姓名：高東陽學(xué)號：學(xué)院：化工與材料學(xué)院專業(yè)：化學(xué)工程與工藝班級：B0901指導(dǎo)教師：張芳日期：年12月半導(dǎo)體材料的研究綜述高東陽遼東學(xué)院B0901118003摘要：半導(dǎo)體材料的價值在于它的光學(xué)、電學(xué)特性可充足應(yīng)用與器件。隨著社會的進(jìn)步和當(dāng)代科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體材料越來越多的與當(dāng)代高科技相結(jié)合，其產(chǎn)品更加好的服務(wù)于人類，變化著人類的生活及生產(chǎn)。文章從半導(dǎo)體材料基本概念的界定、半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)呈現(xiàn)狀、半導(dǎo)體材料將來發(fā)展趨勢等方面對我國近十年針對此問題的研究進(jìn)行了綜述，但愿能引發(fā)全社會的關(guān)注和重視。核心詞：半導(dǎo)體材料，研究，綜述20世紀(jì)中葉，單晶硅和半導(dǎo)體晶體管的發(fā)明及其硅集成電路的研制成功，造成了電子工業(yè)革命；20世紀(jì)70年代初石英光導(dǎo)纖維材料和GaAs激光器的發(fā)明，增進(jìn)了光纖通信技術(shù)快速發(fā)展并逐步形成了高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)，使人類進(jìn)入了信息時代。超晶格概念的提出及其半導(dǎo)體超晶格、量子阱材料的研制成功，徹底變化了光電器件的設(shè)計思想，使半導(dǎo)體器件的設(shè)計與制造從“雜質(zhì)工程”發(fā)展到“能帶工程”。徹底變化人們的生活方式。在此筆者重要針對半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展、半導(dǎo)體材料的將來發(fā)展趨勢等進(jìn)行綜述，但愿引發(fā)社會的關(guān)注，并提出了切實(shí)可行的建議。一、有關(guān)半導(dǎo)體材料基礎(chǔ)材料概念界定的研究陳良惠指出自然界的物質(zhì)、材料按導(dǎo)電能力大小可分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體、和絕緣體三大類。半導(dǎo)體的電導(dǎo)率在10-3～109歐·厘米范疇。在普通狀況下，半導(dǎo)體電導(dǎo)率隨溫度的升高而增大，這與金屬導(dǎo)體恰好相反。凡含有上述兩種特性的材料都可歸入半導(dǎo)體材料的范疇。參考文獻(xiàn)[1]陳良惠.量子阱光電子器件的發(fā)展與中國光電子器件產(chǎn)業(yè)的形成[J].中國工程1999,(03)參考文獻(xiàn)[1]陳良惠.量子阱光電子器件的發(fā)展與中國光電子器件產(chǎn)業(yè)的形成[J].中國工程1999,(03)半導(dǎo)體材料（semiconductormaterial）是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)。半導(dǎo)體材料是一類含有半導(dǎo)體性能、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電的電子材料，其電導(dǎo)率在10（U-3）～10（U-9）歐姆/厘米范疇內(nèi)。[2]李雙美,朱曉萍,高宏.\o"21世紀(jì)微電子技術(shù)的發(fā)展趨勢與展望"21世紀(jì)微電子技術(shù)的發(fā)展趨勢與展望[J].沈陽電力高等專科學(xué)校學(xué)報,,(03)[2]李雙美,朱曉萍,高宏.\o"21世紀(jì)微電子技術(shù)的發(fā)展趨勢與展望"21世紀(jì)微電子技術(shù)的發(fā)展趨勢與展望[J].沈陽電力高等?？茖W(xué)校學(xué)報,,(03)隨著社會的進(jìn)步以及科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，對于半導(dǎo)體材料的界定會越來越精確。二、有關(guān)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)呈現(xiàn)狀及解決對策的分析王占國指出中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場需求強(qiáng)勁，市場規(guī)模的增速遠(yuǎn)高于全球平均水平。但是，產(chǎn)業(yè)規(guī)模的擴(kuò)大和市場的繁華并不表明國內(nèi)公司分得的份額更大。相反，中國的半導(dǎo)體市場正日益成為外資公司的樂土。[3][3]王占國.半導(dǎo)體材料研究的新進(jìn)展[J].半導(dǎo)體技術(shù),,(03).朱黎輝說基于市場需求和產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，我們判斷半導(dǎo)體行業(yè)在國內(nèi)有很大的增加潛力。之因此這樣說，重要是基于國家政策的支持，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)離不開國家政策的支持。[4]朱黎輝.國內(nèi)外半導(dǎo)體硅材料與技術(shù)的發(fā)展近況[4]朱黎輝.國內(nèi)外半導(dǎo)體硅材料與技術(shù)的發(fā)展近況[J].