太陽電池發(fā)電原理、結(jié)構(gòu)與分類后清洗工藝原理后清洗工藝目的后清洗工藝定義課程引入課程引入（溫故知新）擴(kuò)散工藝的目的是（）清洗硅片制作p-n結(jié)均勻在硅片襯底中分布摻雜原子做金屬電極ABCD提交單選題1分請(qǐng)問在擴(kuò)散虛擬仿真實(shí)訓(xùn)中小氮流量你最終調(diào)試成功的值是多少？作答正常使用主觀題需2.0以上版本雨課堂主觀題1分用四探針對(duì)完成擴(kuò)散的硅片進(jìn)行（）測(cè)試？電阻電導(dǎo)率方塊電阻反射率ABCD提交單選題1分四探針測(cè)試硅片方塊電阻時(shí)，一般采用（）點(diǎn)測(cè)試法。1345ABCD提交單選題1分前清洗工藝仿真實(shí)訓(xùn)采用的設(shè)備有幾個(gè)槽位？5679ABCD提交單選題1分前清洗的目的有哪幾項(xiàng)（多選，少選不給分）制做絨面，提高光的吸收率做p-n結(jié)去除表面的機(jī)械損傷去除硅片的雜質(zhì)和沾污ABCD提交多選題1分后清洗工藝定義速讀教材（3分鐘）P69-71問題：1.后清洗（刻蝕）生產(chǎn)的目的是什么？2.PSG是什么？后清洗工藝是晶體硅太陽電池制造的第三道工序，目前企業(yè)主要采用濕法刻蝕工藝，因此又稱刻蝕工序。后清洗的目的后清洗的目的就是刻蝕多余p-n結(jié)和去除PSG。

擴(kuò)散過程中，雖然采用背靠背擴(kuò)散，硅片的邊緣將不可避免地?cái)U(kuò)散上磷。p-n結(jié)的正面所收集到的光生電子會(huì)沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域流到p-n結(jié)的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并聯(lián)電阻。同時(shí)，由于在擴(kuò)散過程中氧的通入，在硅片表面形成一層二氧化硅，在高溫下POCl3與O2形成的P2O5，部分P原子進(jìn)入Si取代部分晶格上的Si原子形成n型半導(dǎo)體，部分則留在了SiO2中形成PSG(磷硅玻璃)。

非擴(kuò)散面擴(kuò)散面后清洗時(shí)，哪一面朝上呢？后清洗工藝原理濕法刻蝕原理:利用HNO3和HF的混合液體對(duì)擴(kuò)散后硅片下表面和邊緣進(jìn)行腐蝕,去除邊緣的N型硅,使得硅片的上下表面相互絕緣。邊緣刻蝕原理反應(yīng)方程式：3Si+4HNO3+18HF=3H2[SiF6]+4NO2+8H2O等效電路去除磷硅玻璃（PSG）的目的：PSG使硅片在空氣中表面容易受潮，會(huì)導(dǎo)致電流降低和功率衰減。PSG引起的死層大大增加了發(fā)射區(qū)電子的復(fù)合，會(huì)導(dǎo)致少子壽命的降低，進(jìn)而降低了電壓和電流。PSG使得PECVD后產(chǎn)生色差。去PSG原理方程式：

SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2[SiF6]SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O去PSG工序檢驗(yàn)方法：當(dāng)硅片從HF槽出來時(shí)，觀察其表面是否脫水，如果脫水，則表明磷硅玻璃已去除干凈；如果表面還沾有水珠，則表明磷硅玻璃未被去除干凈，可在HF槽中