第七章薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)第一節(jié)薄膜結(jié)構(gòu)薄膜結(jié)構(gòu)因研究對(duì)象不一樣分三種類型：(1)組織結(jié)構(gòu)(2)晶體結(jié)構(gòu)(3)表面結(jié)構(gòu)1/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)一、薄膜組織結(jié)構(gòu)：(1)無定形結(jié)構(gòu)薄膜組織結(jié)構(gòu)是指它結(jié)晶形態(tài)其結(jié)構(gòu)分為四種類型：(2)多晶結(jié)構(gòu)(3)纖維結(jié)構(gòu)(4)單晶結(jié)構(gòu)2/701.無定形結(jié)構(gòu)無定形結(jié)構(gòu)(也稱為非晶結(jié)構(gòu)或玻璃態(tài)結(jié)構(gòu))其內(nèi)部原子排列是無序，更嚴(yán)格地說，是不存在長程周期排列(在微觀尺度上可能存在有序原子團(tuán))薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)3/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)相對(duì)于塊體材料來講，比較輕易制備非晶態(tài)薄膜這是因?yàn)楸∧ぶ苽浞椒ū容^輕易實(shí)現(xiàn)形成非晶態(tài)結(jié)構(gòu)外部條件，即較高過冷度和低原子擴(kuò)散能力4/70形成無定形薄膜工藝條件是降低吸附原子表面擴(kuò)散速率硫化物和鹵化物薄膜在基體溫度低于77K時(shí)可形成無定形薄膜降低表面擴(kuò)散速率方法：薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)降低基體溫度、引入反應(yīng)氣體和摻雜有些氧化物薄膜(如TiO2、ZrO2、Al2O3等)，基體溫度在室溫時(shí)有形成無定形薄膜傾向?yàn)R射沉積W、Mo、Hf、Zr、Re膜時(shí)，加入原子百分比為1%N2，所得膜是非晶態(tài)5/70在10-2～10-3Pa氧分壓中蒸發(fā)鋁、鎵、銦和錫等超導(dǎo)薄膜，因?yàn)檠趸瘜幼钃趿司ЯＩL而形成無定形薄膜在83%ZrO2-17SiO2和67%ZrO2-33%MgO摻雜薄膜中，因?yàn)閮煞N沉積原子尺寸不一樣也可形成無定形薄膜；薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)6/702.多晶結(jié)構(gòu)薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)多晶結(jié)構(gòu)薄膜是由若干尺寸大小不等晶粒所組成7/70用真空蒸發(fā)或陰極濺射法制備薄膜，都是經(jīng)過島狀結(jié)構(gòu)生長起來，必定產(chǎn)生許多晶粒間界形成多晶結(jié)構(gòu)在多晶薄膜中，經(jīng)常出現(xiàn)一些塊狀材料未曾發(fā)覺介穩(wěn)相結(jié)構(gòu)在薄膜形成過程中生成小島就含有晶體特征(原子有規(guī)則排列)思索：由眾多小島聚結(jié)形成薄膜是單晶還是多晶薄膜？薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)8/70討論：晶界或晶粒間界所表現(xiàn)出兩個(gè)特征：多晶薄膜中不一樣晶粒間交界面稱為晶界或晶粒間界(1)因?yàn)榫Ы缰芯Ц窕冚^大，所以晶界上原子平均能量高于晶粒中內(nèi)部原子平均能量，它們差值稱為晶界能。高晶界能量表明它有自發(fā)地向低能態(tài)轉(zhuǎn)化趨勢(shì)。晶粒長大和平直化都能降低界面面積，從而降低晶界能量。所以只要原子有足夠動(dòng)能，在它遷移時(shí)就出現(xiàn)晶粒長大和晶界平直化結(jié)果薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)9/70多晶薄膜中晶界(晶粒間界)處原子擴(kuò)散問題是薄膜物理研究一個(gè)主要內(nèi)容(2)因?yàn)榫Ы缰性优帕胁灰?guī)則，其中有較多空位。