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太陽能單晶硅片制備技術(shù)簡介馬恩高2006中科院物理所嘉興工程中心目錄一、引言

二、原料及其準備三、單晶硅棒的生長四、硅棒的切片技術(shù)五、物理所工程中心簡況

一、引言

中科院嘉興中心物理所分中心

太陽能級硅片太陽能電池結(jié)構(gòu)

電池制備流程國內(nèi)主要廠商

二.原料及其準備:多晶硅料坩堝濃度單位Si濃度%雜質(zhì)濃度(TMI)atoms/cm3電子級99.9999999—9N99.999999999-11N1ppba1ppta5×10135×1011太陽能級99.9999------6N1ppma5×1016高純金屬硅99.9----------3N1000ppma5×1019金屬硅98.5-99>10000ppma>5×1020注：單晶硅中原子數(shù)約為5×102２atoms/cm3ppma:原子數(shù)百萬分比例,ppba;原子數(shù)十億分比例,硅中的雜質(zhì)濃度雜質(zhì)(ppm)金屬硅高純金屬硅太陽能級硅B15-50<30<1P10-50<15<5O3000<2000<10C100-250<250<10Fe2000<150<10Al100-200<50<2Ca100-600<500<2Ti200<51Cr50<151

廢料回收技術(shù)廢電池IC廢料堝底料頭尾料廢料處理程序廢料粗分砍砂磨削浸泡超聲清洗電阻分檢D.I水清洗\烘干酸洗NY廢料處理設(shè)備吹砂機磨削機腐蝕機清洗機

三、單晶硅棒的生長：

籽晶晶頸晶肩晶身晶尾CZ直拉法區(qū)溶法摻雜與電阻率的控制:CZ直拉法長晶技術(shù)生長爐結(jié)構(gòu):長晶過程:籽晶熔煉引晶放肩等徑生長收尾長晶

太陽能級硅棒性能指標:三、硅棒的切片技術(shù)：

切頭滾方多線切割機

清洗

分檢供水系統(tǒng)車間布局應(yīng)用

四、物理所工程中心簡介

目前有常駐人員：25人

實驗室與工作場地:約3000M2

實驗室一：動力電池重點實驗室研究方向：鋰電新穎電極材料動力電池

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