原子層沉積包覆技術(shù)微納米顆粒由于小尺寸效應(yīng)與量子尺寸效應(yīng)具有許多常見(jiàn)塊體材料所沒(méi)有的物理化學(xué)特性，對(duì)微納米顆粒的表面進(jìn)行進(jìn)一步的修飾、改性或包覆，使其具有適合應(yīng)用需求的物理化學(xué)特性，是其廣泛應(yīng)用于環(huán)境、能源、電子、醫(yī)療、軍事等領(lǐng)域的基礎(chǔ)。目前微納米顆粒表面包覆改性主要基于液相技術(shù)，包括凝膠法、沉淀法、非均相凝固法、非均勻成核法、化學(xué)鍍法等。這些方法工藝流程較為成熟，設(shè)備需求較為簡(jiǎn)單，得到一定程度的工業(yè)應(yīng)用。然而，液相技術(shù)也存在明顯的不足，如包覆可控性差，包覆層厚度不均勻、不致密，表面活性劑難于徹底移除等問(wèn)題，限制了其在一些高精尖、可控性要求嚴(yán)格的領(lǐng)域的應(yīng)用，因此高效可控的微納米顆粒包覆技術(shù)受到行業(yè)的重點(diǎn)關(guān)注。應(yīng)的薄膜沉積技術(shù)，可通過(guò)在微納米顆粒表面沉積薄膜實(shí)現(xiàn)顆粒的表面改性，具有優(yōu)異的均勻一致性和亞納米厚度可控性，其成膜質(zhì)量高、組分精確可控，在微電子等領(lǐng)域得到了廣泛的工業(yè)應(yīng)用。運(yùn)用原子層沉積技術(shù)對(duì)微納米顆粒進(jìn)行表面修飾，可精確控制包覆厚度、組分、形貌等。在對(duì)于包覆層的成分、厚

原子層沉積技術(shù)的原理度、致密性上要求高，或?qū)Ψ磻?yīng)溶劑環(huán)境要求苛刻的情況下,原子層沉積技術(shù)的原理有著顯著的優(yōu)勢(shì)。ALD是指通過(guò)將氣相前驅(qū)體交替脈沖通入反應(yīng)室并在沉積基體表面發(fā)生氣固相化學(xué)吸附反應(yīng)形成薄膜的一種方法。其一個(gè)周期的沉積過(guò)程由四個(gè)步驟有著顯著的優(yōu)勢(shì)。進(jìn)行：（1） 第一種反應(yīng)前驅(qū)體氣體到達(dá)基底表面，發(fā)生飽和化學(xué)吸附；（2） 第一種前驅(qū)體反應(yīng)物化學(xué)吸附完成后，通入吹掃氣體，除去過(guò)量的反應(yīng)前驅(qū)體和反應(yīng)過(guò)程中的副產(chǎn)物；（3） 通入第二種反應(yīng)前驅(qū)體氣體，使其與基底表面的活性基團(tuán)發(fā)生飽和化學(xué)吸附；（4） 待第二種反應(yīng)前驅(qū)體化學(xué)吸附完成后，通入吹掃氣體，去除過(guò)量的反應(yīng)前驅(qū)體和反應(yīng)副產(chǎn)物。原子層沉積反應(yīng)原理示意圖

滿足：01ALD前驅(qū)體的選擇前驅(qū)體氣體的選擇對(duì)滿足：01ALD前驅(qū)體的選擇前驅(qū)體氣體的選擇對(duì)ALD生長(zhǎng)的涂層質(zhì)量有著至關(guān)重要的作用，前驅(qū)體需要具有足夠高的蒸氣壓，保證其能夠充分覆蓋或填充基體材料的表面；具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性，防止在反應(yīng)最高溫度限度內(nèi)發(fā)生自分解；無(wú)毒、無(wú)腐蝕性，且產(chǎn)物呈惰性，避免阻礙自限制薄膜生長(zhǎng)；反應(yīng)活性強(qiáng)，能迅速在材料表面進(jìn)行吸附，并達(dá)到飽和，或與材料表面基團(tuán)快速有效反應(yīng)。ALD前驅(qū)體主要可以分為兩大類：無(wú)機(jī)物和金屬有機(jī)物。其中無(wú)機(jī)物前驅(qū)體包括單質(zhì)和鹵化物等，金屬有機(jī)物包括金屬烷基，金屬環(huán)戊二烯基，金屬P-2酮，金屬酰胺、金屬醚基等化合物。部分種類的ALD前驅(qū)體