當(dāng)晶粒中有微量雜質(zhì)時(shí)，因它要填入晶界中空位，使系統(tǒng)自由能增加要比它進(jìn)入晶粒內(nèi)部低。所以微量雜質(zhì)原子經(jīng)常富集在晶界處，雜質(zhì)原子沿晶界擴(kuò)散比穿過晶粒要輕易得多薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)10/703.纖維結(jié)構(gòu)纖維結(jié)構(gòu)薄膜是晶粒含有擇優(yōu)取向薄膜。依據(jù)取向方向、數(shù)量不一樣又可分為單重纖維結(jié)構(gòu)和雙重纖維結(jié)構(gòu)單重纖維結(jié)構(gòu)是各晶粒只在一個(gè)方向上擇優(yōu)取向，有時(shí)也稱為一維取向薄膜雙重纖維結(jié)構(gòu)是各晶粒在兩個(gè)方向擇優(yōu)取向，二維取向薄膜類似于單晶，它含有類似單晶性質(zhì)薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)11/70在薄膜中晶粒擇優(yōu)取向可發(fā)生在薄膜生長各個(gè)階段：在非晶態(tài)基體上，大多數(shù)多晶薄膜都傾向于顯示擇優(yōu)取向初始成核階段、小島聚結(jié)階段和最終階段若吸附原子在基體表面上有較高擴(kuò)散速率，晶粒擇優(yōu)取向可發(fā)生在薄膜形成早期階段在起始層中原子排列取決于基體表面、基體溫度、晶體結(jié)構(gòu)、原子半徑和薄膜材料熔點(diǎn)若吸附原子在基體表面上擴(kuò)散速率較小，初始膜層不會(huì)出現(xiàn)擇優(yōu)取向薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)12/703.單晶結(jié)構(gòu)單晶結(jié)構(gòu)薄膜通常是用外延工藝制備外延生長三個(gè)基本條件：(1)吸附原子含有較高擴(kuò)散速率，所以基體溫度和沉積速率就相當(dāng)主要(2)基體與薄膜材料結(jié)晶相容性。假設(shè)基體晶格常數(shù)為a，薄膜晶格常數(shù)為b。晶格失配數(shù)m=(b-a)/a。m值越小，外延生長越輕易實(shí)現(xiàn)(3)要求基體表面清潔、光滑和化學(xué)穩(wěn)定性好薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)13/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)14/70二、薄膜晶體結(jié)構(gòu)薄膜晶格常數(shù)經(jīng)常和塊狀晶體不一樣薄膜晶體結(jié)構(gòu)是指薄膜中各晶粒晶型情況在大多數(shù)情況下，薄膜中晶粒晶格結(jié)構(gòu)與塊狀晶體是相同，只是晶粒取向和晶粒尺寸與塊狀晶體不一樣產(chǎn)生晶格常數(shù)不一樣兩個(gè)原因：(1)薄膜材料本身晶格常數(shù)與基體材料晶格常數(shù)不匹配(2)薄膜中有較大內(nèi)應(yīng)力和表面張力薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)15/70因?yàn)榫Ц癯?shù)不匹配，在薄膜與基體界面處晶粒晶格發(fā)生畸變形成一個(gè)新晶格，方便和基體匹配晶格常數(shù)相差百分比等于2%時(shí)，薄膜與基體界面處晶格畸變層厚度為幾個(gè)埃；當(dāng)相差百分比等于4%時(shí)，薄膜與基體界面處晶格畸變層厚度為幾百埃；當(dāng)相差百分比大于12%時(shí)，晶格畸變到達(dá)完全不匹配程度薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)16/70假設(shè)基體表面上有一個(gè)半球形晶粒其半徑為r，單位面積表面張力為σ晶粒產(chǎn)生壓力為受力面積為薄膜表面張力使薄膜晶格常數(shù)改變情況可用理論計(jì)算說明薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)17/70EV：薄膜彈性系數(shù)