中國建設(shè)動態(tài)(陽光能源),,(04)[5]紀(jì)磊.摩爾定律的困難與前景——從摩爾第二定律談起[J].科技導(dǎo)報,,(07).[6]王占國.半導(dǎo)體材料研究的新進(jìn)展(續(xù))[J].半導(dǎo)體技術(shù),,(04).美國是半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)源地，但20世紀(jì)80年代美國作為半導(dǎo)體的重要生產(chǎn)在全球的地位大幅度下降。為了應(yīng)對這種狀況，美國政府以巨大的國防支出來資助半導(dǎo)體業(yè)的研發(fā)。[7][7]陳光華.非晶半導(dǎo)體基本理論及現(xiàn)在發(fā)展概況[J].當(dāng)代物理知識,1996,(S1).技術(shù)是半導(dǎo)體行業(yè)的立足之本，這個行業(yè)的技術(shù)更新速度快速。國內(nèi)外半導(dǎo)體公司的發(fā)展面臨強(qiáng)大的壓力，生存環(huán)境堪憂。某些學(xué)者在分析、總結(jié)的基礎(chǔ)上提出了某些建議。中國應(yīng)采用更加優(yōu)惠的政策、形成良好的投資環(huán)境吸引更多的資金流入到中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。[8]\o"中國工程院增選院士有新規(guī)定"中國工程院增選院士有新規(guī)定[J].[8]\o"中國工程院增選院士有新規(guī)定"中國工程院增選院士有新規(guī)定[J].巖石力學(xué)與工程學(xué)報,,(05)[9]凌玲.半導(dǎo)體材料的發(fā)呈現(xiàn)狀[J].新材料產(chǎn)業(yè),,(06).[10]繆菁,王彥.\o"補(bǔ)鈣補(bǔ)成小胖墩?"補(bǔ)鈣補(bǔ)成小胖墩?[J].科學(xué)大眾(小學(xué)版),,(03)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)會在優(yōu)惠政策及便利的條件下朝著更快、更前的方向發(fā)展。三、有關(guān)半導(dǎo)材料的應(yīng)用及將來發(fā)展趨勢的研究InSb是一種含有閃鋅礦構(gòu)造的半導(dǎo)體材料，還材料含有較窄的禁寬度和較高的電子遷移率，被廣泛應(yīng)用于光電原件、磁阻元件及晶體管結(jié)之中。[11]崔曉英.[11]崔曉英.半導(dǎo)體材料和工藝的發(fā)展?fàn)顩r[J].電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境實(shí)驗(yàn),,(04).[12]同11鄭東梅指出GaN含有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速度大、臨界擊穿電壓高和介電常數(shù)小等特點(diǎn),在高亮度發(fā)光二極管、短波長激光二極管、高性能紫外探測器和高溫、高頻、大功率半導(dǎo)體器件等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。[13]鄭冬梅.[13]鄭冬梅.GaN基材料的特性及應(yīng)用[J].三明學(xué)院學(xué)報,,(02).[14]劉彥勝.我國電子信息、光電材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)呈現(xiàn)狀[J].新材料產(chǎn)業(yè),,(07).總而言之，諸多學(xué)者對現(xiàn)在半導(dǎo)體材料的現(xiàn)狀、發(fā)展趨勢等進(jìn)行了多層次、多角度的探討。通過對這些文獻(xiàn)的研究分析，我們能夠看出，半導(dǎo)體材料是一項(xiàng)發(fā)展前景較好的產(chǎn)業(yè)。因而我們有必要進(jìn)行更進(jìn)一步的研究。特別是在半導(dǎo)體材料的發(fā)展趨勢上，我們?nèi)孕柽M(jìn)行更深層次的探索。參考文獻(xiàn)[1]陳良惠.量子阱光電子器件的發(fā)展與中國光電子器件產(chǎn)業(yè)的形成[J].中國工1999,(03)[2]李雙美,朱曉萍,高宏.\o"21世紀(jì)微電子技術(shù)的發(fā)展趨勢與展望"21世紀(jì)微電子技術(shù)的發(fā)展趨勢與展望[J].沈陽電力高等專科學(xué)校學(xué)報,,(03)[3]王占國.半導(dǎo)體材料研究的新進(jìn)展[J].半導(dǎo)體技術(shù),,(03).[4]朱黎輝.國內(nèi)外半導(dǎo)體硅材料與技術(shù)的發(fā)展近況[J].中國建設(shè)動態(tài)(陽源),,(04)[5]紀(jì)磊.摩爾定律的困難與前景——從摩爾第二定律談起[J].科技導(dǎo)報,,(07).[6]王占國.半導(dǎo)體材料研究的新進(jìn)展(續(xù))[J].半導(dǎo)體技術(shù),,(04).[7]陳光華.非晶半導(dǎo)體基本理論及現(xiàn)在發(fā)展概況[J].當(dāng)代物理知識,1996,(S1).[8]\o"中國工程院增選院士有新規(guī)定"中國工程院增選院士有新規(guī)定[J].巖石力學(xué)與工程學(xué)報,,(05)[9]凌玲.半導(dǎo)體材料的發(fā)呈現(xiàn)狀[J].新材料產(chǎn)業(yè),,(06).[10]繆菁,王彥.\o"補(bǔ)鈣補(bǔ)成小胖墩?"補(bǔ)鈣補(bǔ)成小胖墩?[J].科學(xué)大眾(小學(xué)版),,(03)