前驅(qū)體類型前驅(qū)體1前驅(qū)體2單質(zhì)Zn,SndZnHQCdS金屬閔化物(Cl,Br)fSi-Cl，P-ClPTi-(CLDHQTi-LZii-CLSn-LHf(CbD0?B-(ClFBr),AJ-CLSi-CLTi-(C1,D<ia-CbNb-<1*海nfTa-Cl,W-FNH,金屬烷基化合物Al- ,Zn-CMe.EOJn-MeHQZn-Et0Al-MeROHZii-(MdtEO.Cd-MbHiS金屬環(huán)戊二烯基化合物Cp,Sc-Cp.Ni-Cp.Sr-Cp,Y-CCp,Cp\fe)HX)Ru-(Cp,CpEt)0?Sr-CCpMeXpsPrj)HjS02ALD技術(shù)特征與優(yōu)勢(shì)通常在一次原子層沉積的反應(yīng)過(guò)程中，對(duì)于給定大小的基底，其表面的化學(xué)基團(tuán)的數(shù)量一定，化學(xué)基團(tuán)反應(yīng)所需的前驅(qū)體反應(yīng)物的量一定。即在一次反應(yīng)步驟中通入再多的反應(yīng)前驅(qū)體也不會(huì)增加薄膜的厚度，這種現(xiàn)象被稱為原子層沉積反應(yīng)的“自限制性”。因此，通過(guò)原子層沉積技術(shù)制備的薄膜在厚度上是精確可控的，其薄膜厚度只取決于反應(yīng)循環(huán)的次。而且是精確可控的，其薄膜厚度只取決于反應(yīng)循環(huán)的次。而且ALD窗口溫度較寬，不同材料的沉積溫度能夠穩(wěn)定匹配。ALD技術(shù)主要優(yōu)勢(shì)可總結(jié)為以下幾個(gè)方面:（1） 在納米尺度上實(shí)現(xiàn)薄膜的精確控制；（2） 優(yōu)越的表面鈍化功能，實(shí)現(xiàn)涂層致密、無(wú)針孔;（3）薄膜生長(zhǎng)可在低溫（室溫到400T）下進(jìn)行；(4)固有的沉積均勻性；廣泛適用于不同形狀的基底，除了可用于平面基底表面的薄膜生長(zhǎng)之外，也能用于大曲率表面的球狀顆粒、不規(guī)則表面的棱邊棱角位置和復(fù)雜高深寬比器件表面薄膜的生長(zhǎng)。原子層沉積技術(shù)應(yīng)用于鋰電池正極材料包覆用于納米顆粒包覆的原子層沉積設(shè)備原子層沉積技術(shù)在微納米顆粒表面包覆改性的應(yīng)用已越來(lái)越廣，相應(yīng)的，用于微納米顆粒表面原子層沉積的設(shè)備也經(jīng)歷了不斷的發(fā)展與革新。 微納米顆粒的比表面積遠(yuǎn)大于平面基底，基底表面達(dá)到飽和吸附所需要的時(shí)間大大延長(zhǎng)，同時(shí)微納米顆粒由于表面能而導(dǎo)致的團(tuán)聚現(xiàn)象也是設(shè)備發(fā)展過(guò)程中必須要考慮的問(wèn)題。因此粉末原子層沉積包覆的一大難點(diǎn)就是如何使粉末材料在 ALD前驅(qū)體中保持良好的分散并完成高效的包覆，目前用于納米顆粒表面原子層沉積的設(shè)備針對(duì)于微納米顆粒不同方面的問(wèn)題有著不同的發(fā)展方向。固定床是最簡(jiǎn)單的實(shí)現(xiàn)ALD粉末包覆的方案，設(shè)備包括氣體及前驅(qū)體源供給組件、反應(yīng)組件和抽氣組件，將粉末材料固定在反應(yīng)器中形成粉末層，通過(guò)真空泵的配合使前驅(qū)體穿過(guò)粉末，實(shí)現(xiàn)飽和吸附。包括德國(guó)柏林大學(xué)以及美國(guó)阿貢實(shí)驗(yàn)室均采用這種方法實(shí)現(xiàn)了粉末ALD包覆，但該方法的缺點(diǎn)也很明顯，由于粉末床與前驅(qū)體無(wú)法充分接觸，實(shí)現(xiàn)飽和吸附需要較長(zhǎng)的時(shí)間，故而只能使用很少的粉末進(jìn)行反應(yīng)，無(wú)法擴(kuò)大成商業(yè)化的方案。