a：晶格常數(shù)壓力強(qiáng)度為：依據(jù)虎克定律有：薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)18/70晶格常數(shù)改變比為晶格常數(shù)改變比(應(yīng)變)與晶粒半徑成反比，晶粒越小晶格常數(shù)改變比越大薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)19/70三、表面結(jié)構(gòu)薄膜為了使它總能量到達(dá)最低值，應(yīng)該有最小表面積，即應(yīng)該成為理想平面狀態(tài)實(shí)際上這種膜是無法得到薄膜在沉積形成成長過程中，入射到基體表面上氣相原子是無規(guī)律，所以薄膜表面含有一定粗糙度薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)20/70因?yàn)槲皆颖砻鏀U(kuò)散，使薄膜表面上谷被填平，峰被削平，造成薄膜表面積不?？s小，表面能逐步降低基體溫度較高情況下，因?yàn)槲皆釉诒砻嫔蠑U(kuò)散，使得一些低能晶面得到發(fā)展。但在表面原子擴(kuò)散作用下，生長最快晶面能消耗那些生長較慢晶面，造成薄膜粗糙度深入增大薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)21/70在基體溫度較低情況下，吸附原子在表面上橫向運(yùn)動(dòng)能量較小，薄膜表面面積隨膜層厚度成線性增大。所得表面面積較大，形成多孔結(jié)構(gòu)薄膜，這種微孔內(nèi)表面積很大，而且可延續(xù)到最低層，形成柱狀體結(jié)構(gòu)假如沉積薄膜真空度較低，形成薄膜也是多孔性薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)22/70大多數(shù)蒸發(fā)薄膜有以下特點(diǎn)：(1)展現(xiàn)柱狀顆粒和空位組合結(jié)構(gòu)(2)柱狀體幾乎垂直于基體表面生長，而且上下兩端尺寸基本相同(3)平行于基體表面層與層之間有顯著界面。上層柱狀體與下層柱狀體并不完全連續(xù)生長薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)全部真空蒸發(fā)薄膜都呈柱狀體結(jié)構(gòu)23/70原子沉積過程可分為三個(gè)過程：因?yàn)榘l(fā)生上述過程均受到對(duì)應(yīng)過程激活能控制，所以薄膜結(jié)構(gòu)形成與基體溫度Ts和蒸發(fā)材料熔點(diǎn)溫度Tm比值Ts／Tm親密相關(guān)(1)氣相原子沉積(2)表面擴(kuò)散(3)薄膜內(nèi)擴(kuò)散薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)24/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)當(dāng)Ts／Tm小于0.45時(shí)，薄膜就呈柱狀結(jié)構(gòu)大多數(shù)薄膜都是在區(qū)域1基體溫度下沉積，其柱狀體直徑為幾百個(gè)?，柱狀體之間有顯著界面25/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)26/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)濺射方法制備薄膜組織可依沉積條件不一樣而展現(xiàn)四種不同組織形態(tài)試驗(yàn)結(jié)果表明，除了襯底溫度原因以外，濺射氣壓對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)也有著顯著影響。這是因?yàn)?，濺射氣壓越高，入射到襯底上粒子受到氣體分子碰撞越頻繁，粒子能量越低27/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)在溫度很低、氣體壓力較高條件下，入射粒子能量很低。這種情況下形成薄膜含有形態(tài)1型微觀組織沉積組織展現(xiàn)一個(gè)數(shù)十納米細(xì)纖維狀組織形態(tài)，纖維內(nèi)部缺點(diǎn)密度很高或者就是非晶態(tài)結(jié)構(gòu)；纖維間結(jié)構(gòu)顯著疏松，存在許多納米尺度孔洞。此種膜強(qiáng)度很低因?yàn)闇囟鹊?，原子表面擴(kuò)散能力有限，沉積到襯底表面原子即已失去了擴(kuò)散能力。同時(shí)，薄膜形成所需臨界關(guān)鍵尺寸很小，因而在薄膜表面上，沉積粒子會(huì)不停形成新關(guān)鍵28/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)形態(tài)T型組織是介于形態(tài)1和形態(tài)2過渡型組織。此時(shí)沉積溫度依然很低，沉積過程中臨界關(guān)鍵尺寸依然很小形態(tài)1組織向形態(tài)T組織轉(zhuǎn)變溫度與濺射時(shí)氣壓相關(guān)。濺射氣壓越低，即入射粒子能量越高，則發(fā)生轉(zhuǎn)變溫度越向低溫方向移動(dòng)上述結(jié)果表明，入射粒子能量提升有抑制形態(tài)1組織出現(xiàn)，促進(jìn)形態(tài)T組織出現(xiàn)作用。產(chǎn)生這種現(xiàn)象原因在于濺射粒子能量提升改進(jìn)了薄膜表面原子擴(kuò)散能量，使纖維邊界處組織出現(xiàn)了顯著致密化傾向29/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)Ts／Tm＝0.3~0.5溫度區(qū)間形態(tài)2型組織是原子表面擴(kuò)散進(jìn)行得較為充分時(shí)形成薄膜組織。此時(shí)，原子在薄膜內(nèi)部體擴(kuò)散即使不充分，但原子表面擴(kuò)散能力已經(jīng)提升，已經(jīng)能夠進(jìn)行相當(dāng)距離擴(kuò)散在這種情況下，形成組織為各個(gè)晶粒分別外延而形成均勻柱狀晶組織，柱狀晶直徑隨沉積溫度增加而增加。晶粒內(nèi)部缺點(diǎn)密度較低，晶粒邊界致密性很好，這使得薄膜含有較高強(qiáng)度30/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)襯底溫度繼續(xù)升高(Ts／Tm>0.5)使得原子體擴(kuò)散發(fā)揮重要作用。此時(shí)，在沉積進(jìn)行同時(shí)，薄膜內(nèi)將發(fā)生再結(jié)晶過程，晶粒開始長大，直至超出薄膜厚度。薄膜組織變?yōu)榻?jīng)過充分再結(jié)晶粗大等軸晶組織，晶粒內(nèi)部缺點(diǎn)很低，如圖中顯示形態(tài)3型薄膜組織在形態(tài)2和形態(tài)3型組織情況下，襯底溫度已經(jīng)較高，因而濺射氣壓或入射粒子能量對(duì)薄膜組織影響變得比較小了蒸發(fā)法制備薄膜與濺射法制備薄膜組織相同，也可被相應(yīng)地劃分上述四種不一樣組織形態(tài)。但因?yàn)樵谡舭l(fā)法時(shí)，入射粒子能量很低，普通認(rèn)為其不易形成形態(tài)T型薄膜組織31/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)Ts／Tm＜

