能之間的相互轉化，且具有發(fā)射、接收信號于一體的特有屬性，成為當前的一大研究熱點；在眾多的應用領域中，功率型壓電陶瓷的應用需求越來越大，傳統(tǒng)收發(fā)兼?zhèn)渑浞缴a(chǎn)的壓電陶瓷已不能滿足大功率應用的要求。因此制備具有大功率收發(fā)兼?zhèn)涞膲弘娞沾删哂袕V闊的應用前景。壓電陶瓷主要性能參數(shù)機電耦合系數(shù)kp機械品質因數(shù)Qm介電常數(shù)及介電損耗壓電陶瓷性能壓電應變常數(shù)d332、實驗工藝2.1CeO2摻雜對壓電陶瓷相組成的影響2θ在10~70°區(qū)間的x射線衍射圖2θ在40~50

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