Precursor/CarriergasmtxPrecursor/Carriergasmtx04流化床式原子層沉積設(shè)備通常來(lái)說(shuō)粉末樣品比表面積較大，需要較長(zhǎng)時(shí)間的前驅(qū)體暴露和惰氣清洗。當(dāng)大批量包覆時(shí)，由于堆積效應(yīng)，前驅(qū)體很難接觸到底部粉末表面，從而造成沉積的不均勻性。而在流化床ALD反應(yīng)器中，前驅(qū)體能與處于流化狀態(tài)的大量粉末充分接觸，從而在保證均勻性的同時(shí)大幅提高單批次生產(chǎn)能力。

05脈沖床式原子層沉積設(shè)備針對(duì)于流化床式原子層沉積設(shè)備在反應(yīng)過(guò)程中會(huì)存在鼓泡、溝流、騰涌等缺點(diǎn)及不同粒徑顆粒之間原子層沉積工藝無(wú)法通用的缺點(diǎn)，脈沖床式原子層沉積設(shè)備被設(shè)計(jì)出來(lái)。在反應(yīng)腔體的進(jìn)氣口和出氣口設(shè)置電磁閥形成間歇性的脈沖氣流，，使顆粒不斷在流化和靜止兩種狀態(tài)下進(jìn)行轉(zhuǎn)換?！}沖床式原子層沉積設(shè)備原理圖06旋轉(zhuǎn)式原子層沉積設(shè)備流化床式原子層沉積反應(yīng)設(shè)備存在前驅(qū)體利用率低的問(wèn)題，為提高前驅(qū)體在顆粒原子層沉積反應(yīng)中的利用率，開(kāi)發(fā)出旋轉(zhuǎn)式原子層沉積設(shè)備。顆粒在重力、氣體粘滯力和離心力作用下處于動(dòng)態(tài)平衡，前驅(qū)體反應(yīng)物能夠與顆粒表面充分接觸，提高前驅(qū)體反應(yīng)物的利用率。反應(yīng)過(guò)程中不需要使用氣流對(duì)顆粒進(jìn)行流化，因此在反應(yīng)過(guò)程中沒(méi)有清洗階段，殘余的反應(yīng)前驅(qū)體源通過(guò)真空泵被抽走。同時(shí)，該設(shè)備也可采用前驅(qū)體源靜態(tài)曝光的方法來(lái)提高前驅(qū)體源的利用率，適用于納米級(jí)到厘米級(jí)粒徑范圍的顆粒?！D(zhuǎn)式原子層沉積設(shè)備示意圖07振動(dòng)式原子層沉積設(shè)備振動(dòng)式原子層沉積設(shè)備采用振動(dòng)電機(jī)提供振動(dòng)，在原子層沉積反應(yīng)過(guò)程中，振動(dòng)電機(jī)將振動(dòng)傳遞給顆粒，使顆粒在不銹鋼顆粒夾持器中不斷振動(dòng)，可用于▲振動(dòng)原子層沉積設(shè)備08空間隔離原子層沉積設(shè)備傳統(tǒng)的原子層沉積工藝將不同前驅(qū)體以交替脈沖的形式通入到反應(yīng)室內(nèi)，由于中間需要長(zhǎng)時(shí)間惰氣清洗，沉積速率和生產(chǎn)能力受到了極大的限制。空間原子層沉積方法，采用了空間尺度調(diào)控模式，大大增加了薄膜的沉積效率和生產(chǎn)能力。將不同前驅(qū)體、吹掃氣體分離到不同的物理區(qū)域然后連續(xù)不斷地通入相應(yīng)氣體，惰性氣體在吹掃區(qū)域?qū)⒉煌那败|體區(qū)域隔離。反應(yīng)前驅(qū)體分別在反應(yīng)腔體的不同部分注入，顆粒在氮?dú)鈹y帶下依次經(jīng)過(guò)不同的前驅(qū)體反應(yīng)區(qū)域即可完成一個(gè)循環(huán)的ALD反應(yīng)。這種方法氣體均勻，能夠提高涂層質(zhì)量的同時(shí)也降低設(shè)備成本；其次基底的連續(xù)移動(dòng)可縮減裝、卸載以及加熱和冷卻過(guò)程中停機(jī)的時(shí)間，因此在工業(yè)化應(yīng)用方面具有一定的優(yōu)勢(shì)?！臻g隔離原子層沉積設(shè)備09總結(jié)通過(guò)原子層沉積技術(shù)對(duì)微納米顆粒表面進(jìn)行改