0.15時(shí)，薄膜組織為晶帶1型細(xì)等軸晶，晶粒尺寸只有5～20nm，組織中孔洞較多，組織較為疏松0.15＜

Ts／Tm＜0.3

時(shí)，薄膜組織為晶帶T型，其特點(diǎn)是在細(xì)晶粒包圍下出現(xiàn)了部分直徑約為50nm尺寸稍大晶粒Ts／Tm

＝

0.3～0.5時(shí)，晶帶2型組織開始出現(xiàn)0.5＜

Ts／Tm以后，薄膜組織變?yōu)榫?型粗大等軸晶組織32/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)第二節(jié)薄膜缺點(diǎn)薄膜體內(nèi)晶體缺點(diǎn)和普通晶體缺點(diǎn)相同薄膜表面和界面會(huì)出現(xiàn)和體缺點(diǎn)不一樣缺點(diǎn)(如表面點(diǎn)缺點(diǎn))晶體缺點(diǎn)是指實(shí)際晶體中與理想點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)發(fā)生偏差區(qū)域33/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)晶體缺點(diǎn)類型：(1)點(diǎn)缺點(diǎn)：它在三維空間各方向上尺寸都很小，也稱為零維缺點(diǎn)如空位、間隙原子和異類原子等(2)線缺點(diǎn)：在兩個(gè)方向上尺寸很小，也稱為一維缺點(diǎn)，主要是位錯(cuò)

(3)面缺點(diǎn)：它空間一個(gè)方向尺寸很小，另外兩個(gè)方向上尺寸較大缺點(diǎn)，如晶界、相界和表面等34/70一、點(diǎn)缺點(diǎn)1.點(diǎn)缺點(diǎn)類型(a)肖特基(Schottky)缺點(diǎn)(b)弗侖克爾(Frenkel)缺點(diǎn)(c)雜質(zhì)缺點(diǎn)薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)35/702.薄膜中點(diǎn)缺點(diǎn)當(dāng)沉積速率很高、基板溫度較低時(shí)，就可能在薄膜中產(chǎn)生高濃度空位缺點(diǎn)薄膜中存在原子空位效果主要表現(xiàn)在晶體體積和密度上。一個(gè)空位可使晶體體積大約減小二分之一原子體積薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)薄膜中空位濃度在平衡濃度以上，所以它密度比塊狀小，而且空位濃度伴隨時(shí)間增加而減小36/70在薄膜中點(diǎn)缺點(diǎn)約占百分之幾個(gè)原子。在點(diǎn)缺點(diǎn)中數(shù)量最多是原子空位薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)在真空蒸發(fā)過程中溫度急劇改變會(huì)在薄膜中產(chǎn)生很多點(diǎn)缺陷薄膜點(diǎn)缺點(diǎn)對(duì)電阻率產(chǎn)生較大影響37/70二、線缺點(diǎn)(位錯(cuò))晶體中位錯(cuò)類型有刃型位錯(cuò)、螺型位錯(cuò)和混合位錯(cuò)1.

線缺點(diǎn)(位錯(cuò))類型薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)38/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)39/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)40/70位錯(cuò)是薄膜中最普遍存在缺點(diǎn)，其密度約為1012～1013/cm2位錯(cuò)在塊狀優(yōu)質(zhì)晶體中，其密度約為104～106/cm2位錯(cuò)在發(fā)生強(qiáng)烈塑性形變晶體中，其密度約為1010～1012/cm2在薄膜中引發(fā)位錯(cuò)原因：薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)(1)基體引發(fā)位錯(cuò)假如薄膜和基體之間有晶格失配位錯(cuò)，則在生長單層擬似性結(jié)構(gòu)時(shí)就會(huì)有位錯(cuò)產(chǎn)生。假如在基體上有位錯(cuò)，那么在基體上形成薄膜就會(huì)因基體位錯(cuò)而引發(fā)位錯(cuò)41/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)(2)小島聚結(jié)薄膜中產(chǎn)生位錯(cuò)主要原因都來自小島長大和聚結(jié)。在多數(shù)小島中其結(jié)晶方向都是任意。尤其是兩個(gè)晶體方向稍有不一樣兩個(gè)小島相互聚結(jié)成長時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生以位錯(cuò)形式小傾斜角晶粒晶界42/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)43/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)44/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)45/70三、面缺點(diǎn)面缺點(diǎn)有晶界、相界、表面、堆積層錯(cuò)等薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)46/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)47/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)1.

晶粒間界薄膜中含有許多小晶粒，與塊狀材料相比，薄膜晶粒間界面積較大思索：為何薄膜材料電阻率比塊體材料電阻率大？48/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)晶粒尺寸隨沉積速率改變關(guān)系不像上述原因那么顯著當(dāng)退熾熱處理在退火溫度下沉積薄膜時(shí)，晶粒增大效果則不顯著在高于沉積溫度下進(jìn)行退熾熱處理能夠改變晶粒尺寸。退火溫度越高，晶粒尺寸越大。熱處理較厚膜這種效果越顯著真空蒸發(fā)鍍膜中存在另一個(gè)主要面缺點(diǎn)是層錯(cuò)缺點(diǎn)49/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)第三節(jié)薄膜其它問題1.

成份偏析50/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)Si基片上蒸發(fā)鍍膜400?Ti膜，然后再沉積厚度為100～200?Mo膜。Mo膜只沉積到Ti膜一部分，另一部分是裸露Ti膜，最終將樣品在N2(或He)+H2(8～

10%)中590℃退火30分鐘51/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)52/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)密度是物理結(jié)構(gòu)主要參量，通常它是用測(cè)量每單位面積和對(duì)應(yīng)厚度質(zhì)量確定2.

薄膜密度若薄膜是不連續(xù)或多空洞疏松，則其密度低于塊體值普通情況下，薄膜厚度越小，其密度也越小；當(dāng)厚度越來越大時(shí)，其密度值逐步靠近塊體值53/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)54/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)薄膜在制成后會(huì)十分遲緩改變，改變起因在于薄膜制備過程急速冷卻而包含各種各樣缺點(diǎn)、變形等等3.

薄膜經(jīng)時(shí)改變使用薄膜時(shí)，普通要求經(jīng)時(shí)改變?cè)叫≡胶靡芯勘∧じ鞣N制備條件膜越薄，經(jīng)時(shí)改變?cè)酱?5/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)從圖中能得出什么結(jié)論？對(duì)我們有何啟發(fā)？在薄膜制備以后假如在高溫下放置數(shù)小時(shí)(取決于膜和基體材料)，往往會(huì)使以后改變比較小，這種處理稱為老化56/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)非晶態(tài)薄膜是處于一個(gè)熱力學(xué)非平衡狀態(tài)，或某種亞穩(wěn)態(tài)，這種體系含有較高能量，在退火處理或其它作用影響下，這種體系將釋放能量而向晶態(tài)轉(zhuǎn)化4.

晶態(tài)與非晶態(tài)轉(zhuǎn)化在外界作用下，比如加熱或離子轟擊，將使晶態(tài)薄膜轉(zhuǎn)化為非晶態(tài)薄膜57/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)4.

1晶態(tài)向非晶態(tài)轉(zhuǎn)化在用高能離子注入進(jìn)行表層處理或材料摻雜過程中，有時(shí)會(huì)發(fā)生晶態(tài)向非晶態(tài)轉(zhuǎn)化現(xiàn)象出現(xiàn)上述轉(zhuǎn)化現(xiàn)象原因在于含有較高能量粒子注入薄膜中，使晶體原子之間價(jià)鍵遭到破壞，原子排列受到擾動(dòng)，結(jié)果形成了原子排列無序狀態(tài)58/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)通常，無定形化程度，或無定形范圍延展，是劑量或成分函數(shù)59/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)4.

2非晶態(tài)向晶態(tài)轉(zhuǎn)化沉積無定形薄膜，在一定溫度下退火，或用一定能量激光退火，可能使其向晶態(tài)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變，成為多晶薄膜，甚至是準(zhǔn)單晶薄膜60/70薄膜結(jié)構(gòu)與缺點(diǎn)5.非晶薄